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公开(公告)号：KR101918263B1
公开(公告)日：2018-11-14
申请号：KR1020170108199
申请日：2017-08-25
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , G09G3/32
Abstract: 본발명은드라이버일체형디스플레이패널에관한것으로서, 더욱상세하게는디스플레이패널을여러개 결합하여대형디스플레이를구현시, 디스플레이사이의시임(seam) 영역을감소시킬수 있는드라이버일체형디스플레이패널에관한것이다. 본발명에따른드라이버일체형디스플레이패널은일 측디스플레이패널의가장자리메인기판영역과이에인접하도록배치되는타 측디스플레이패널의가장자리메인기판영역을 LED의배치간격과대응되는간격만큼으로이격시킬수 있어디스플레이패널들사이의시임을기존에비해현저하게줄일수 있고, 이러한특징을통해시임의대형디스플레이를용이하게구현할수 있는장점이있다.
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公开(公告)号：KR101899253B1
公开(公告)日：2018-10-31
申请号：KR1020170086311
申请日：2017-07-07
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0304 , H01L31/054 , H01L31/18 , H01L31/0445
CPC classification number: H01L31/03926 , H01L31/03046 , H01L31/0445 , H01L31/0543 , H01L31/18 , Y02E10/549
Abstract: 본발명은스트레처블한소재에집광형태양전지와광 가이드소재를설치하여집광효율을증가시키고, 디자인자유도를향상시킬수 있는스트레처블집광형태양전지및 이의제조방법을제공하는것을목적으로한다. 이를위해, 본발명은스트레처블기재부와광 가이드기재부로이루어진기재층; 상기광 가이드기재부에설치한태양전지셀; 상기태양전지셀이밀폐되도록절연하는절연층; 및상기절연층에태양전지셀과전기적으로연결하는배선층을포함한다. 따라서, 본발명은스트레처블한소재에집광형태양전지와광 가이드소재를설치하여집광효율을증가시킬수 있고, 스트레처블한특징을통해디자인자유도를향상시켜다양한곳에사용할수 있는장점이있다.
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公开(公告)号：KR1020180092057A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：KR1020170017363
申请日：2017-02-08
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01L33/0008 , H01L33/02 , H01L33/58 , H01L2924/12041 , H01L2933/0033
Abstract: 본발명은고효율마이크로 LED 구조체에관한것으로서, 더욱상세하게는광추출효율을높일수 있는질화물반도체를이용한고효율마이크로 LED 구조체에관한것이다. 상기와같은목적을달성하기위한본 발명에따른고효율마이크로 LED 구조체는기판부와; 상기기판부의상부에형성되는 n-GaN층과, 상기 n-GaN층의상부에형성되는활성층과, 상기활성층의상부에형성되는 p-GaN층을포함하는 GaN계에피층;을구비하고, 상기 GaN계에피층은상방으로볼록한렌즈형상으로형성되고, 상하두께가하단의반지름과같거나크게형성된것을특징으로한다. 본발명에따른고효율마이크로 LED 구조체는 GaN LED 소자자체를마이크로미터크기의곡면을가지는렌즈형으로제조함으로써소자의면을통해효과적으로광을추출할수 있는장점이있다.
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公开(公告)号：KR101876008B1
公开(公告)日：2018-07-09
申请号：KR1020150191022
申请日：2015-12-31
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L25/16 , H01L25/075 , H01L33/40 , H01L33/48 , F21K99/00 , H01L21/677
Abstract: 본발명은 LED 모듈을지지기판에부착하고자외선흡수층과접착력이약한패시베이션층을이용하여 LED 모듈을다른기판으로쉽게이송할수 있는 LED 구조체및 이의전사방법을제공하는것을목적으로한다. 이를위해, 본발명은 p-n 접합구조를갖는복수의 LED 모듈이메탈본딩층을통해지지기판과접착되고, 일정파장범위의광에의해상기지지기판과의접착력이약해지면, 상기접착된 LED 모듈이상기지지기판에서개별또는어레이형태로분리되도록한다. 따라서본 발명은 LED 모듈을지지기판에부착하고자외선흡수층과접착력이약한패시베이션층을이용하여분리함으로써, LED 모듈을다른기판으로쉽게전사할수 있는장점이있다.
