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公开(公告)号：KR101946376B1
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：KR1020187005790
申请日：2008-10-16
IPC: H04N19/50 , H04N19/513 , H04N19/503 , H04N19/593
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公开(公告)号：KR101905445B1
公开(公告)日：2018-10-10
申请号：KR1020160051352
申请日：2016-04-27
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/324 , G02F1/1368 , H01L29/66 , H01L21/02
Abstract: 본발명에따른트랜지스터손상치료방법은, 2개의게이트전극을가지는복수의트랜지스터를포함하는디스플레이장치에서의트랜지스터손상치료방법으로, 상기복수의트랜지스터중 손상된트랜지스터를검출하는단계및 상기손상된트랜지스터의 2개의게이트전극에소정크기의전압을인가해상기손상된트랜지스터에줄열(joule heat)을발생시킴으로써손상을치료하는단계;를포함한다. 이에의하여, 디스플레이의사용중 불균일한소자공정에서야기된디스플레이용트랜지스터의손상치료가가능하므로, 심화된스트레스환경에서소자열화현상을매우짧은시간의전기적신호를이용해용이하게치료할수 있기때문에, 디스플레이의수명을획기적으로개선할수 있다. 아울러, 별도의추가적인회로나공정변경없이도트랜지스터의손상치료가가능하다.
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公开(公告)号：KR101838279B1
公开(公告)日：2018-03-14
申请号：KR1020160098888
申请日：2016-08-03
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/78 , H01L29/49 , H01L29/423
Abstract: 본발명에따른다중비트전계효과트랜지스터제어장치는기판상에형성된소스전극및 드레인전극, 그사이에형성되고각각상이한문턱전압을갖는복수의채널, 복수의채널에형성된게이트절연막, 게이트절연막상에형성된제1 게이트전극및 제2 게이트전극및 제1 게이트전극및 상기제2 게이트전극중 어느하나에전압을인가하여제1 게이트전극과제2 게이트전극사이의전위분포를변경함으로써, 상기복수의채널의온/오프를개별적으로제어하는컨트롤러를포함한다. 이에의하면, 다중비트처리가가능할뿐만아니라, 높은직접도를가진회로를구현할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020180015408A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：KR1020160098888
申请日：2016-08-03
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/78 , H01L29/49 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7831 , H01L29/42392 , H01L29/4958 , H01L29/783 , H01L29/7855
Abstract: 본발명에따른다중비트전계효과트랜지스터제어장치는기판상에형성된소스전극및 드레인전극, 그사이에형성되고각각상이한문턱전압을갖는복수의채널, 복수의채널에형성된게이트절연막, 게이트절연막상에형성된제1 게이트전극및 제2 게이트전극및 제1 게이트전극및 상기제2 게이트전극중 어느하나에전압을인가하여제1 게이트전극과제2 게이트전극사이의전위분포를변경함으로써, 상기복수의채널의온/오프를개별적으로제어하는컨트롤러를포함한다. 이에의하면, 다중비트처리가가능할뿐만아니라, 높은직접도를가진회로를구현할수 있다.
Abstract translation: 时，在源电极和漏电极上形成位场效应晶体管的按照本发明所形成的栅极绝缘膜在控制装置中的栅极绝缘膜，形成了多个通道，多个具有不同阈值电压，分别通道的在基板上形成在其间 所述第一栅电极和第二栅电极与所述第一栅电极和所述第二通过施加一个花枝电压，开/改变栅极电极的第一栅极电极任务第二栅电极之间的电势分布的断开所述多个信道的 如图所示。 据此，不仅可以进行多比特处理，而且可以实现具有高方向性的电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020180009587A
公开(公告)日：2018-01-29
申请号：KR1020160091492
申请日：2016-07-19
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/783 , H01L29/7815 , H01L29/7843 , H01L29/7846 , H01L29/7849
Abstract: 본발명에따른전계효과트랜지스터제어장치는, 전계효과트랜지스터및 컨트롤러를포함하고, 전계효과트랜지스터는, 기판상에형성된소스전극및 드레인전극, 소스전극및 드레인전극사이에형성된채널및, 채널상에형성된제1 게이트전극및 제2 게이트전극을포함하고, 컨트롤러는상기채널의위치, 상기제1 게이트전극에인가되는전압및 상기제2 게이트전극에인가되는전압중 적어도하나를조절하여상기전계효과트랜지스터의문턱전압을조절한다. 이에의하여, 게이트전극내에서발생하는전위분포를활용하여문턱전압을자유롭게조정할수 있기때문에, 다양한문턱전압을가진트랜지스터를구현할수 있다. 아울러, 문턱전압조정과정에서트랜지스터의누설전류가증가하거나동작전류의특성이저하되는일 없이, 게이트전극내에서발생하는전위분포를활용하기때문에, 플로팅바디구조의차세대트랜지스터에도적용이가능하며, 반도체공정을간소화시켜생산비용이절감된다.
