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公开(公告)号：WO2022030884A1
公开(公告)日：2022-02-10
申请号：PCT/KR2021/009918
申请日：2021-07-29
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/788 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/66 , H01L29/08
Abstract: 스팁-슬롭 전계 효과 트랜지스터와 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 스팁-슬롭 전계 효과 트랜지스터는 기판 상에 형성되는 소스, 채널 영역과 드레인; 상기 채널 영역 상부에 형성되는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상부에 형성되는 플로팅 게이트; 상기 플로팅 게이트 상부에 형성되는 전이층; 및 상기 전이층 상부에 형성되는 컨트롤 게이트를 포함하고, 상기 스팁-슬롭 전계 효과 트랜지스터는 상기 컨트롤 게이트에 기준 전위 이상을 인가하여 상기 플로팅 게이트에 저장된 적어도 하나의 전하를 방출 또는 반입시킬 수 있다.
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公开(公告)号：WO2019245106A1
公开(公告)日：2019-12-26
申请号：PCT/KR2018/010880
申请日：2018-09-17
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L27/11573
Abstract: 셀 신뢰성 향상을 위한 수직 집적형 삼차원 플래시메모리 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 수직 집적형 삼차원 플래시메모리는 기판 상에 제1 절연층과 제2 절연층을 순차적으로 적층하여 복수의 절연층들을 형성하는 단계; 상기 기판의 일부 영역이 노출되도록 상기 복수의 절연층들의 일부 영역을 식각하는 단계; 상기 식각된 상기 복수의 절연층들의 측면 상부와 상기 기판 상부에 채널층을 형성하는 단계; 상기 채널층 상부에 제1 마카로니층을 형성하는 단계; 및 측면과 하부면이 상기 제1 마카로니층에 둘러싸이도록 상기 제1 마카로니층 상부에 제2 마카로니층을 형성하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2018080004A1
公开(公告)日：2018-05-03
申请号：PCT/KR2017/009588
申请日：2017-09-01
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/66 , H01L27/02 , H01L29/423 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/02 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L29/78
Abstract: 정방향 바이어스 전류를 이용한 전계 효과 트랜지스터의 게이트 절연막 손상을 복구하는 방법이 제공된다. 상기 게이트 절연막 손상을 복구하는 방법은, 기판, 상기 기판 내에 형성된 소스 및 드레인 영역, 상기 기판 내에, 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역을 연결하도록 형성된 채널 영역, 상기 채널 영역 상에 형성된 게이트 절연막, 및 상기 게이트 절연막 상에 형성된 게이트 구조체를 포함하는 전계 효과 트랜지스터에 있어서, 상기 소스 영역과 상기 기판의 바디 사이에 제1 정방향 바이어스(forward bias) 전압을 인가하여 발생하는 제1 정방향 바이어스 전류에 의한 제1 줄열(joule heat)을 이용하거나, 상기 드레인 영역과 상기 기판의 바디 사이에 제2 정방향 바이어스 전압을 인가하여 발생하는 제2 정방향 바이어스 전류에 의한 제2 줄열을 이용하여, 상기 게이트 절연막에 발생한 손상을 치유한다.
Abstract translation: 提供了一种使用正向偏置电流修复对场效应晶体管的栅极绝缘膜的损伤的方法。 形成在衬底中的源极区和漏极区;形成在衬底中以连接源极区和漏极区的沟道区;形成在沟道区上的栅极绝缘膜; 在场效应晶体管，其包括形成在栅极绝缘膜上的栅极结构，第一焦耳热根据通过施加第一正向偏置产生的第一正向偏置电流（正向偏压）的电压在源极区和所述衬底的所述体之间施加 根据漏区和衬底的主体之间施加第二正向偏置电压产生的第二正向偏置电流（焦耳热）使用，或使用第二焦耳热，在栅极绝缘膜中产生损坏固化
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公开(公告)号：KR102223265B1
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020190059884
申请日：2019-05-22
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L45/00 , H01L29/772 , H01L29/423 , H01L29/36
Abstract: 본발명은단일트랜지스터의부유바디층에전하를저장및 방출하여뉴런의스파이크동작을구현하는단일트랜지스터의구조와동작방법및 이를이용한뉴로모픽시스템에관한것으로, 기판상에형성되는정공배리어물질층, 상기정공배리어물질층상에형성되며, 전하를저장하는부유바디층(floating body), 상기부유바디층의양측에형성된소스및 드레인, 상기부유바디층상에형성되어상기부유바디층을둘러싸는게이트절연막및 상기게이트절연막상에형성된게이트를포함한다.
