公开(公告)号：KR100368323B1

公开(公告)日：2003-01-24

申请号：KR1019990025142

申请日：1999-06-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오대곤 ,  남은수 ,  편광의

IPC: H01S5/30

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a gain-combined single mode semiconductor laser is provided to manufacture a single mode laser light source by epi-layer growth once. CONSTITUTION: A method for manufacturing a gain-combined with single mode semiconductor laser has following steps. An active layer(12) is formed on a substrate(13). The active layer(12) has a quantum wire(8) structure. A clad layer(11) is formed is formed on the active layer(12). A resistive electrode contact layer(10) is formed on the clad layer. A stripe electrode is formed in order to generate laser-resonator in a perpendicular direction to the quantum wire(8) on the resistive electrode contact layer(10), thereby manufacture a single mode laser light source by one crystal growth.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造增益组合单模半导体激光器的方法，以通过一次外延层生长来制造单模激光源。 构成：一种制造与单模半导体激光器组合的增益的方法具有以下步骤。 有源层（12）形成在衬底（13）上。 有源层（12）具有量子线（8）结构。 在有源层（12）上形成包覆层（11）。 电阻电极接触层（10）形成在包层上。 形成条形电极以便在与电阻性电极接触层（10）上的量子线（8）垂直的方向上产生激光谐振腔，由此通过一次晶体生长来制造单模激光源。

公开(公告)号：KR100249812B1

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：KR1019970069574

申请日：1997-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이승원 ,  김명규 ,  오대곤 ,  김홍만

IPC: H01S5/30

Abstract: 본 발명은 분포궤환 레이저 (DFB laser)와 전계 흡수형 (electro-absorption) 광변조기의 집적화소자를 제작함에 있어서 응력이 가해진 다중양자우물구조의 버트커플링 (Butt-coupling) 결정성장시 발생하는 결정결함을 제거하기 위하여, 결정결함이 발생된 부분을 반응성 이온 식각 혹은 습식식각으로 제거하고 반절연 InGaAsP 도파로층 및 InP 클래드(clad)층의 성장을 통하여 결정결함을 제거함으로써 소자의 신뢰성과 광결합 특성을 높이는 제조 방법 및 그 방법으로 제작된 광변조기 집적소자에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR100119279B1

公开(公告)日：1997-09-30

申请号：KR1019930029094

申请日：1993-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김정수 ,  오대곤 ,  이승원 ,  이중기 ,  장동훈 ,  황인덕

IPC: H01L21/208

Abstract: An metal organic bubbler structure used for metal organic supply of MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) apparatus is provided to easily grow an epitaxial layer of compound semiconductor. The bubbler structure comprises: a bubbler body(5) for injecting flow gases on the surface the metal organic(6) in order to increase the flowing area of gases; and a separating layer(7) located in the center of the bubbler body(5) to separate an inlet portion(9) and an outlet portion(10) of gas. For flowing gases, a hole(8) is formed at the bottom of the separating layer(7).

Abstract translation: 提供用于MOCVD（金属有机化学气相沉积）设备的金属有机供应的金属有机起泡器结构，以容易地生长化合物半导体的外延层。 起泡器结构包括：用于在金属有机物（6）的表面上注入流动气体以增加气体流动面积的起泡器本体（5） 以及位于所述起泡器体（5）的中心以分离气体的入口部分（9）和出口部分（10）的分离层（7）。 对于流动气体，在分离层（7）的底部形成孔（8）。

公开(公告)号：KR1019970005679B1

公开(公告)日：1997-04-18

申请号：KR1019930029350

申请日：1993-12-23

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 오대곤 ,  김정수 ,  김홍만

IPC: H01L21/205

Abstract: There is provided a reactor structure of a vertical typed metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) used in crystal growth of a compound semiconductor. The reactor includes: an outlet tube(3) disposed at both directions of an outlet part of a vertical typed MOCVD mount(10) in order to enhance a dispersion degree of a fluid; and a mash band(6) inserted in an inner side of the mount(10) in a cylindrical type.

Abstract translation: 提供了用于化合物半导体的晶体生长中的垂直型金属有机化学气相沉积（MOCVD）的反应器结构。 该反应器包括：排出管（3），其设置在垂直型MOCVD安装件（10）的出口部分的两个方向上，以便提高流体的分散度; 以及以圆柱形的方式插入所述支架（10）的内侧的泥浆带（6）。

公开(公告)号：KR1019950009631B1

公开(公告)日：1995-08-25

申请号：KR1019920023354

申请日：1992-12-04

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박기성 ,  김흥만 ,  오대곤

IPC: H01L31/08

Abstract: The device comprises an optical waveguide which is formed on a substrate, a cladding layer and a cap layer which are sequentially formed on the optical waveguide layer, the first electrode and the second electrode which are formed on the substrate and on the cap layer respectively, the second electrode which has negative angle and negative double angle with incident light not only to form the first reflection region in an optical input port and but also to form the second reflection region in the optical output port.

