公开(公告)号：KR101234598B1

公开(公告)日：2013-02-19

申请号：KR1020110018031

申请日：2011-02-28

Applicant: 충북대학교 산학협력단 ,  한국전자통신연구원

Inventor： 양병도 ,  류근철 ,  민제중 ,  성시우 ,  오재문 ,  유인규 ,  양용석 ,  정순원

IPC: G11C17/08 ,  G11C17/18 ,  G11C7/10

Abstract: 본 발명은 롬셀의 구조 및 동작 방법에 관한 것으로, 특히 유기물 박막트랜지스터를 이용한 롬셀의 구조 및 그 동작 방법에 관한 것이다. 이와 같은 본 발명은 유기물 박막트랜지스터를 통해 제조된 롬셀의 읽기 및 쓰기 장치에 있어서, 워드라인에 각각 대응하는 복수의 롬셀로 이루어진 롬어레이; 쓰기 시그널에 의해 턴온되어, 워드라인에 의해 선택되는 롬셀에 입력 데이터를 기록하는 쓰기 회로부; 및 선충전 시그널에 의해 턴온되어, 워드라인에 의해 선택되는 롬셀에 기록된 데이터를 읽는 읽기 회로부를 포함하되, 상기 롬어레이는, 워드라인, 반전 워드라인, 읽기 회로부와 쓰기 회로부를 연결되어 데이터를 기록 및 읽을 수 있도록 하는 비트라인 및 커패시터와 연결된 접지단을 구비한 트랜스미션 게이트의 롬셀로 이루어져, 쓰기 동작시 쓰기 회로부의 입력 데이터로 커패시터의 파괴 가능한 특정 레벨의 전압이 인가되면, 커패시터가 파괴되면서 선택되는 워드라인에 연결된 롬셀에 입력 데이터가 기록되고, 읽기 동작시 읽기 회로부에 따라 상기 특정 레벨 이하의 전압이 인가되어 데이터가 읽혀지는 것을 특징으로 하는 유기물 박막트랜지스터를 이용한 롬셀의 읽기/쓰기 장치 및 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR101204338B1

公开(公告)日：2012-11-26

申请号：KR1020090027376

申请日：2009-03-31

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 노용영 ,  강석주 ,  구재본 ,  유인규 ,  백강준

IPC: H01L29/786 ,  B32B27/28

Abstract: 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법을 제공한다. 이 유기 박막 트랜지스터에서는 고유전율의 친수성 고분자와 저유전율의 소수성 고분자를 동시에 포함하는 이중 블록 공중합체가 라멜라 구조로 유기 절연막으로 사용되므로, 박막을 구현할 수 있어 문턱전압과 구동전압을 동시에 낮출 수 있다. 또한 이의 제조 방법에서는, 한번의 스핀 코팅에 의해 두가지 물성이 다른 고분자 절연막을 형성할 수 있으므로 공정을 단순화할 수 있다.
이중 블록 공중합체, 유기 박막 트랜지스터

公开(公告)号：KR1020120106521A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：KR1020110069863

申请日：2011-07-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 양용석 ,  유인규 ,  구재본 ,  이수재 ,  김태엽 ,  정순원 ,  백강준

IPC: H01B11/06 ,  H01B7/08 ,  H01B7/04

CPC classification number: H01B11/06 ,  H01B7/00 ,  H01B7/04 ,  H01B7/08 ,  H01B11/00

Abstract: PURPOSE: A flexible flat cable and a manufacturing method thereof are provided to minimize distortion and interference of signals by surrounding a wire core with shield coating layers made of metal components, and insulation coating layers made of parylene polymers. CONSTITUTION: A flexible flat cable(100) includes insulation coating layers(20) made of parylene polymers and shield coating layers(30) made of metal components surrounding a wire core(10). The insulation coating layer increases insulation properties between the wire cores. The insulation coating layer reduces an RC delay of a signal. The shield coating layer shields electromagnetic waves between the wire cores. The flexible flat cable maximizes the transfer efficiency of the wire core.

