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公开(公告)号：KR101395102B1
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：KR1020130015633
申请日：2013-02-14
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: The present invention relates to a method of packaging a silicon photomultiplier using a PCB substrate. The method of packaging a silicon photomultiplier using a PCB substrate according to one embodiment of the present invention includes a step of forming at least one array-type silicon photomultiplier on a PCB substrate; a step of attaching a dam PCB to the edge of the PCB substrate and a step of forming a passivation layer in the upper part of the array-type silicon photomultiplier; and a step of cutting the edge region of the PCB substrate which includes the dam PCB attached to the PCB.
Abstract translation: 本发明涉及使用PCB基板封装硅光电倍增管的方法。 根据本发明的一个实施例的使用PCB基板封装硅光电倍增管的方法包括在PCB基板上形成至少一个阵列型硅光电倍增管的步骤; 将PCB PCB连接到PCB基板的边缘的步骤以及在阵列型硅光电倍增管的上部形成钝化层的步骤; 以及切割PCB基板的边缘区域的步骤，其包括附接到PCB的坝PCB。
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公开(公告)号：KR101356049B1
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：KR1020120027123
申请日：2012-03-16
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 상보적 램프신호를 이용하여 Ａ／Ｄ 변환을 수행하는 ＡＤＣ 및 이를 적용한 이미지 센싱 장치가 제공된다. 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센싱 장치는, 아날로그 픽셀값을 출력하는 픽셀, 픽셀에서 출력되는 아날로그 픽셀값을 샘플신호 앤드 홀드하여 샘플신호를 생성하는 S/H 및 S/H에서 생성된 샘플신호를 다수의 램프신호들과 비교하여 디지털화하는 ADC를 포함한다. 이에 의해, A/D 변환 속도를 증가시킬 수 있게 되어, 단위시간당 처리할 수 있는 픽셀값들의 개수 증가를 통해 고화질 영상을 지연 없이 제공하는 기틀을 마련할 수 있게 된다.
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公开(公告)号：KR101273884B1
公开(公告)日：2013-06-17
申请号：KR1020120023214
申请日：2012-03-07
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: G11C27/02 , G11C7/16 , H03K17/687 , H03M1/12
Abstract: PURPOSE: An SHA (Sample and Hold Amplifier) for suppressing charge outflow at an internal device is provided to prevent the operation distortion of the SHA by suppressing the charge outflow at a switch which delivers an input signal to a charging device. CONSTITUTION: A switching unit (110) includes a plurality of switches (MN1-7, MP1-3), an inverter (I) and a capacitor (C1). The switching unit delivers an input signal to a charging unit. The charging unit charges the input signal delivered through the switching unit. A charge outflow suppressing unit (130) includes a micro-inductor (ML). The charge outflow suppressing unit suppresses the charge outflow at the switching unit.
Abstract translation: 目的：提供一种用于抑制内部装置的电荷流出的SHA（采样和保持放大器），以通过抑制将输入信号传送到充电装置的开关处的电荷流出来防止SHA的操作失真。 构成：开关单元（110）包括多个开关（MN1-7，MP1-3），反相器（I）和电容器（C1）。 开关单元将输入信号传送到充电单元。 充电单元对通过开关单元传送的输入信号进行充电。 电荷流出抑制单元（130）包括微电感器（ML）。 电荷流出抑制单元抑制开关单元处的电荷流出。
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公开(公告)号：KR101088057B1
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：KR1020100050605
申请日：2010-05-28
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: PURPOSE: Detector modules for positron emission tomography and a positron emission tomography using the same are provided to prevent the external loss of the detecting ring of a gamma-ray by forming a detection module. CONSTITUTION: In detector modules for positron emission tomography and a positron emission tomography using the same, a flash layer includes a plurality of flash body. A plurality of stick flash bodies are arranged in pixel type array. A pair of light diffusing layers are respectively connected to both ends of the flash layer. A pair of light diffusing layers diffuses a flashing light signal. A pair of photo sensor arrays(130) converts the flashing light signal into the electric signal. A pair of detection circuits detects the reaction site of the gamma-ray within the flash layer.
