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公开(公告)号：KR1020180099197A
公开(公告)日：2018-09-05
申请号：KR1020170026311
申请日：2017-02-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L49/02 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10808 , H01L21/02186 , H01L21/0228 , H01L21/28556 , H01L28/75 , H01L28/91
Abstract: 개시된반도체메모리소자의커패시터는, 하부전극, 상기하부전극위에배치되며티타늄산화물을포함하는유전막및 상기유전막위에배치되는상부전극을포함한다. 상기하부전극은, 제1 금속및 제2 금속을포함하고, 상기제1 금속은백금(Pt), 오스뮴(Os), 로듐(Rh) 및팔라듐(Pd)으로이루어진그룹에서선택된적어도하나를포함하고, 상기제2 금속은, 루테늄(Ru) 및이리듐(Ir)으로이루어진그룹에서선택된적어도하나를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020170102762A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：KR1020160025303
申请日：2016-03-02
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 양파모양탄소(Onion-Like Carbon; OLC)의제조방법은, 나노다이아몬드파우더(nanodiamond powder)를 1000℃내지 1400℃의온도로어닐링(annealing)하는단계를포함한다. 상기어닐링하는단계에의해, 탄소원자간에 sp결합을이루는다이아몬드코어, 및상기코어의바깥쪽에배치되며탄소원자간에 sp결합을이루되인장변형에의해탄소원자간의결합이손상된결함(defect)을포함하는그래핀(graphene) 쉘이형성된다. 어닐링온도를제어함으로써 OLC의최외곽쉘에인장변형에의한결함을생성할수 있으며, 생성된결함은 OLC의전기화학적특성을향상시킬수 있다. 그결과, OLC를전극재료로사용할경우종래와같은별도의후처리공정없이도전기화학적특성이우수한전극을얻을수 있으며, 전극제조공정이간소화될수 있다.
Abstract translation: 用于生产洋葱状碳（OLC）的方法包括在1000℃至1400℃的温度下退火纳米金刚石粉末的步骤 通过退火的步骤中，形成键合到碳跟踪金刚石芯一个属，并且被布置在所述芯，包括通过拉伸应变的碳原子之间的损坏缺陷（缺陷）键的外侧正在作出SP键合到碳跟踪 石墨烯壳形成。 通过控制退火温度，可以在OLC外壳的壳层中产生由拉伸应变引起的缺陷，由此产生的缺陷可以改善OLC的电化学性能。 结果，当使用OLC作为电极材料时，可以获得具有优异电化学特性的电极，而无需像现有技术那样进行单独的后处理工艺，并且可以简化电极制造工艺。
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公开(公告)号：KR1020160109589A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：KR1020150034310
申请日：2015-03-12
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/314 , H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02109 , H01L21/205
Abstract: 본발명의일 실시예에따른전구체경쟁흡착을이용한원자층증착방법은 (a) 기판상에제1전구체를주입하는단계, (b) 상기기판상에산소원료를주입하는단계, (c) 상기기판상에제1전구체및 제2전구체를함께주입하는단계및 (d) 상기기판상에산소원료를주입하는단계를포함할수 있다.
Abstract translation: 使用根据本发明的实施方案的前体的竞争性吸附的原子层沉积方法可以包括（a）将第一前体注入到基底上的步骤，（b）将氧（原料）注入到 所述基板，（c）将所述第一前体和所述第二前体注入到所述基板上的步骤，以及（d）将氧（原料）注入到所述基板上的工序。 因此，可以在形成电介质薄膜时控制精细的掺杂浓度。
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公开(公告)号：KR101648122B1
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：KR1020140082635
申请日：2014-07-02
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 센싱전극의제조방법은, 나노다이아몬드파우더를열처리함으로써, 탄소원자간에 sp3 결합을이루는제1 부분및 상기제1 부분의바깥쪽에배치되며탄소원자간에 sp2 결합을이루는제2 부분을포함하는버키(bucky) 다이아몬드를형성하는단계; 및상기버키다이아몬드를재료로센싱전극을형성하는단계를포함할수 있다. 상기센싱전극은산 또는암모니아에의한처리등의파괴공법을거치치않는단순한열처리공정을통해제조되어결함(defect)이적고, 저분자(small molecule)의고 선택도(high selectivity) 및고 감도(sensitivity) 동시센싱(simultaneous sensing)이가능한이점이있다.
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公开(公告)号：KR1020150059453A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：KR1020130143068
申请日：2013-11-22
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02B5/00
CPC classification number: G02B5/008 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , G01N21/554 , G02B5/0278 , G03F7/2014 , G03F7/70375
Abstract: 나노안테나배열제조방법은기판위에레지스트층을형성하는단계; 상기레지스트층위에유전체마이크로구조체배열을포함하는포커싱층을형성하는단계; 선형디퓨저를이용하여빛을일 방향으로산란시키는단계; 상기선형디퓨저에의해산란된빛을상기포커싱층및 상기레지스트층에조사시킴으로써상기레지스트층에비등방성의패턴을형성하는단계; 상기기판및 상기패턴이형성된레지스트층에플라즈모닉공진특성을갖는물질을증착하는단계; 및상기레지스트층및 상기레지스트층상에증착된물질을제거함으로써상기기판상에나노안테나배열을형성하는단계를포함할수 있다. 상기선형디퓨저에의한빛의산란각도및 상기유전체마이크로구조체의크기는형성하고자하는패턴의종횡비에기초하여결정된다.
