公开(公告)号：KR100627703B1

公开(公告)日：2006-09-26

申请号：KR1020040105704

申请日：2004-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 권오균 ,  박미란 ,  한원석 ,  김종희 ,  송현우

IPC: H01S5/30

CPC classification number: H01S5/18316 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/18375 ,  H01S5/18377

Abstract: 본 발명은 반도체 광소자 중 표면방출 레이저 제작방법에 관한 것으로 화합물 반도체 기판 위에 거울층과 활성층으로 구성된 에피 구조를 유전체 거울층과 결합하고, 이를 다시 새로운 기판 위에 금속접합 방법으로 결합한 후 기존 기판을 제거한 후 새로운 기판 위에서 표면방출 레이저를 제작하는 방법에 관한 기술을 개시한다. 이러한 기술은 표면방출 레이저를 구성하는 상부 거울 및 하부 거울과 활성층에 전기적, 광학적 영향없이 표면방출 레이저 구조를 외부적인 금속접합 방법으로 새로운 기판에 옮겨 붙여 제작하는 방법으로, 기존의 표면방출 레이저의 제작방법을 이용하면서 열적 특성이 우수한 새로운 기판으로 옮겨 제작함으로써 우수한 열 방출 특성을 얻게 하여, 궁극적으로 제작이 용이하면서 신뢰성이 높으며, 우수한 특성의 표면방출 레이저 제작을 가능하게 한다.
표면방출 레이저(Vertical Cavity Surface Emitting Lasers, VCSELs), 금속접합(metallic bonding), 화합물 반도체(compound semiconductor), 유전체 거울층(dielectric mirror), 반도체 거울층(semiconductor Distributed Brag reflector, DBR), 습식선택 식각, 건식선택 식각

公开(公告)号：KR100527108B1

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：KR1020030085359

申请日：2003-11-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송현우 ,  한원석 ,  김종희 ,  주영구 ,  권오균 ,  박상희

IPC: H01S5/18

CPC classification number: H01S5/18341 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/18305 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18363

Abstract: 본 발명은 반도체 반사경 또는 광학 필터로 이용될 수 있는 반도체 광소자의 제작 방법에 대해 개시한다. 에칭비가 서로 다른 두가지 이상의 반도체층들을 교대로 적층한 후 적어도 한 종류의 반도체층들을 선택적으로 에칭하여 에어갭(air gap)을 형성하고, 에어갭이 매립되도록 열전달 특성이 양호한 산화물 혹은 질화물을 증착한다. 에어갭에 매립된 산화물 혹은 질화물과 반도체층의 큰 굴절률 차이로 인하여 적은 주기로도 효과적으로 높은 반사율을 갖는 반도체 반사경 또는 광학 필터를 구현할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020020058637A

公开(公告)日：2002-07-12

申请号：KR1020000086751

申请日：2000-12-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 주영구 ,  유병수 ,  권오균

IPC: H01S5/18

CPC classification number: B82Y20/00 ,  B82Y10/00 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0267 ,  H01S5/18

Abstract: PURPOSE: A laser device incorporating thereinto an astigmatic micro-lens is provided to correct a difference between cutoff angles due to an asymmetric of a laser mode. CONSTITUTION: A laser device incorporating thereinto an astigmatic micro-lens includes a distributed Bragg mirror(13) formed on a top surface of a substrate(10), an active medium(12) formed on a top surface of the distributed Bragg mirror(13), a mirror(11) formed in such a way that the mirror(11) is inclined at a predetermined angle with coexisting in the same plane of the active medium(12) and an astigmatic micro lens(14) formed on a bottom surface of the substrate(10). In the laser device, the astigmatic micro-lens is used to correct a difference between the angles of radiation of a light beam radiated from the bottom surface of the substrate(10) through the distributed Bragg mirror(13).

Abstract translation: 目的：提供一种结合有散光微透镜的激光装置，用于校正由于激光模式不对称而导致的截止角之间的差异。 构成：其中结合有像散微透镜的激光装置包括形成在基板（10）的顶表面上的分布式布拉格反射镜（13），形成在分布式布拉格镜（13）的顶表面上的有源介质 ），反射镜（11），其形成为使得反射镜（11）以共存于活性介质（12）的同一平面中的预定角度倾斜，并且形成在底表面上的像散微透镜（14） 的衬底（10）。 在激光装置中，散光微透镜用于校正通过分布式布喇格镜（13）从衬底（10）的底表面辐射的光束的辐射角之间的差异。