Abstract translation: 目的：提供柔性扁平电缆及其制造方法，以通过围绕具有由金属部件制成的屏蔽涂层的线芯和由聚对二甲苯聚合物制成的绝缘涂层来最小化信号的变形和干扰。 构成：柔性扁平电缆（100）包括由聚对二甲苯聚合物制成的绝缘涂层（20）和围绕线芯（10）的金属组件制成的屏蔽涂层（30）。 绝缘涂层增加了导线芯之间的绝缘性能。 绝缘涂层降低了信号的RC延迟。 屏蔽涂层屏蔽线芯之间的电磁波。 柔性扁平电缆使线芯的传输效率最大化。

公开(公告)号：KR101183964B1

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：KR1020080078593

申请日：2008-08-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 노용영 ,  백강준 ,  유인규 ,  구재본

IPC: H01L51/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/0004 ,  H01L51/0027 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558

Abstract: 본 발명은 유기 박막의 국부적 결정화 방법 및 이를 이용한 유기 박막 트랜지스터 제조 방법에 관한 것으로, 유기 박막 트랜지스터의 활성층으로 사용되는 유기 박막에 유기 용매의 국부적인 도포나 레이저를 통한 국부적인 열처리를 수행하여 유기 박막의 결정도를 국부적으로 향상시킴으로써, 별도로 유기 박막을 패터닝하지 않고도 유기 박막 트랜지스터의 전하 이동도를 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 소자간의 크로스토크를 감소시킬 수 있는 것을 특징으로 한다.
유기 박막, 국부적, 결정화, 유기 박막 트랜지스터, 활성층, 유기 용매, 레이저

公开(公告)号：KR1020120061531A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：KR1020100122869

申请日：2010-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김태엽 ,  백강준 ,  유인규 ,  김민석 ,  구재본

IPC: H01L21/027

CPC classification number: B41F17/26 ,  B05C1/0808 ,  H01L21/0274 ,  G03F1/22 ,  G03F7/0002

Abstract: PURPOSE: A metal pattern formation method and an apparatus using the same are provided to improve electrical properties of a metal wire by forming the metal wire using a non-electrode electrochemical plating method. CONSTITUTION: An adhesive pattern is formed on a substrate(S10). An initiator is combined on the adhesive pattern by spraying an initiator solution on the substrate(S20). A metal is combined with the initiator by performing a plating process after spraying a metal precursor solution on the substrate(S30). The initiator solution and the metal precursor solution on the substrate are eliminated between the adhesive patterns by performing a cleaning process(S40).

Abstract translation: 目的：提供一种金属图案形成方法及其使用方法，通过使用非电极电镀法形成金属线来提高金属线的电特性。 构成：在基材上形成粘合剂图案（S10）。 通过在基板上喷射引发剂溶液将引发剂组合在粘合剂图案上（S20）。 通过在金属前体溶液喷涂到基板上之后进行电镀处理，将金属与引发剂结合（S30）。 通过进行清洗处理，在粘合剂图案之间消除了基板上的引发剂溶液和金属前体溶液（S40）。

公开(公告)号：KR101153368B1

公开(公告)日：2012-06-08

申请号：KR1020080117461

申请日：2008-11-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김철암 ,  정지은 ,  강승열 ,  서경수 ,  오지영 ,  유인규

IPC: G02F1/167

Abstract: 본발명은전기유변유체마이크로캡슐을포함하는투과도가변필름및 이의제조방법에관한것으로, 이투과도가변필름은전기유변유체마이크로캡슐을포함하도록형성됨으로써, 가공성이증대되어, 평평한판 유리뿐만아니라구부릴수 있는 (flexible) 플라스틱투명전극이나, 굴곡이있는유리투명전극표면에도적용이될 수있다. 또한, 전기유변유체마이크로캡슐은전체전극을수십또는수백마이크로미터단위의공간으로세분화할수 있으며, 분극입자의뭉침이방지되므로, 균일한투과도가발현된다.

公开(公告)号：KR1020110064150A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：KR1020090120621

申请日：2009-12-07

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 구재본 ,  안종현 ,  강승열 ,  무사라트 ,  유인규 ,  조경익