Abstract translation: 纳米天线阵列的制造方法包括： 在基板上形成抗蚀剂层的步骤; 在抗蚀剂层上形成包括电介质微结构阵列的聚焦层的步骤; 通过使用线性漫射器在一个方向上漫射光的步骤; 通过用线性扩散器漫射的光照射聚焦层和抗蚀剂层，在抗蚀剂层上形成各向异性图案的步骤; 在衬底上蒸发具有等离子体共振特性的材料和形成图案的抗蚀剂层的步骤; 以及通过去除抗蚀剂层和沉积在抗蚀剂层上的材料在衬底上形成纳米天线阵列的步骤。 基于正在形成的图案的纵横比来确定通过线性漫射器的光的散射角和电介质微结构的尺寸。 根据本发明的纳米天线阵列的制造方法，能够在2-20μm的波长区域的红外波段中显示等离子体共振特性的红外线纳米天线阵列，其中，固有振动模式 存在的大多数分子可以容易地形成。
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公开(公告)号：KR101934569B1
公开(公告)日：2019-01-02
申请号：KR1020170126389
申请日：2017-09-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/18 , H01L31/0445 , H01L31/0392 , H01L31/0376
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公开(公告)号：KR101842964B1
公开(公告)日：2018-03-29
申请号：KR1020160100552
申请日：2016-08-08
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C25B11/0415 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C16/32 , C23C16/503 , C23C16/56 , C25B11/02 , C25B11/0447 , Y02E60/366
Abstract: 텅스텐카바이드나노플레이크(nanoflake)를이용한수소생산용전극의제조방법은, 수소플라즈마가인가되는화학기상증착공정을이용하여, 나노결정다이아몬드박막상에텅스텐카바이드나노플레이크를제조하는단계; 및상기텅스텐카바이드나노플레이크의표면으로부터산화물층또는그래핀층을제거함으로써상기텅스텐카바이드나노플레이크의수소발생반응에대한활성을증가시키는단계를포함한다. 텅스텐카바이드형성후 사이클릭세정(cyclic cleaning)을통하여텅스텐카바이드표면의산화물층및/또는그래핀층을제거함으로써, 텅스텐카바이드의수소발생반응(Hydrogen Evolution Reaction) 활성을증가시켜촉매전극으로서의활용도를높일수 있다.
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公开(公告)号：KR101797117B1
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：KR1020150133469
申请日：2015-09-22
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0288
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은핸들웨이퍼및 초박형실리콘웨이퍼를접합하는단계, 상기초박형실리콘웨이퍼상에도핑소스층을코팅하는단계, 상기도핑소스층을패터닝하는단계, 상기패터닝된도핑소스층상에플래쉬램프(flash lamp)로빛을조사하여도펀트를상기초박형실리콘웨이퍼내부로확산시키는단계, 상기패터닝된도핑소스층을제거하는단계, 상기초박형실리콘웨이퍼상에패시베이션층을형성하고, 상기도펀트가확산된영역이노출되도록패터닝하는단계및 상기도펀트가확산된영역상에전극을형성하는단계를포함하는초박형실리콘태양전지제조방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR1020170035009A
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：KR1020150133469
申请日：2015-09-22
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0288
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은핸들웨이퍼및 초박형실리콘웨이퍼를접합하는단계, 상기초박형실리콘웨이퍼상에도핑소스층을코팅하는단계, 상기도핑소스층을패터닝하는단계, 상기패터닝된도핑소스층상에플래쉬램프(flash lamp)로빛을조사하여도펀트를상기초박형실리콘웨이퍼내부로확산시키는단계, 상기패터닝된도핑소스층을제거하는단계, 상기초박형실리콘웨이퍼상에패시베이션층을형성하고, 상기도펀트가확산된영역이노출되도록패터닝하는단계및 상기도펀트가확산된영역상에전극을형성하는단계를포함하는초박형실리콘태양전지제조방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明是在以下步骤的闪光灯，超薄硅晶片上涂布掺杂源层的图案化步骤，所述掺杂剂源层，图案化的掺杂的源极层以粘合处理晶片和超薄硅晶片（闪光灯） 扩散掺杂剂的步骤照射robit到超薄硅晶片，移除图案化掺杂的源极层，和形成超薄硅晶片上的钝化层，和图案化，以使所述掺杂物暴露于扩散区域 步骤和用于制造超薄硅太阳能电池包括掺杂剂形成在扩散区上的电极的步骤提供了一种方法。
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