公开(公告)号：KR1020020046465A

公开(公告)日：2002-06-21

申请号：KR1020000076661

申请日：2000-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유병수 ,  권오균 ,  주영구

IPC: H01S5/30

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18316 ,  H01S5/18333 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2072 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/34306 ,  H01S2301/176

Abstract: PURPOSE: A long wavelength surface emitting laser device having a diffusion area on both end parts of an upper mirror layer and a method for fabricating the same are provided to prevent a loss of absorption of a p type doping layer within a resonator and reduce a scattering loss of a mirror layer and a carrier loss by controlling efficiently current flow. CONSTITUTION: A lower mirror layer(22) is formed on an n type InP semiconductor substrate(21). An active layer(23) is formed on the lower mirror layer(22). The active layer(23) is formed with a quantum well layer and a spatial layer. An electron leakage barrier(24) is formed on the active layer(23). A current induction layer(25) is formed on the electron leakage barrier(24). A current expansion layer(26) is formed on the current induction layer(25). The current expansion layer(26) is formed by a p type semiconductor layer. An upper mirror layer(27) is formed on the current expansion layer(26). A Zn diffusion layer(28) is formed on end parts of the upper mirror layer(27). An insulating layer(29) is used for forming an air layer among the current expansion layer(26), the current induction layer(25), and the current leakage barrier(24). The first metallic line(31) is connected with the upper mirror layer(27). The second metallic line(32) is connected with a back side of the n type InP semiconductor substrate(21).

Abstract translation: 目的：提供一种在上镜面层的两端部具有扩散区域的长波长表面发射激光器件及其制造方法，以防止谐振器内的p型掺杂层的吸收损失并降低散射损耗 的镜面层和载流子损失。 构成：在n型InP半导体衬底（21）上形成下镜层（22）。 活性层（23）形成在下镜层（22）上。 活性层（23）由量子阱层和空间层形成。 在有源层（23）上形成电子泄漏势垒（24）。 电子感应层（25）形成在电子泄漏屏障（24）上。 在电流感应层（25）上形成电流膨胀层（26）。 电流膨胀层（26）由p型半导体层形成。 在电流膨胀层（26）上形成上镜层（27）。 在上镜层（27）的端部形成有Zn扩散层（28）。 绝缘层（29）用于在电流膨胀层（26），电流感应层（25）和漏电屏障（24）之间形成空气层。 第一金属线（31）与上镜层（27）连接。 第二金属线（32）与n型InP半导体衬底（21）的背面连接。

公开(公告)号：KR1020010048135A

公开(公告)日：2001-06-15

申请号：KR1019990052687

申请日：1999-11-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 신재헌 ,  유병수 ,  권오균 ,  백종협

IPC: H01L21/3065

Abstract: PURPOSE: A reactive ion etching method of a compound semiconductor is provided to reduce optical loss by forming a smooth etching surface, and to improve productivity in manufacturing an optical device by having etch rate which is not too slow. CONSTITUTION: Photoresist or silicon nitride is formed as an etching mask on a multilayered thin film of a compound semiconductor. The multilayered thin film of the compound semiconductor is etched in mixture gas plasma of BCl3, Cl2, CH4 and H2 by a reactive ion etching(RIE) method.

Abstract translation: 目的：提供化合物半导体的反应离子蚀刻方法，通过形成平滑的蚀刻表面来减少光学损耗，并且通过具有不太慢的蚀刻速率来提高制造光学器件的生产率。 构成：在化合物半导体的多层薄膜上形成光刻胶或氮化硅作为蚀刻掩模。 通过反应离子蚀刻（RIE）方法在BCl 3，Cl 2，CH 4和H 2的混合气体等离子体中蚀刻化合物半导体的多层薄膜。

公开(公告)号：KR1020010048104A

公开(公告)日：2001-06-15

申请号：KR1019990052644

申请日：1999-11-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 신재헌 ,  백종협 ,  유병수 ,  권오균

IPC: H01S5/30

Abstract: PURPOSE: A long wavelength surface emission type of laser and a method for manufacturing the same are provided to form an air layer having same effect as an oxide layer using a wet etching method without using the oxide layer in forming a current confinement aperture. CONSTITUTION: In a long wavelength surface emission type of laser and a method for manufacturing the same, the long wavelength surface emission type of laser has an under mirror layer(6) formed on a substrate, an air post patterned resonate layer formed on the under mirror layer and an upper mirror layer(20). The under stage part of the upper mirror layer near the resonate layer has the air layer having a desired depth at the side wall of the upper mirror layer.

