양자광 소자 및 이의 제조방법
    11.
    发明公开
    양자광 소자 및 이의 제조방법 有权
    量子光学器件及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020160052511A

    公开(公告)日:2016-05-12

    申请号:KR1020160050952

    申请日:2016-04-26

    Inventor: 조용훈 공수현

    Abstract: 본발명은양자광소자및 이의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 기판; 상기기판상에형성된 n-형질화갈륨반도체층; 및상기 n-형질화갈륨반도체층상의적어도일부분에형성된나노구조체층을포함하고, 상기나노구조체층은, 나노구조체; 및상기나노구조체및 상기 n-형질화갈륨반도체의적어도일부분을덮는금속층을포함하고, 상기나노구조체는원뿔또는다각형뿔형상의상단을갖는나노구조체이며, 상기상단의적어도일부분에양자구조로이루어진활성층을포함하는양자광소자및 이의제조방법에관한것이다. 상기양자광소자는양자구조의광추출효율이높고, 양자구조와나노공진기의결합이용이하여양자광소자의생산효율을향상시킬수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种量子光学器件及其制造方法。 更具体地说,量子光学器件包括:衬底; 在该基板上形成的n型氮化镓半导体层; 以及形成在n型氮化镓半导体层的至少一部分上的纳米结构层。 纳米结构层包括纳米结构; 以及覆盖n型氮化镓半导体层和纳米结构的至少一部分的金属层。 纳米结构的上部是圆锥形或多边形的,并且在量子结构中形成的有源层被包括在上部的至少一部分中。 量子光学器件能够具有量子结构的高光提取效率,并且通过容易地将量子结构与纳米谐振器组合来提高量子光学器件的生产效率。

    발광 다이오드 및 이의 제조방법
    12.
    发明授权
    발광 다이오드 및 이의 제조방법 有权
    发光二极管及其制造方法

    公开(公告)号:KR101580270B1

    公开(公告)日:2016-01-04

    申请号:KR1020140050478

    申请日:2014-04-28

    Abstract: 본발명은발광다이오드및 이의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 기판; 상기기판상에형성된 n-형질화갈륨반도체층; 상기 n-형질화갈륨반도체층상의적어도일부분에형성되고, 복수개의 3차원구조체를포함하는 3차원구조체층; 및상기 3차원구조체층상에형성된 p-형질화갈륨반도체층을포함하며, 상기복수개의 3차원구조체중 적어도하나는, 원뿔, 다각형뿔, 원기둥, 다각형기둥, 원형의링, 다각형의링, 평평한상부를갖도록잘린형태의원뿔, 다각형뿔, 원형의링 및다각형의링 형태의 3차원구조체중 1종이상을포함하는발광다이오드, 및이의제조방법에관한것이다. 본발명은형광체없이백색표현이가능하고우수한연색성조절및 발광효율을나타낼수 있다.

    빛의 산란을 이용한 근접장 제어 장치 및 방법
    13.
    发明公开
    빛의 산란을 이용한 근접장 제어 장치 및 방법 有权
    用于使用散射控制来处理近场的方法和装置

    公开(公告)号:KR1020150003077A

    公开(公告)日:2015-01-08

    申请号:KR1020130123823

    申请日:2013-10-17

    CPC classification number: G01Q60/22 B82Y35/00 G01Q10/065

    Abstract: 광원으로부터나오는빛이산란층을통과하여나오는면의근접장빛을제어하는장치가개시된다. 본발명은상기면의근접장을제어하기위해서빛의산란을이용하여목표지점에보강간섭을만드는입사하는빛의위상을찾는방법이개시된다.

    Abstract translation: 公开了一种用于操纵通过散射层从表面出来的近场光的装置。 本发明提供了一种用于找到入射光的相位的方法,其通过使用散射光对目标点产生建设性的干扰,以便操纵表面的近场。

    광소자의 내부양자효율 및 재결합율을 산출하는 방법
    14.
    发明授权
    광소자의 내부양자효율 및 재결합율을 산출하는 방법 有权
    提取内部量子效率和光学器件重构速率的方法

    公开(公告)号:KR101194349B1

    公开(公告)日:2012-10-25

    申请号:KR1020110002987

    申请日:2011-01-12

    Inventor: 조용훈 노태무

    Abstract: 본 발명은 광소자의 내부양자효율을 산출하는 방법에 있어서, (a) 시료를 여기하는 레이저 여기 광출력(
    P
    laser )의 변화에 따라 시료로부터 방출된 PL의 적분 강도(
    I
    PL )의 변화를 획득하는 단계와, (b) 적분된 PL 강도(
    I
    PL )에 대한 레이저 여기 광출력(
    P
    laser ) 관계의 식(1)으로부터 피팅하여 파라미터 P
    2 를 구하는 단계와, (c) 레이저 광출력(
    P
    laser )과 적분된 PL 강도(
    I
    PL )를 도출함으로써 내부양자효율을 구하는 단계를 구비하는 단계를 제공한다. 또한, 피팅으로부터 파라미터
    P
    1 및
    P
    3 을 추가로 획득할 수 있는데, 이를 이용하여 광소자의 다양한 발광 및 비발광 재결합율에 대한 상대적 비율을 산출하는 할 수 있는 방법을 제공한다.