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公开(公告)号：KR101867568B1
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：KR1020160132318
申请日：2016-10-12
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본발명은이미지센서자동화이트밸런스기반공간색온도추정시스템에관한것으로서, 영상을촬상하는이미지센서와, 이미지센서에서출력되는영상정보를 Ycbcr 색공간정보로변환하는색공간변환부와, 색공간변환부에의해변환된 Ycbcr색공간정보에대해화이트밸런스를조정하기위한컬러이득을산출하고, 산출된컬러이득에따라화이트밸런스를조정하는화이트밸런스조정부와, 광원의거리및 조도값을입력할수 있도록된 입력부와, 광원의거리및 조도값과컬러이득에대응되는색온도가기록된룩업테이블과, 입력부에입력된광원의거리및 조도값과화이트밸런스조정부에서적용한컬러이득에대응되는색온도값을룩업테이블에기록된정보를이용하여산출하는색온도검출부를구비한다. 이러한이미지센서자동화이트밸런스기반공간색온도추정시스템에의하면, 화이트밸런스처리를위해적용한컬러이득정보에대응되어미리실험에의해구해져룩업테이블에기록된정보를이용하여색온도를산출할수 있어색온도검출오차를감소할수 있는장점을제공한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170120795A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：KR1020160049120
申请日：2016-04-22
Applicant: 조선대학교산학협력단 , 한국광기술원
IPC: C30B25/04 , C01G39/06 , C30B29/46 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: C30B25/04 , C01G39/06 , C30B29/46 , H01L21/02598 , H01L21/0274 , H01L21/205 , H01L2924/01042 , H01L2924/10722
Abstract: 본발명은단결정이황화몰리브덴박막의제조방법에대한것으로, 보다구체적으로는단결정이황화몰리브덴박막을기판상에원하는위치및 두께로형성할수 있으며, 이를이용하여박막트랜지스터를제조할수 있는방법에관한것이다. 본발명의단결정이황화몰리브덴박막의제조방법에의하면성장위치를제어함으로써고품질단결정의이황화몰리브덴을제조할수 있는효과가있다. 또한, 본발명의박막트랜지스터의제조방법에의하면단결정이황화몰리브덴박막의성장두께및 위치를제어하여매트릭스정렬위치를조절할수 있어플렉시블디스플레이에적용가능한박막트랜지스터를제조할수 있는효과가있다.
Abstract translation: 本发明的用于二硫化钼的单晶薄膜的制造方法，并且更具体euroneun和被形成为期望的位置和二硫化钼薄膜的衬底上的单晶的厚度，就可以通过使用此制造薄膜晶体管的方法。 根据本发明它具有能够通过控制生长位置制造的二硫化钼的高品质的单晶的效果的二硫化钼的单晶薄膜的制造方法。 此外，根据本发明的薄膜晶体管的制造过程中，可以通过控制二硫化钼的单晶薄膜的生长厚度和位置调整矩阵的取向具有可以产生能的薄膜晶体管施加到柔性显示器的效果。
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公开(公告)号：KR101618244B1
公开(公告)日：2016-05-09
申请号：KR1020140193853
申请日：2014-12-30
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/50
Abstract: 본발명은 3D 프린팅방법을이용하여형광체의두께및 색좌표의균일성을개선할수 있는백색발광다이오드의제조방법에관한것으로, 형광체와가시광영역에서광투과율이높은레진재료로이루어진필라멘트를이용한 3D 프린팅에의해 LED 칩상부의적어도일부를코팅하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明涉及通过使用3D打印方法能够提高荧光体的厚度均匀性和色坐标的白色发光二极管的制造方法。 根据本发明，通过利用由荧光体和可见光区域中的具有高透光率的树脂材料构成的细丝的3D打印方法来涂覆LED芯片的上部的至少一部分。
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公开(公告)号：KR101480537B1
公开(公告)日：2015-01-09
申请号：KR1020130109966
申请日：2013-09-12
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01L33/62 , H01L27/156 , H01L33/20 , H01L33/382
Abstract: 본 발명의 일 실시예는 복수 개의 발광 다이오드 셀 및 상기 복수 개의 발광 다이오드 셀 중 서로 인접한 발광 다이오드 셀을 전기적으로 연결하는 도전성 브릿지를 포함하고, 상기 복수 개의 발광 다이오드 셀의 각각은, 제1 질화물계 반도체층, 상기 제1 질화물계 반도체층의 상부에 배치되는 제2 질화물계 반도체층 및 상기 제1 질화물계 반도체층과 제2 질화물계 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 구비하는 구조물, 상기 구조물의 하부로부터 연장되어 상기 제2 질화물계 반도체층과 접촉하고, 상기 제1 질화물계 반도체층 및 활성층과 절연되는 제2 도전성 콘택부 및 상기 제1 질화물계 반도체층과 접하고, 상기 제2 도전성 콘택부와 이격되도록 형성된 제1 도전성 콘택부를 포함하는 발광 다이오드 장치를 개시한다.