Abstract translation: 目的：提供长波长表面发射型激光器及其制造方法，以在不形成电流限制孔径的情况下使用湿式蚀刻方法形成具有与氧化物层相同效果的空气层。 构成：在长波长表面发射型激光器及其制造方法中，长波长表面发射型激光器具有形成于基底上的下镜面层（6），形成在下侧的空气柱图案化谐振层 镜层和上镜层（20）。 在谐振层附近的上镜层的下段部分具有在上镜层的侧壁具有期望深度的空气层。

公开(公告)号：KR100198798B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019960053653

申请日：1996-11-13

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 권오균 ,  정상돈 ,  정태형

IPC: H05B33/12

Abstract: 본 발명은 가시광 영역에서 폭넓은 스펙트럼을 발광하는 전기장 발광 소자에 정전기력 조절을 통해 통진파장을 제어하는 공진파장 조절기를 결합 시킴으로써, 발광파장의 제어가 가능한 컬러 디스플레이용 전기장 발광 소자에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR100170192B1

公开(公告)日：1999-03-30

申请号：KR1019950051484

申请日：1995-12-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박효훈 ,  김광준 ,  현경숙 ,  권오균 ,  송석호 ,  유병수 ,  추혜용

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 광투과 기판을 사용한 병렬 광논리처리 시스템의 구조에 관한 것으로서, 빛을 발진하는 광투과형 표면 방출 레이저가 어레이로 배열된 레이저 어레이 기판과, 상기 레이저 어레이에서 발진된 빛이 평행해지도록 빛을 접속하는 마이크로 렌즈가 어레이로 배열된 마이크로 렌즈 어레이 기판과, 상기 마이크로 렌즈 어레이 기판을 투과한 빛을 논리 회로의 창문으로 투과시켜 데이터를 읽어 논리 기능을 수행하는 광논리 소자 어레이로 이루어진 다수 개의 단위 칩으로 이루어져 빛이 직선적으로 상기 각 기판을 투과하면서 논리를 수행하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 빛이 각 기판을 통해 직선적으로 투과되면서 진행되므로 빛의 경로를 최단 거리로 할 수 있으며, 빛이 레이저 어레이 기판을 투과하므로 투과 면적이 증가되어 단위 칩 사이의 빛의 진행 경로를 맞추기 위한 정렬이 용이하다.

公开(公告)号：KR100170481B1

公开(公告)日：1999-03-20

申请号：KR1019950051472

申请日：1995-12-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 현경숙 ,  권오균 ,  김광준 ,  이일항

IPC: G02F3/02

Abstract: 본 발명은 전면 반사막을 이용한 고효율 무전압 광쌍안정 논리 및 스위치소자 어레이에 관한 것으로서, 종래의 무전압 광쌍안정을 이용한 경우 임피던스를 매칭시키는 것이 불가능하여 신호비가 현저하게 감소되는 문제점을 해결하기 위하여 전면 반사막을 이용하여 소자의 성능을 향상시켜 자유공간 광 스위치 논리소자로 실용화시키기 위한 것으로서, 기존의 무전압 광쌍안정 논리소자의 신호비를 증가시키기 위한 것이다.

公开(公告)号：KR1019980037117A

公开(公告)日：1998-08-05

申请号：KR1019960055818

申请日：1996-11-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김광준 ,  권오균 ,  현경숙 ,  송석호 ,  이일항

IPC: H04B10/00

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
자체광전효과소자를 이용한 다단구조의 광 패킷 스위칭장치.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
대칭형 자체광전효과소자 다수개를 이용하여 다단 구조로 형성함으로써, 입력된 광신호를 자기 복제 및 증폭한 후, 광 패킷의 헤더 부분에 대한 제어를 통해 자체 라우팅이 이루어지도록 하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
다수개의 대칭형 자체광전효과소자를 이용한 광 패킷 스위칭장치에 있어서,제1 및 제2 대칭형 자체광전효과소자를 상호 연결하여 전단부를 구성하고, 제3 및 제4 대칭형 자체광전효과소자를 상호 연결하여 후단부를 구성하며, 상기 전단부와 후단부를 포함하는 단위 스위칭모듈들을 상호 연결하여 1xN의 다단 구조로 형성하여 전단부는 자기복제 및 증폭을 수행하고, 후단부는 스위칭 동작을 수행하도록 함.
4. 발명의 중요한 용도
광 교환 분야에 이용됨.