    선주사 방식을 이용한 공초점 레이저 주사 현미경 시스템에 적용하기 위한 영상처리 장치 및 방법
    15.
    发明授权
    선주사 방식을 이용한 공초점 레이저 주사 현미경 시스템에 적용하기 위한 영상처리 장치 및 방법 失效
    使用线扫描方式的共焦激光扫描显微镜系统的设备和方法

    公开(公告)号:KR101075155B1

    公开(公告)日:2011-10-19

    申请号:KR1020090095013

    申请日:2009-10-07

    Inventor: 조용훈

    Abstract: 본발명은샘플에서반사되는선초점형태의빔을입사시켜공간적또는시간적으로복수개의빔으로분리하고분리된각 빔을서로다른공간적영역에서투과영역을가지도록한 다음이들을합성하여이미지를획득하는선주사방식을이용한공초점레이저주사현미경시스템에적용하기위한영상처리장치및 방법에관한것으로, 본발명에의하면, 기존에적용된불안정하고복잡한이미지프로세싱이필요없으며, 초고속영상획득속도와고해상도의장점을동시에가질수 있는효과가있다.

    2방향 선주사 방식을 적용한 공초점 레이저 주사 현미경 및 이를 이용한 영상처리 방법
    16.
    发明授权
    2방향 선주사 방식을 적용한 공초점 레이저 주사 현미경 및 이를 이용한 영상처리 방법 失效
    共焦激光扫描显微镜应用两线方向扫描方式及其图像处理方法

    公开(公告)号:KR101064672B1

    公开(公告)日:2011-09-20

    申请号:KR1020090076324

    申请日:2009-08-18

    Abstract: 본 발명은 레이저빔을 조사하는 광원과, 상기 광원으로부터 조사된 레이저빔을 수평 및 수직편광 빔으로 분리하는 제1 편광 빔분리기와, 상기 제1 편광 빔분리기로부터 각각 분리된 수평 및 수직편광 빔을 원형편광 빔으로 변환하는 제1 및 제2 위상차판과, 상기 제1 및 제2 위상차판으로부터 각각 변환된 원형편광 빔을 서로 직각인 2방향의 서로 다른 선초점 형태의 빔으로 출력하는 제1 및 제2 렌즈와, 상기 제1 및 제2 렌즈로부터 각각 출력된 선초점 형태의 빔을 수직방향으로 경로를 변경시켜 주사하는 제1 및 제2 스캐너와, 상기 제1 및 제2 스캐너로부터 각각 주사된 빔이 샘플 방향으로 진행하도록 경로를 변환하는 빔분리기와, 상기 빔분리기와 상기 샘플 사이에 배치되어, 입사되는 빔을 집속시키는 대물렌즈와, 상기 제1 편광 빔분리기와 상기 제1 및 제2 위상차판 사이에 각각 배치되며, 상기 샘플에서 반사되어 최초 입사된 광 경로를 따라 되돌아오는 반사빔이 제1 및 제2 영상획득장치 방향으로 진행하도록 경로를 변환하는 제2 및 제3 편광 빔분리기를 포함함으로써, 초고속 영상 획득속도와 고해상도의 장점을 동시에 가질 수 있는 효과가 있다.
    공초점 레이저 주사 현미경, 레이저빔, 편광 빔분리기, 대물렌즈

    웨이퍼 레벨 전사를 이용한 중/소형 디스플레이의 대량 제조방법 및 대형 디스플레이 제조 방법

    公开(公告)号:KR102243109B1

    公开(公告)日:2021-04-22

    申请号:KR1020190079451

    申请日:2019-07-02

    Abstract: 본발명은, 웨이퍼레벨전사를이용한중/소형디스플레이의대량제조방법및 대형디스플레이에관한것으로, 보다구체적으로, 웨이퍼레벨의마이크로-LED 어레이를제조하는단계; 상기복수개의웨이퍼레벨의마이크로-LED 어레이를웨이퍼레벨전사공정으로디스플레이기판상에전사하는단계; 상기전사된마이크로-LED 어레이상에평탄층을형성하여평탄화하는단계; 상기평탄층에비아홀을형성하는단계; 및상기평탄화된마이크로-LED 어레이상에 TFT 어레이를배열및 증착하여마이크로-LED 어레이와 TFT 어레이를집적하는단계;를포함하는, 중/소형디스플레이의대량제조방법및 대형디스플레이에관한것이다.

    발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
    20.
    发明公开
    발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지 审中-实审
    发光器件和发光器件封装

    公开(公告)号:KR1020170073925A

    公开(公告)日:2017-06-29

    申请号:KR1020150182713

    申请日:2015-12-21

    Abstract: 실시예는기판; 및상기기판상에배치되고, 제1 도전형반도체층과활성층및 제2 도전형반도체층을포함하는복수개의제1 발광구조물과복수개의제2 발광구조물을포함하고, 상기제1 발광구조물은상기기판상의제1 영역에배치되고, 상기제2 발광구조물은상기기판상의상기제1 영역둘레의제2 영역에배치되며, 상기제1 발광구조물은제1 파장영역의광을방출하고, 상기제2 발광구조물은상기제1 파장보다단파장인제2 파장영역의광을방출하는발광소자를제공한다.

    Abstract translation: 一个实施例包括衬底; 以及设置在所述基板上的多个第一发光结构和多个第二发光结构,所述第一发光结构包括第一导电型半导体层,有源层和第二导电型半导体层, 其中,第一发光结构设置在基板上的第一区域中,第二发光结构设置在基板上的第一区域周围的第二区域中,第一发光结构发射第一波长区域中的光, 并且发光结构发射具有比第一波长短的波长的光。

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