Abstract translation: 该器件包括形成在基板上的光波导管，覆盖层和覆盖层，它们分别形成在基板上和盖层上的光波导层，第一电极和第二电极上， 与入射光具有负角度和负双角度的第二电极不仅在光输入端口中形成第一反射区域，而且在光输出端口中形成第二反射区域。

公开(公告)号：KR1019950020999A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930029094

申请日：1993-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김정수 ,  오대곤 ,  이승원 ,  이중기 ,  장동훈 ,  황인덕

IPC: H01L21/208

Abstract: 본 발명은 화학물 반도체 에피성장 장비인 유기금속 기상결정 성장장치의 유기금속 공급부위에 사용되는 유기 금속을 담는통의 구조를 개선한 유기금속 버브러(Bubbler) 구조에 관한 것으로, TMIn의 증기압을 안정시켜 재현성이 향상된 반도체 결정을 성장하는데 용이하도록 한 유기금속 버브러(Bubbler) 구조로서 버브러몸통(5)의 내부를 유입부(9)와 배출부(10)로 구분하여 그사이를 막아 분리한 분리막(7)을 설치하되 상기 분리막(7)의 하부는 상기 유입부(9)와 배출부(10)가 서로 통할 수 있도록 구멍(8)을 형성하여 줌을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020170098521A

公开(公告)日：2017-08-30

申请号：KR1020160020540

申请日：2016-02-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤기홍 ,  권오균 ,  오수환 ,  김성일 ,  박미란 ,  안신모 ,  오대곤

IPC: H01S3/08 ,  H01S3/083 ,  H01S3/10 ,  G02B6/293

Abstract: 본발명은레이저특성을개선할수 있도록한 파장가변레이저장치에관한것이다. 본발명의실시예에의한파장가변레이저장치는광신호를출력하는이득부와; 상기이득부의일측에위치되며, 상기광신호를제 1파장간격으로반사하는제 1회절격자반사기와; 상기이득부의타측에위치되며, 상기광신호를제 2파장간격으로반사하는제 2회절격자반사기와; 상기이득부와상기제 2회절격자반사기사이에위치되며, 제 3파장간격의광신호만이출력되도록제어하는광필터를구비한다.

Abstract translation: 本发明涉及能够改善激光特性的波长可调激光装置。 根据本发明实施例的可调谐激光装置包括：用于输出光信号的增益单元; 第一衍射光栅反射器，其位于增益部分的一侧并以第一波长间隔反射光信号; 位于增益部分的另一侧并且以第二波长间隔反射光信号的第二衍射光栅反射器; 以及位于增益部分和第二衍射光栅反射器之间并被配置为仅输出具有第三波长间隔的光信号的滤光器。

公开(公告)号：KR101295892B1

公开(公告)日：2013-08-12

申请号：KR1020090105572

申请日：2009-11-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박봉제 ,  서홍석 ,  안준태 ,  송정호 ,  오대곤

IPC: C09K11/88

Abstract: 적색 형광체의 형성 방법 및 이에 의해 형성된 적색 형광체를 포함하는 발광장치를 제공한다. 이 방법은 AB로 표현되는 금속함유물, 텔루륨(Te) 함유물 및 망간(Mn)을 섞어 혼합물을 만드는 단계; 및 상기 혼합물을 밀폐용기 안에서 열처리하여 AB
x :Mn
y ,Te
z 의 화학식을 가지는 적색 형광체를 형성하는 단계를 포함한다. 이 방법은 저렴한 텔루륨(Te)과 망간(Mn)이 사용되므로 형성 비용이 상대적으로 저렴하다. 또한 본 발명으로 합성된 적색 형광체는 적색에서 고효율의 발광을 한다.
적색 형광체, LED, ZnS:Mn,Te

公开(公告)号：KR101086777B1

公开(公告)日：2011-11-25

申请号：KR1020090080500

申请日：2009-08-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최병석 ,  오대곤 ,  권오균 ,  김동철 ,  김기수 ,  김현수

IPC: G02B6/12

Abstract: 본 발명에 따른 광증폭기는, 입사된 광신호를 입력받아 모드를 조절하는 수동 도파로 영역, 및 상기 수동 도파로 영역에 연결되고, 인가되는 전류에 의해 운반자의 농도를 가변함으로써 상기 수동 도파로 영역을 통과한 광신호의 이득을 변조하는 능동 도파로 영역을 형성하는 것을 포함하되, 상기 능동 도파로 영역은, 내부 손실 조절을 통한 공진 현상을 발생시킴으로써, 대역폭을 확장시킬 수 있게 된다. 이로써, 본 발명에 따른 광증폭기는 저전류에서도 넓은 주파수 대역폭을 확보할 수 있다.
SOA, RSOA, 내부 손실, 대역폭, 공진현상

公开(公告)号：KR1020110062946A

公开(公告)日：2011-06-10

申请号：KR1020090119834

申请日：2009-12-04

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 서홍석 ,  안준태 ,  박봉제 ,  오대곤 ,  송정호

IPC: H01S3/07 ,  H01S3/067

CPC classification number: H01S3/076 ,  H01S3/067 ,  H01S3/094019 ,  H01S5/0615

Abstract: PURPOSE: A laser generator is provided to minimize a loss of a pump light source by using a side coupling method and a control laser of a hollow optical coupler. CONSTITUTION: One end of the first optical fiber(120) is connected to a modulator(180) and a reflector(182), successively. One end of the first optical fiber are connected to the modulator with a single mode optical fiber(162). The other end of the first optical fiber is connected to an output coupler(184) and an output terminal(190), successively. A tapered portion of the optical coupling device(100) faces an output terminal(190). The optical coupling device is located at a position where the modulator is more contiguous than the output terminal. The core of the first optical fiber is directly connected to the core of a single mode optical fiber(162).

Abstract translation: 目的：提供激光发生器，通过使用侧耦合方法和中空光耦合器的控制激光器来最小化泵浦光源的损耗。 构成：第一光纤（120）的一端依次连接到调制器（180）和反射器（182）。 第一光纤的一端用单模光纤（162）连接到调制器。 第一光纤的另一端依次连接到输出耦合器（184）和输出端子（190）。 光耦合装置（100）的锥形部分面向输出端（190）。 光耦合装置位于调制器比输出端更连续的位置。 第一光纤的核心直接连接到单模光纤（162）的核心。