신균주 바실러스 속(Bacillus sp.) NS-70(KCTC 8555P)와 이를 이용한 신규한 단백질 가수분해효소의 제조방법
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:KR100127099B1

    公开(公告)日:1997-12-29

    申请号:KR1019940011237

    申请日:1994-05-24

    Abstract: The preparation method for the novel Bacillus sp. cell line NS-70 (KCTC 8555P) and the novel protease by using the bacillus sp. NS-70 includes the steps of: adding bacillus sp. cell line NS-70 (KCTC 8555P) to a culture containing polypeptone, yeast extract, beef extract, glycerol, KH2PO4, K2HPO4, MgSO4,7H2O and NaCl at pH 6 to 8 and fermenting the culture placed at 55 degrees centigrade for 6 hours in a culture containing phytonpeptone, K2HPO4, KH2HPO4, MgSO4,7H2O and NaCl at 50 degrees centigrade for 8-10 hours.

    Abstract translation: 新型芽孢杆菌的制备方法 细胞系NS-70(KCTC 8555P)和新型蛋白酶。 NS-70包括以下步骤:添加芽孢杆菌 细胞系NS-70(KCTC 8555P)在含有多胨,酵母提取物,牛肉提取物,甘油,KH 2 PO 4,K 2 HPO 4,MgSO 4·7H 2 O和NaCl的培养基中,pH6〜8,并将培养物放置在55℃下放置6小时 在50摄氏度下含有植物蛋白胨,K 2 HPO 4,KH 2 HPO 4,MgSO 4·7H 2 O和NaCl的培养物8-10小时。

    변이주 써모액티노 마이세스속(THERMOACTINOMYCESSP.)M1 (KCTC8864P) 및 이를 이용한 단백질 가수분해효소의 고수율 제조 방법
    14.
    发明授权
    변이주 써모액티노 마이세스속(THERMOACTINOMYCESSP.)M1 (KCTC8864P) 및 이를 이용한 단백질 가수분해효소의 고수율 제조 방법 失效
    使用相同的突变体热敏蛋白体M1(KCTC8864P)和高产量的蛋白质水解酶

    公开(公告)号:KR100313666B1

    公开(公告)日:2002-10-25

    申请号:KR1019980041252

    申请日:1998-09-30

    Abstract: 본 발명은 변이주 써모액티노마이세스 속(
    Thermoactinomyces sp.) M1(KCTC 8864P) 및 이를 이용한 단백질 가수분해효소의 고수율 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 포도당 수송체계가 결손되어 이화대사물 억제(catabolite repression)가 해제된 써모액티노마이세스 속 변이주 M1 및 이를 이용한 고수율 단백질 가수분해효소의 제조방법을 그 특징으로 하는 것으로서, 이를 발효공정에 적용하는 경우에는 이화대사물 억제가 해제됨에 따라 배지중 포도당에 의해 효소생산이 저해를 받지않고 효소를 고수율로 생산할 수 있으며, 또한 효소생산 배지를 이용한 단백질 가수분해효소 생산시 효소 생산량을 2.1배 증가시킬 수 있으므로 값싼 복합배지를 이용한 단백질 가수분해효소 생산시 발효 수율을 향상시켜 효소 제조원가를 절감할 수 있는 효과가 있다.

    변이주 써모액티노 마이세스속(THERMOACTINOMYCESSP.)M1 (KCTC8864P) 및 이를 이용한 단백질 가수분해효소의 고수율 제조 방법
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1020000021961A

    公开(公告)日:2000-04-25

    申请号:KR1019980041252

    申请日:1998-09-30

    Abstract: PURPOSE: Provided is a production method of protease with high-yield and low-cost using a mutant Thermoactinomyces species. CONSTITUTION: Mutant, Thermoactinomyces SP. M1(KCTC 8864P) produced by artificial mutagensis using UV and N-methyl-N-nitro-N-nitrosoguanidine as a chemical mutagen, is applied for protease production, in which strain, a glucose transport system is defective, so catabolic repression is suppressed, resulting enhanced protein synthesis. For the mutant, Thermoactinomyces SP. M1 culturing, complex medium containing various carbon sources, glucose or enzyme production medium is used and large amount of protease which is thermostable or alkaline-resistant are produced.

    Abstract translation: 目的:提供一种具有高产量和低成本的使用突变体Thermoactinomyces物种的蛋白酶的生产方法。 构成:突变体,热激酶SP。 使用UV和N-甲基-N-硝基-N-亚硝基胍作为化学诱变剂的人工繁殖产生的M1(KCTC 8864P)用于蛋白酶生产,其中葡萄糖转运系统有缺陷,因此分解代谢抑制被抑制 ,从而增强蛋白质合成。 对于突变体,Thermoactinomyces SP。 使用M1培养,含有各种碳源的复合培养基,葡萄糖或酶生产培养基,产生大量耐热或耐碱性的蛋白酶。

    신규한 플라스미드 pKLE와 이를 이용한 리파제의 대량생산방법
    16.
    发明授权
    신규한 플라스미드 pKLE와 이를 이용한 리파제의 대량생산방법 失效
    批量生产新型质粒pKLE的方法和使用该方法的脂肪酶

    公开(公告)号:KR100180570B1

    公开(公告)日:1999-04-01

    申请号:KR1019960020320

    申请日:1996-06-07

    Abstract: 본 발명은 신규한 플라스미드 pKLE와 이를 이용한 리파제의 대량생산방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 유전자 조작에 의해 제조된 신규한 재조합 벡터 pKLE을 이용하여 알카리 및 단백질 분해효소에 대한 내성이 강하고 용매안정성이 우수한 리파제를 대장균 세포내에서 다량 발현시키고 이를 활성이 있는 안정된 형태로 고수율로 분리정제하여 제조하는 방법에 관한 것이다.

    실리콘 박막분리를 위한 표면기포 형성방법
    20.
    发明授权
    실리콘 박막분리를 위한 표면기포 형성방법 失效
    硅薄膜分离的表面气泡形成方法

    公开(公告)号:KR100539465B1

    公开(公告)日:2005-12-29

    申请号:KR1020040015790

    申请日:2004-03-09

    Abstract: 본 발명은 실리콘 박막분리를 위한 표면기포 형성방법에 관한 것으로서 특히 스마트 컷(Smart-cut) 방법에 의해 SOI 웨이퍼가 제조될 때, 박막층 분리의 필수 조건인 수소에 의해 유기된 미세균열(microcrack)이 형성된 결과로서 나타나는 표면 기포가 형성되는 방법에 관한 것이다.
    본 발명에 의하면 SOI 기판의 박막 분리를 위한 표면기포 형성방법에 있어서, 제 1기판의 일정 두께를 열산화하는 제 1단계와; 상기 제 1기판의 열산화막 두께 보다 깊은 일정 깊이로 이온 주입하는 제 2단계와; 상기 이온 주입된 제 1기판을 제 2기판과 접합하는 제 3단계와; 상기 접합된 제 1 및 제 2기판을 300 ~ 600℃ 범위에서 10 ~ 30분 동안 열처리함으로써 미세균열에 의해 표면 기포가 형성된 이온 주입 박막을 분리하는 제 4단계; 및 상기 분리된 박막 표면을 연마하는 제 5단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면기포 형성방법을 제시한다.
    따라서 본 발명은 스마트 컷(Smart-cut) 기술로 SOI 웨이퍼가 제조될 때, 열처리 시간의 감소와 표면 기포의 형성 여부로 박막분리의 여부를 결정함으로써 이온 주입된 실리콘 웨이퍼의 박막분리 공정 에러를 줄일 수 있다.

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