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公开(公告)号：KR102161383B1
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：KR1020190096111
申请日：2019-08-07
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/02 , H01L21/768 , H01L21/8234 , H01L29/66 , H01L29/423
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101917284B1
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：KR1020170001299
申请日：2017-01-04
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H02N1/04
Abstract: 본발명은에너지발전장치및 그제작방법에관한것이다. 개시된에너지발전장치는옷감등으로사용할수 있는천에에너지를발생하는발전기가일체로제작되며, 웨어러블장치등의전력원으로사용될경우에는웨어러블장치에내장된전자기기들에게반영구적으로전력을공급할수 있다. 아울러, 열전발전기와접촉대전발전기를천에함께일체화할경우에는열전발전기가신체의체온을에너지로발전시키고, 접촉대전발전기가신체의움직임을에너지로발전시키기에, 친환경적으로에너지를생산할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020180080508A
公开(公告)日：2018-07-12
申请号：KR1020170001299
申请日：2017-01-04
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H02N1/04
Abstract: 본발명은에너지발전장치및 그제작방법에관한것이다. 개시된에너지발전장치는옷감등으로사용할수 있는천에에너지를발생하는발전기가일체로제작되며, 웨어러블장치등의전력원으로사용될경우에는웨어러블장치에내장된전자기기들에게반영구적으로전력을공급할수 있다. 아울러, 열전발전기와접촉대전발전기를천에함께일체화할경우에는열전발전기가신체의체온을에너지로발전시키고, 접촉대전발전기가신체의움직임을에너지로발전시키기에, 친환경적으로에너지를생산할수 있다.
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公开(公告)号：KR101838912B1
公开(公告)日：2018-03-15
申请号：KR1020160129674
申请日：2016-10-07
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/66 , H01L27/02 , H01L29/423 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/02 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L29/66954 , H01L27/0222 , H01L27/0285 , H01L29/4232
Abstract: 정방향바이어스전류를이용한전계효과트랜지스터의게이트절연막손상을복구하는방법이제공된다. 상기게이트절연막손상을복구하는방법은, 기판, 상기기판내에형성된소스및 드레인영역, 상기기판내에, 상기소스영역과상기드레인영역을연결하도록형성된채널영역, 상기채널영역상에형성된게이트절연막, 및상기게이트절연막상에형성된게이트구조체를포함하는전계효과트랜지스터에있어서, 상기소스영역과상기기판의바디사이에제1 정방향바이어스(forward bias) 전압을인가하여발생하는제1 정방향바이어스전류에의한제1 줄열(joule heat)을이용하거나, 상기드레인영역과상기기판의바디사이에제2 정방향바이어스전압을인가하여발생하는제2 정방향바이어스전류에의한제2 줄열을이용하여, 상기게이트절연막에발생한손상을치유한다.
Abstract translation: 提供了一种使用正向偏置电流修复场效应晶体管的栅极绝缘膜的损伤的方法。 形成在衬底中的源极区和漏极区;形成在衬底中以连接源极区和漏极区的沟道区;形成在沟道区上的栅极绝缘膜; 在场效应晶体管，包括形成在所述栅极绝缘膜上的栅极结构，第一焦耳热根据通过施加第一正向偏置产生的第一正向偏置电流（正向偏压）的电压在源极区和所述衬底的所述体之间施加 根据漏区和衬底的主体之间施加第二正向偏置电压产生的第二正向偏置电流（焦耳热）使用，或使用第二焦耳热，在栅极绝缘膜中产生损坏固化 的。
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