公开(公告)号：KR1020080081656A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：KR1020070021966

申请日：2007-03-06

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  충북대학교 산학협력단

Inventor： 유병곤 ,  양병도 ,  이승윤 ,  박영삼 ,  윤성민 ,  이남열

IPC: G11C13/02

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C7/1051 ,  G11C7/1078 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/004 ,  G11C2207/2227

Abstract: An apparatus and a method for writing power reduction in a phase change memory by selective data writing are provided to reduce write power by removing power consumption in writing data in the phase change memory. An input part receives data to be written in a phase change memory(404). A read part(402) reads data stored in the phase change memory to be written with the inputted data. A comparison part(401) compares the inputted data with the stored data. A write part(403) stores a part of the inputted data different from the stored data into the cell position of the phase change memory when the inputted data is not equal to the stored data.

Abstract translation: 提供一种通过选择性数据写入在相变存储器中写入功率降低的装置和方法，以通过消除在相变存储器中写入数据的功耗来降低写入功率。 输入部分接收要写入相变存储器的数据（404）。 读取部分（402）读取存储在相变存储器中的数据，以写入输入的数据。 比较部分（401）将输入的数据与存储的数据进行比较。 当输入的数据不等于存储的数据时，写入部分（403）将与存储的数据不同的输入数据的一部分存储到相变存储器的单元位置。

公开(公告)号：KR100842274B1

公开(公告)日：2008-06-30

申请号：KR1020060123401

申请日：2006-12-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박영삼 ,  이승윤 ,  윤성민 ,  이남열 ,  유병곤

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

Abstract: 리셋 전류의 크기를 줄일 수 있는 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명에 따른 상변화 메모리 소자는 반도체 기판 위의 하부전극; 상기 하부전극 위의 제1 절연 패턴; 상기 제1 절연 패턴 위에서 상기 하부전극 위까지 연장되어 있되, 일측면이 상기 제1 절연 패턴 위에 놓여있는 발열전극; 상기 발열전극층 위에서 상기 발열전극과 동일한 패턴을 형성하고 있는 제2 절연 패턴; 상기 제2 절연 패턴 위에서 상기 제1 절연 패턴 위까지 연장되어 있되, 일부가 상기 제1 절연 패턴 위의 상기 발열전극의 일측면과 접하는 상변화층 패턴; 상기 상변화층 패턴과 전기적으로 연결된 콘택; 및 상기 콘택에 의하여 상기 상변화층 패턴과 전기적으로 연결되는 상부전극을 포함한다. 본 발명의 상변화 메모리 소자는 하부전극 위에 제1 절연패턴를 도입하여 발열전극이 측면을 통하여 상변화층 패턴과 접촉하도록 함으로써 발열전극과 상변화층 패턴의 접촉면적을 감소시켜 리셋전류를 감소시킬 수 있다. 한편, 발열전극의 일부는 절연패턴 위에서 측면을 통하여 상변화층 패턴과 접촉하고 발열전극의 다른 일부는 하부전극과 접촉하므로, 발열전극을 하부전극에 접속시키기 위한 별도의 콘택이 요구되지 않는다.
상변화 메모리 소자, 리셋전류, 절연 패턴, 발열전극, 상변화층 패턴

公开(公告)号：KR1020070061053A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：KR1020060038331

申请日：2006-04-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이승윤 ,  류상욱 ,  윤성민 ,  박영삼 ,  최규정 ,  이남열 ,  유병곤

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/0635 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/008 ,  G11C2213/79 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/2445 ,  H01L45/06 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  Y10S438/947

Abstract: An embedded phase-change memory and its fabricating method are provided to realize a multifunctional SOC(System-On-Chip) by using a bipolar transistor as a cell transistor. A bipolar transistor, a phase-change memory device, and a MOS transistor are disposed adjacently from each other on a substrate(100). The bipolar transistor, the phase-change memory device, and the MOS transistor are electrically connected to each other. The bipolar transistor includes a base(130) which is formed with SiGe which is disposed on a collector(104). The thickness of the base is 50 to 200 nm. The phase change memory device includes a phase change material layer and a heating layer. An amorphous state and a crystalline state of the phase change material layer are transformed reversibly by current. The heating layer comes in contact with a lower part of the phase change material layer.