Abstract translation: 本发明的一个实施例包括多个发光二极管单元，以及将发光二极管单元之间相邻的发光二极管单元电连接的导电桥。 每个发光二极管单元包括包括第一氮化物半导体层，布置在第一氮化物半导体层的上部的第二氮化物半导体层和布置在第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层之间的有源层的结构; 第二导电接触部分，其从结构的下部延伸并接触第二氮化物半导体层，并与第一氮化物半导体层和有源层绝缘; 以及与第一氮化物半导体层接触并与第二导电接触部分分离的第一导电接触部。
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公开(公告)号：KR1020140079115A
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：KR1020120148729
申请日：2012-12-18
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01L33/50 , H01L33/04 , H01L33/486 , H01L33/52
Abstract: The present invention relates to a light emitting device and a manufacturing method thereof. The light emitting device comprises: a PCB substrate on which an electrode connection part is formed; an LED chip of which an electrode formation surface is arranged toward the PCB substrate; and a fluorescent body layer formed on a substrate of the LED chip. According to the present invention, a space, needed for mounting the LED chip on the PCB substrate on which the electrode connection part is formed, is small. Therefore, a package can: have a large capacity; be miniaturized; and reduce the power consumption.
Abstract translation: 发明装置及其制造方法技术领域本发明涉及发光装置及其制造方法。 发光器件包括：PCB基板，其上形成有电极连接部分; 将其电极形成面朝向PCB基板配置的LED芯片; 以及形成在所述LED芯片的基板上的荧光体层。 根据本发明，在形成有电极连接部的PCB基板上安装LED芯片所需的空间很小。 因此，包装可以：具有大容量; 小型化; 并降低功耗。
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公开(公告)号：KR1020140034348A
公开(公告)日：2014-03-20
申请号：KR1020120096785
申请日：2012-08-31
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L2933/0008
Abstract: The present invention is to disclose a light emitting diode and a method of manufacturing the same, which comprise: a reflection electrode layer; a lamination formed on the reflection electrode layer and having an n-type III-nitride group semiconductor layer, a p-type III-nitride group semiconductor layer, and an activating layer formed between the n-type III-nitride group semiconductor layer and the p-type III-nitride group semiconductor layer; a translucent conductive substrate formed on the lamination and having zinc oxide (ZnO); and a pad portion formed on the opposite side of the surface facing the lamination among the transparent conductive substrate, wherein the angle of adjacent sides among a plurality of sides of the lamination is less than 90 degrees or more than 90 degrees.
Abstract translation: 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，它包括：反射电极层; 形成在反射电极层上并具有n型III族氮化物半导体层，p型III族氮化物半导体层和在n型III族氮化物半导体层和 p型III族氮化物半导体层; 形成在层叠上并具有氧化锌（ZnO）的半透明导电基板; 以及形成在所述透明导电性基板的面对所述层叠体的面的相对侧的垫部，所述层叠体的多个侧面中的相邻侧的角度小于90度以上且90度以下。
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