Abstract translation: 目的：提供用于正电子发射断层摄影的检测器模块和使用其的正电子发射断层摄影，以通过形成检测模块来防止伽马射线的检测环的外部损失。 构成：在用于正电子发射断层摄影的检测器模块和使用其的正电子发射断层摄影术中，闪光层包括多个闪光体。 多个棒状闪光体被排列成像素阵列。 一对光漫射层分别连接到闪光层的两端。 一对光漫射层漫射闪烁的光信号。 一对光传感器阵列（130）将闪光信号转换成电信号。 一对检测电路检测闪光层内的γ射线的反应位置。
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公开(公告)号：KR101762430B1
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：KR1020150184026
申请日：2015-12-22
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/107 , H01L31/109 , H01L31/0216
Abstract: 광검출효율을향상시킬수 있는실리콘광전자증배센서가제공된다. 본발명의일 실시예에따른실리콘광전자증배센서는 p층위에 n웰이형성되는복수개의가이거모드아발란치포토다이오드(Geiger mode avalanche photodiode; GAPD) 구조체; 및상기가이거모드아발란치포토다이오드구조체상의 IC 기판;을구비하는실리콘광전자증배센서이며, 센싱하고자하는광은상기 p층에서상기 IC 기판방향으로조사되는광을포함하는이면조사형실리콘광전자증배센서이다.
Abstract translation: 提供了一种能够提高光检测效率的硅光电子倍增传感器。 根据本发明的实施例的硅光伏倍增传感器包括：其中在p层上形成n阱的多个盖革模式雪崩光电二极管（GAPD）结构; 以及盖革模式雪崩光电二极管结构上的IC基板，其中待感测的光是包括从p层向IC基板发射的光的背照式硅光伏放大传感器， 一。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170074579A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：KR1020150184020
申请日：2015-12-22
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/107 , H01L31/0216 , G01J1/04 , G01J1/44
Abstract: 크로스톡현상을방지할수 있는실리콘광전자증배센서가제공된다. 본발명의일 실시예에따른실리콘광전자증배센서는복수개의가이거모드아발란치포토다이오드(Geiger mode avalanche photodiode; GAPD) 구조체; 상기가이거모드아발란치포토다이오드구조체상의 IC 기판; 및하나의가이거모드아발란치포토다이오드구조체에서발생하는 2차광자가인접한가이거모드아발란치포토다이오드구조체로이동하는것을차단하도록, 상기복수개의가이거모드아발란치포토다이오드구조체각각과상기 IC 기판사이에개재되는차단막;을포함한다.
Abstract translation: 提供了可以防止串扰现象的硅光电子倍增传感器。 硅光电传感器是多个根据本发明的一个实施例中乘法盖革模式雪崩光电二极管的（盖革模式雪崩光电二极管; GAPD）结构; 盖革模式Avalanche光电二极管结构上的IC基板; 并且在该结构中自盖革模式雪崩啊，所述多个盖革模式的，所产生的盖革模式雪崩光电二极管相邻的次级光阻止的运动作为各和IC基板之间的光电二极管结构的雪崩光电二极管结构 并且在阻挡层之间插入阻挡层。
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公开(公告)号：KR101451250B1
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：KR1020130007428
申请日：2013-01-23
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/09
Abstract: 본 발명은 스트립형 PN 접합구조를 갖는 실리콘 광전자증배관 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 실리콘 광전자증배관을 구성하는 각 마이크로셀의 PN 접합(PN junction)층을 형성함에 있어서, 통상의 CMOS 공정을 이용하여 p- 에피택셜층 상에 n+층을 형성하되, 상기 n+층을 p- 에피택셜층 상부에 띠 형태의 스트립(strip) 구조로 형성하여, 섬광체로부터 입사되는 가시광에 의해 p- 에피택셜층에서 발생한 전자가 스트립 구조로 형성된 n+층으로 집속되도록 구성함으로써, 정공보다 상대적으로 아발란치(전자사태, avalanche) 효율이 우수한 전자에 의한 아발란치 브레이크다운(Avalanche Breakdown)을 유도하여, 입사되는 광의 검출 효율을 높일 수 있는 스트립형 PN 접합구조를 갖는 실리콘 광전자증배관 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
이를 위하여 본 발명은, 다수개의 마이크로셀로 이루어지는 실리콘 광전자증배관(SiPM : Silicon Photomultiplier)에 있어서, 상기 실리콘 광전자증배관을 구성하는 다수개의 마이크로셀 각각은, p+ 웨이퍼 기판, 상기 p+ 웨이퍼 기판상에 형성되는 p- 에피택셜층 및 상기 p- 에피택셜층에 도핑되어, 상기 p- 에피택셜층 표면에 띠 형태의 스트립(strip) 구조로 형성되는 n+층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR1020140094859A
公开(公告)日：2014-07-31
申请号：KR1020130007428
申请日：2013-01-23
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/09
Abstract: The present invention relates to a silicon photomultiplier with a strip-type P-N junction structure and a manufacturing method thereof and, more specifically, to a silicon photomultiplier with a strip-type P-N junction structure, and a manufacturing method thereof which forms an n+ layer on a p- epitaxial layer using an ordinary CMOS process, but forms the n+ layer as a strip structure in a band shape on the top of the p- epitaxial layer when a P-N junction layer of each microcell forming the silicon photomultiplier is formed. The silicon photomultiplier with the strip-type P-N junction structure makes an electron generated in the p- epitaxial layer by visible light inserted from a scintillator to be concentrated to an n+ layer of the strip structure, induces avalanche breakdown by the electron having excellent avalanche efficiency than a hole, and enhances detection efficiency of incident light. For the purpose mentioned above, the silicon photomultiplier (SiPM) which is formed of a plurality of microcells is provided. Each of the microcells forming the silicon photomultiplier comprises; a p+ wafer substrate; the p- epitaxial layer formed on the p+ wafer substrate; and an n+ layer which is doped on the p- epitaxial layer and is formed on the surface of the p- epitaxial layer as a strip structure in a band shape.