Abstract translation: 提供嵌入式相变存储器及其制造方法，通过使用双极晶体管作为单元晶体管来实现多功能SOC（片上系统）。 双极晶体管，相变存储器件和MOS晶体管彼此相邻地设置在衬底（100）上。 双极晶体管，相变存储器件和MOS晶体管彼此电连接。 双极晶体管包括由SiGe形成的基极（130），SiGe设置在集电极（104）上。 碱的厚度为50〜200nm。 相变存储器件包括相变材料层和加热层。 相变材料层的非晶状态和结晶状态通过电流可逆地变换。 加热层与相变材料层的下部接触。

公开(公告)号：KR100639999B1

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：KR1020050078388

申请日：2005-08-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박영삼 ,  류상욱 ,  윤성민 ,  이남열 ,  최규정 ,  이승윤 ,  유병곤

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

公开(公告)号：KR1020170087117A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：KR1020160006604

申请日：2016-01-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 조두희 ,  이종희 ,  권병화 ,  문제현 ,  박영삼 ,  신진욱 ,  유병곤 ,  이정익 ,  이현구 ,  임종태 ,  조남성 ,  조현수 ,  주철웅 ,  한준한

IPC: B32B37/00 ,  G09F9/30 ,  B32B38/00 ,  B32B7/12 ,  B32B37/12 ,  B32B43/00 ,  B32B38/16

CPC classification number: B32B37/025 ,  B32B37/0053 ,  B32B38/10 ,  B32B38/1841 ,  B32B41/00 ,  B32B2457/20 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/56

Abstract: 본발명은일면에기능필름이배치된기판을이송하는기판이송부; 롤형태로감긴유연한지지필름을권출하는권출부; 상기권출부에서제공되는상기지지필름을롤 형태로권취하는권취부; 및상기권출부로부터상기권취부로이송되는상기지지필름을이송중인상기기판으로가압하여, 상기지지필름에상기기능필름을접착시키는가압부를포함하는유연기판제조장치에관한것이다.

Abstract translation: 根据本发明，提供了一种基板处理设备，包括：基板传送单元，用于传送其上设置有功能膜的基板; 一种卷绕单元，用于卷绕卷绕成卷状的柔性支撑膜; 一个卷绕部分，用于将设置在卷绕部分中的支撑膜卷绕成卷状; 并且将从卷绕部供给到卷绕部的支撑膜按压到被转印的基板并将功能膜粘附到支撑膜的按压部。

公开(公告)号：KR1020130061942A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：KR1020110128272

申请日：2011-12-02

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정태형 ,  박영삼 ,  현영훈 ,  장문규

IPC: H01L35/02

CPC classification number: H01L35/02 ,  H01L35/12

Abstract: PURPOSE: A thermoelectric device using a clad nanowire is provided to maintain high electric conductivity, to lower thermal conductivity, and to improve thermoelectric conversion efficiency. CONSTITUTION: A clad nanowire(11) connects a first contact part to a second contact part. The clad nanowire has a thermoelectric property and electric conductivity. A cladding layer(12) surrounds the nanowire. The cladding layer exposes both ends of the nanowire. The thermal conductivity of the cladding layer is lower than the thermal conductivity of the nanowire.

Abstract translation: 目的：提供一种使用包覆纳米线的热电装置，以保持高导电性，降低热导率，提高热电转换效率。 构成：包层纳米线（11）将第一接触部分连接到第二接触部分。 包覆纳米线具有热电性能和导电性。 包层（12）围绕纳米线。 包覆层露出纳米线的两端。 包层的热导率低于纳米线的热导率。

公开(公告)号：KR101232875B1

公开(公告)日：2013-02-12

申请号：KR1020090089114

申请日：2009-09-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박영삼 ,  장문규 ,  정태형 ,  현영훈 ,  전명심

IPC: H01L35/28

Abstract: 열전 소자를 제공한다. 제 1 전극 및 제 2 전극이 제공되고, 상기 제 1 전극 상에 제 1 반도체 패턴 및 적어도 하나 이상의 제 1 장벽 패턴을 포함하는 제 1 레그가 제공되고, 상기 제 2 전극 상에 제 2 반도체 패턴 및 적어도 하나 이상의 제 2 장벽 패턴을 포함하는 제 2 레그가 제공되고, 상기 제 1 레그 및 상기 제 2 레그 상에 공통 전극이 제공된다. 상기 제 1 장벽 패턴의 열전도도는 상기 제 1 반도체 패턴의 열전도도 보다 작고, 상기 제 2 장벽 패턴의 열전도도는 상기 제 2 반도체 패턴의 열전도도 보다 작다. 상기 제 1 장벽 패턴의 전기 전도도는 상기 제 1 반도체 패턴 이상이고, 상기 제 2 장벽 패턴의 전기 전도도는 상기 제 2 반도체 패턴 이상이다. 상기 제 1 및 제 2 장벽 패턴은 상기 제 1 및 제 2 반도체 패턴과 오믹 콘택트를 이룬다.
열전 소자, ZT, 반도체 열전 소자, 장벽 패턴, 수직형, 실리사이드