Abstract translation: 根据本发明的控制装置的场效应晶体管，包括场效应晶体管，和一个控制器，所述场效应晶体管包括源极和漏极电极之间形成形成在基板和漏极电极上的源电极，形成在所述沟道上和信道 制品，其包括第一栅电极和第二栅电极，以及所述场效应晶体管的通过控制施加到所述电压和所述第二栅电极的电压中的至少一个，所述控制器在所述通道施加到位置时，第一栅电极 调整阈值电压。 因此，由于可以通过利用在栅电极中产生的电势分布来自由地调整阈值电压，所以可以实现具有各种阈值电压的晶体管。 另外，由于在阈值电压的调整处理的使用的晶体管的增加的漏电流的电势分布的，或者在栅电极而不使工作电流降低的特性产生的，它可以被应用于下一代浮体结构的晶体管，和一个半导体 该过程被简化并且生产成本降低。
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公开(公告)号：KR101801548B1
公开(公告)日：2017-11-27
申请号：KR1020160074876
申请日：2016-06-16
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/78 , H01L21/324 , H01L29/423 , H01L21/66
CPC classification number: H01L21/324 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 본발명에따른전계효과트랜지스터의손상복구시스템은기판, 기판상에형성된소스및 드레인, 소스및 드레인사이에형성된채널, 채널에형성된절연막및 절연막상에형성된 2개의게이트전극을포함하는전계효과트랜지스터및 2개의게이트전극에소정범위의전압을인가해줄열(joule heat)을발생시킴으로써절연막의손상을복구시키는컨트롤러를포함한다. 이에의하여, 방사선에의한손상을스스로복구할수 있기때문에, 방사선환경에서동작하는트랜지스터의수명을획기적으로연장할뿐만아니라, 오작동을감소시키고, 동작시간을연장시킬수 있게된다. 이는위성산업, 우주산업, 국방산업등에소요되는경제비용의감축으로이어질수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的系统包括：基板，该源极和漏极，源极和形成于所述基板上的漏电，包括形成在绝缘膜上的两个栅电极和形成在所述沟道场效应晶体管的绝缘膜和之间形成的通道中的场效应晶体管的灾难恢复 以及控制器，用于通过产生焦耳热来恢复绝缘膜的损伤，以将预定范围内的电压施加到两个栅电极。 结果，由于辐射引起的损害本身可以恢复，所以在辐射环境中工作的晶体管的寿命可以显着延长，故障可以减少，并且操作时间可以延长。 这可以降低卫星产业，航天工业和国防工业的经济成本。
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公开(公告)号：KR1020170067509A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：KR1020150174252
申请日：2015-12-08
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/108 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L21/02
Abstract: 본발명에따른다중비트커패시터리스디램은기판, 상기기판상에형성된소스및 드레인, 상기기판상에형성된복수의나노와이어채널, 상기복수의나노와이어채널에형성된게이트절연막및 상기게이트절연막상에형성된게이트를포함하고, 상기복수의나노와이어채널중 2개이상의나노와이어채널은서로다른문턱전압을가진다. 이에의하여, 상기구성을가진본 발명에따른커패시터리스디램및 그제조방법에의하면, 다중비트로동작할수 있는고집적도의다중비트커패시터리스디램을구현할수 있다.
Abstract translation: 在根据位无电容器动态随机存取存储器的，本发明在基板上形成，形成在基板上的源极，和漏极，所述栅极绝缘膜和形成在所述多个纳米线沟道的栅极绝缘膜，其特征在于，在基板上形成多个纳米线信道，所述栅极 其中多个纳米线沟道中的至少两个具有不同的阈值电压。 以这种方式，在无电容器动态随机存取存储器及其制造根据具有上述结构的本发明的相同的方法，可以实现多比特操作是高度集成的多比特无电容器DRAM那。
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公开(公告)号：KR1020160127508A
公开(公告)日：2016-11-04
申请号：KR1020150059010
申请日：2015-04-27
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H04L63/0209 , G06F21/74 , G06F21/75 , G09C1/00 , H01L23/57 , H01L29/78 , H04L9/3278 , H04L63/105 , H04L63/1408
Abstract: 하드웨어기반의선택적보안장치및 이를이용한보안방법이개시된다. 본발명에따른보안장치는, 소스전극, 드레인전극및 적어도두 개의전극으로구성된게이트전극을구비하는트랜지스터및 게이트전극에인가되는전압의크기를조절함으로써, 1단계보안상태또는 2단계보안상태를선택적으로설정하는컨트롤러를포함한다. 본발명에의하면, 기존의하드웨어보안방식에서요구되는별도의칩을위한추가공간이필요없기때문에공간의용이성과경제성을지닌, 복구가능한하드웨어기반의보안이가능해진다. 또한, 복구가능한보안상태와복구불가능한보안상태를선택적으로적용함으로써, 하드웨어기반의강화된보안방식을구현할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种基于硬件的选择性安全设备及使用该设备的安全方法。 根据本发明的安全装置控制施加到晶体管和包括由源电极，漏电极和至少两个电极组成的栅电极的栅电极的电压的大小，使得一级安全状态或两级安全状态， 如图所示。 根据本发明，在传统的硬件安全方法中不需要额外的空间用于单独的芯片，因此可以实现具有空间和经济性的可恢复的基于硬件的安全性。 另外，可以通过选择性地应用可恢复的安全状态和不可恢复的安全状态来实现基于硬件的增强安全方案。
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公开(公告)号：KR101617865B1
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：KR1020140108615
申请日：2014-08-20
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명에따르면, 실린더형접촉대전발전기에있어서, 스프링의각 마디에대전판을설치하고, 대전판의일면에는금속층을형성시키고, 타면에는폴리머층을형성시킨후, 스프링의종파운동을이용하여대전판상금속층과폴리머층의접촉에의한접촉대전발전을수행시킴으로써발전효율을높일수 있다. 또한, 실린더등의하우징내부에위치한스프링의접촉대전발전방식을이용함으로서외부에서발생하는흔들림이나진동을보다효과적으로전력발전에활용할수 있다.
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