Abstract translation: 本发明涉及具有带状PN结结构的硅光电倍增管及其制造方法，更具体地说，涉及具有带状PN结结构的硅光电倍增管及其形成n +层的制造方法 使用普通CMOS工艺的p-外延层，但是当形成硅光电倍增管的每个微小电极的PN结层形成时，在p-外延层的顶部上形成带状结构的n +层作为带状结构。 具有带状PN结结构的硅光电倍增管通过从闪烁器插入的可见光在p-外延层中产生电子，以将其集中到带状结构的n +层，由具有优异雪崩效率的电子引起雪崩击穿 比洞，提高入射光的检测效率。 为了上述目的，提供了由多个微单元形成的硅光电倍增管（SiPM）。 形成硅光电倍增管的每个微电池包括： p +晶片衬底; 形成在p +晶片衬底上的p-外延层; 以及n +层，其被掺杂在p外延层上并且形成在p外延层的表面上，作为带状结构。
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公开(公告)号：KR101381579B1
公开(公告)日：2014-04-04
申请号：KR1020120127896
申请日：2012-11-13
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G01T1/02
Abstract: Disclosed is a personal electronic dosimeter using multiple single channel analyzers. The personal electronic dosimeter, according to embodiments of the present invention, uses more than two single channel analyzers in order to form an energy window based on the radiation energy level of the radiation source, or form a reference level value greater than two. Through the reference level value, a radiation signal can be recognized, so as for a user to measure radiation of various sources, and calculate a reliable dose. [Reference numerals] (AA) Radiation energy; (BB) Time
Abstract translation: 公开了一种使用多个单通道分析仪的个人电子剂量计。 根据本发明的实施例的个人电子剂量计使用两个以上的单通道分析器，以便基于辐射源的辐射能量水平形成能量窗口，或形成大于2的参考水平值。 通过参考电平值，可以识别辐射信号，以便用户测量各种光源的辐射，并计算可靠的剂量。 （附图标记）（AA）辐射能; （BB）时间
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公开(公告)号：KR1020130102189A
公开(公告)日：2013-09-17
申请号：KR1020120023213
申请日：2012-03-07
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H04N5/3745
CPC classification number: H04N5/3745 , H01L27/14609 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14643
Abstract: PURPOSE: An image sensing device implementing a pixel with two different type transistors is provided to output an output signal of a photo diode to a comparator through two different type transistors, thereby reducing the number of column lines. CONSTITUTION: An image sensing device comprises a pixel (110) to output an output signal of a photo diode (PD) through first type transistors (MN1, MN2) and a second type transistor (MP); a comparator (121) to compare the output signal to a reference signal; and memories (123,124) to stores an output size based on a result of the comparison. The pixel is a heterogeneous 3-Tr pixel and constituted with the PD, two N-channel metal-oxide semiconductors (N-MOS), and one P-channel metal-oxide semiconductor (P-MOS). The 3-Tr pixel outputs the output signal of the PD through the two N-MOSs and the one P-MOS. [Reference numerals] (123) Memory 1; (124) Memory 2; (125) Counter
Abstract translation: 目的：提供实现具有两种不同类型晶体管的像素的图像感测装置，以通过两种不同类型的晶体管将光电二极管的输出信号输出到比较器，从而减少列线数量。 构成：图像感测装置包括通过第一类型晶体管（MN1，MN2）和第二类型晶体管（MP）输出光电二极管（PD）的输出信号的像素（110）。 比较器（121），用于将输出信号与参考信号进行比较; 和存储器（123,124），用于存储基于比较结果的输出大小。 像素是异质3-Tr像素，由PD，两个N沟道金属氧化物半导体（N-MOS）和一个P沟道金属氧化物半导体（P-MOS）构成。 3-Tr像素通过两个N-MOS和一个P-MOS输出PD的输出信号。 （附图标记）（123）存储器1; （124）存储器2; （125）计数器
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