公开(公告)号：KR1020120077487A

公开(公告)日：2012-07-10

申请号：KR1020100139451

申请日：2010-12-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박영삼 ,  장문규 ,  현영훈 ,  전명심 ,  정태형

IPC: H01L35/02 ,  H01L35/30 ,  H01L35/14 ,  H01L35/34 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/0673 ,  B82Y40/00 ,  H01L35/22 ,  H01L35/32 ,  H01L35/02 ,  H01L35/14 ,  H01L35/30 ,  H01L35/34

Abstract: PURPOSE: A thermoelectric element and a manufacturing method thereof are provided to efficiently eliminate an oxide film from a bottom portion of a dielectric layer in a short time by using one or more holes included in an insulating layer. CONSTITUTION: A silicon heat absorbing part(140), a silicon nano wire leg, and a silicon heat radiating part(160)are formed on a substrate(110). The silicon absorbing part is formed on an upper part of the substrate and absorbs heat. The silicon nano wire leg transfers the heat. The silicon heat radiating part emits the heat. Insulating layers(170a, 170b) are formed on an upper portion of the substrate and include one or more holes(172a, 172b).

Abstract translation: 目的：提供一种热电元件及其制造方法，通过使用包含在绝缘层中的一个或多个孔，在短时间内有效地从电介质层的底部消除氧化膜。 构成：在基板（110）上形成有硅吸热部（140），硅纳米线脚和硅散热部（160）。 硅吸收部形成在基板的上部并吸收热量。 硅纳米线腿传递热量。 硅散热部散热。 绝缘层（170a，170b）形成在基板的上部，并且包括一个或多个孔（172a，172b）。

公开(公告)号：KR101108193B1

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：KR1020080128176

申请日：2008-12-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이승윤 ,  박영삼 ,  윤성민 ,  정순원 ,  전상훈 ,  유병곤

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L45/148 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/122 ,  H01L45/144

Abstract: 비휘발성 프로그래머블 소자는 제1 단자와, 제1 단자에 연결되는 제1 문턱 스위칭층과, 제1 문턱 스위칭층에 연결되는 상변화층과, 상변화층에 연결되는 제2 문턱 스위칭층과, 제2 문턱 스위칭층에 연결되는 제2 단자와, 상변화층의 일측부 및 타측부에 각각 연결되는 제3 단자 및 제4 단자를 포함하여 이루어진다.

公开(公告)号：KR1020110095109A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：KR1020100088107

申请日：2010-09-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박영삼 ,  장문규 ,  현영훈 ,  전명심 ,  전상훈 ,  정태형

IPC: B82B3/00 ,  H01L35/02 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L35/32 ,  H01L27/146 ,  H01L35/14 ,  H01L35/34

Abstract: PURPOSE: A thermoelectric element, a method for forming the same, a temperature detecting sensor using the same, and a heating source image sensor using the same are provided to mass-produce nanowires and reduce time required for forming the nanowires using a photo-etching process and an ashing process. CONSTITUTION: A first nanowrie(132) and a second nanowire(134) are separately arranged on a substrate. A first silicon thin film(122) is in connection with one end of the first nanowire. A second silicon thin film(124) is in connection with one end of the second nanowire. A third silicon thin film(126) is in connection with another end of the first nanowire and another end of the second nanowire. The first nanowire and the second nanowire are expanded to the horizontal direction with respect to the upper side of the substrate. A method for forming a thermoelectric element includes the following: An insulating film and a silicon layer are successively formed on the substrate. A photo-resist pattern with a first line-width is formed on the silicon layer. A photo-resist micropattern with a second line-width is formed by implementing an ashing process with respect to the photo-resist pattern. An etching process is implemented with respect to the silicon layer using the photo-resist micropattern as a mask to form the nanowires.

Abstract translation: 目的：提供一种热电元件，其形成方法，使用该温度检测传感器的温度检测传感器和使用该温度检测传感器的加热源图像传感器，以大量生产纳米线并减少使用光蚀刻形成纳米线所需的时间 过程和灰化过程。 构成：第一纳米纤维（132）和第二纳米线（134）分别布置在基底上。 第一硅薄膜（122）与第一纳米线的一端相连。 第二硅薄膜（124）与第二纳米线的一端连接。 第三硅薄膜（126）与第一纳米线的另一端和第二纳米线的另一端连接。 第一纳米线和第二纳米线相对于基板的上侧向水平方向扩展。 形成热电元件的方法包括：在基板上依次形成绝缘膜和硅层。 在硅层上形成具有第一线宽的光刻胶图形。 通过对光刻胶图案实施灰化处理，形成具有第二线宽的光刻胶微图案。 使用光致抗蚀剂微图案作为掩模，相对于硅层实现蚀刻工艺以形成纳米线。