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L29/78603 ,  H01L27/1262

Abstract: PURPOSE: A transferred thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to separate an active layer from a silicon wafer by a dry etching method and transfer the active layer to a flexible substrate, thereby maximizing productivity. CONSTITUTION: A source area(12), a drain area(14), and a channel area(15) are expanded on a first substrate(10) in a first direction. A trench(18) is expanded on the first substrate in the second direction crossing the first direction. A photoresist pattern(20) is formed on an active layer(16) between the trenches. The first substrate in the trench is etched by an anisotropic etching process so that the active layer is separated from the first substrate. The active layer is bonded with a second substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种转移的薄膜晶体管及其制造方法，通过干蚀刻方法将有源层与硅晶片分离，并将活性层转移到柔性基板上，从而最大限度地提高生产率。 构成：源区域（12），漏区（14）和沟道区（15）在第一方向上在第一衬底（10）上扩展。 沟槽（18）在与第一方向交叉的第二方向上在第一基板上膨胀。 光刻胶图形（20）形成在沟槽之间的有源层（16）上。 通过各向异性蚀刻工艺蚀刻沟槽中的第一衬底，使得有源层与第一衬底分离。 有源层与第二衬底结合。

公开(公告)号：KR1020110064149A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：KR1020090120620

申请日：2009-12-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 구재본 ,  강승열 ,  유인규

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/84 ,  H01L24/83 ,  H01L24/93 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1262 ,  H01L29/78603 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to form an embedded insulating film and a gate insulating film by different materials, thereby preventing damage of the gate insulating film when the embedded insulating film is eliminated. CONSTITUTION: An embedded insulating film(14) and an active layer(16) are stacked on a single-crystalline silicon wafer(12). A gate insulating layer(18) is formed on the active layer. A gate electrode(20) is formed on the gate insulating layer. Source/drain areas(22,24) are formed on the active layer of the gate electrode. A part of the embedded insulating film is eliminated to form an under cut in the lower part of the thin film transistor.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的方法，以通过不同的材料形成嵌入式绝缘膜和栅极绝缘膜，从而防止当绝缘膜被去除时对栅极绝缘膜的损坏。 构成：在单晶硅晶片（12）上堆叠嵌入绝缘膜（14）和有源层（16）。 在有源层上形成栅极绝缘层（18）。 栅电极（20）形成在栅极绝缘层上。 源极/漏极区域（22,24）形成在栅电极的有源层上。 消除了嵌入式绝缘膜的一部分，以在薄膜晶体管的下部形成欠切割。

公开(公告)号：KR1020110044454A

公开(公告)日：2011-04-29

申请号：KR1020090101136

申请日：2009-10-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 양용석 ,  유인규 ,  구재본 ,  노용영

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L21/4814 ,  H01L21/4867 ,  H01L23/49822 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0277 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/0313 ,  H05K1/09 ,  H05K3/105 ,  H05K3/125 ,  H05K3/4069 ,  H05K2203/1105 ,  H05K2203/125 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49165 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A multilayered wire connecting structure and manufacturing method thereof are provided to eliminate a chemical and mechanical grinding process which eliminates a conductive metal layer, thereby maximizing productivity. CONSTITUTION: A first wire(12) is formed on a substrate(10). An interlayer insulating film(14) is formed on the first wire. A second wire(22) is formed on the interlayer insulating film. A via contact(20) includes at least one conductive filament(17). The conductive filament electrically connects a first wire with a second wire.

Abstract translation: 目的：提供多层导线连接结构及其制造方法，以消除消除导电金属层的化学和机械研磨过程，从而最大限度地提高生产率。 构成：在基板（10）上形成第一线（12）。 在第一导线上形成层间绝缘膜（14）。 第二线（22）形成在层间绝缘膜上。 通孔接触件（20）包括至少一个导电细丝（17）。 导电丝将第一线与第二线电连接。

公开(公告)号：KR1020110010535A

公开(公告)日：2011-02-01

申请号：KR1020090113221

申请日：2009-11-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 노용영 ,  유인규 ,  구재본 ,  정순원

IPC: H01L51/30

Abstract: PURPOSE: An organic thin film transistor is provided to improve an electrical property by decreasing a driving voltage and a threshold voltage. CONSTITUTION: A source electrode and a drain electrode are formed on a substrate(110). An active layer(140) is formed between the source electrode and the drain electrode. An organic insulating layer(150) is arranged between the source electrode and, the drain electrode, and the active layer. A gate electrode controls the active layer. The organic insulating layer is arranged between the active layer and the gate electrode.

Abstract translation: 目的：提供有机薄膜晶体管，以通过降低驱动电压和阈值电压来改善电性能。 构成：源电极和漏电极形成在基板（110）上。 在源电极和漏电极之间形成有源层（140）。 有机绝缘层（150）设置在源电极和漏电极与有源层之间。 栅电极控制有源层。 有机绝缘层设置在有源层和栅电极之间。