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公开(公告)号：KR1019930022473A
公开(公告)日：1993-11-24
申请号：KR1019920005999
申请日：1992-04-10
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 다층배선구조를 갖는 반도체 장치의 제조방법에 관한 것으로 실리콘기판(1)상에 있고 층간절연막(4)으로 격리되어 있는 제1차 금속층(2)과 제2차 금속층(6)사이의 전기적 접촉을 위한 필라(3)의 전면까지 식각하는 평탄화공정을 포함한 다층배선구조를 갖는 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 상기 필라(3)를 덮고있는 상기 층간절연막(4)사에 마스크로 소정패턴의 포토레지스트(5a)를 형성한 다음 상기 층간절연막(4)을 선택적 식각하여 상기 필라(3)위에 상기 개구부를 형성하는 공정과, 상기 포토페지스트(5a)를 제거한 다음 평찬화용 포토레지스트(5b)를 도포하는 공정 및. 상기 평찬화용 포토레지스트(5b)및 상기 충간절연막(4)을 상기 필라(3)의 전면까지 식각하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR101768704B1
公开(公告)日：2017-08-17
申请号：KR1020120026726
申请日：2012-03-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/09
Abstract: 본발명은포토멀티플라이어및 그의제조방법을개시한다. 그의제조방법은, 제 1 도전형으로도핑된기판의활성영역상에마스크막을형성하는단계와, 상기제 1 도전형과반대되는제 2 도전형불순물을상기기판에이온주입하여상기마스크막아래의상기활성영역과, 상기마스크막으로부터노출된비 활성영역내에제 1 도핑영역을형성하는단계와, 상기비 활성영역상에소자분리막을형성하는단계와, 상기마스크막을제거하는단계와, 상기제 1 도핑영역보다높은농도의상기제 2 도전형불순물을상기활성영역내의상기제 1 도핑영역상부에이온주입하여상기제 1 도핑영역보다얕은제 2 도핑영역을형성하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150113805A
公开(公告)日：2015-10-08
申请号：KR1020140154526
申请日：2014-11-07
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명에따른플라즈마시스템은, 외부에노출된외주면, 상기외주면과대향하며가스와접촉하는내주면및 상기가스가분사되는출구를포함하는노즐, 상기외주면또는상기내주면중 일부에형성되는제1 전극및 상기제1 전극과이격된상태로상기외주면중 일부에형성되는제2 전극을포함하되, 상기제1 전극은제1 전압을갖는제1 전원에전기적으로연결되고, 상기제2 전극은상기제1 전압과다른제2 전압을갖는제2 전원에전기적으로연결되며, 상기제2 전극은상기제1 전극보다상기출구로부터가까운위치에형성된다.
Abstract translation: 根据本发明的本发明的等离子体系统包括：喷嘴，其包括暴露于外部的外周侧，面向外周侧的内周侧并与气体接触;以及出口 喷气; 形成在所述外周侧或内周侧的一部分上的第一电极; 以及第二电极，其形成在外周侧的一部分上，同时与第一电极分离。 第一电极电连接到具有第一电压的第一电源。 第二电极电连接到具有不同于第一电压的第二电压的第二电源。 第二电极形成在比第一电极的位置更靠近出口的位置处。
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公开(公告)号：KR1020150100466A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：KR1020140104364
申请日：2014-08-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H05H1/34
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32834
Abstract: 플라즈마 발생 장치는 노즐 어레이(nozzle array), 제 1 전극 및 하우징을 포함한다. 노즐 어레이는 플라즈마를 배출한다. 제 1 전극은 상기 노즐 어레이를 둘러싸도록 배치된다. 하우징은 상기 노즐 어레이 및 상기 제 1 전극을 둘러싸도록 배치된다. 노즐 어레이는 복수의 노즐들을 포함하고, 복수의 노즐들은 서로 인접하여 어레이 형태로 배치되어 각각 플라즈마를 배출하도록 구성된다. 따라서, 대면적의 플라즈마를 균일하고 안정적으로 발생시킬 수 있다.
Abstract translation: 等离子体产生装置包括喷嘴阵列，第一电极和壳体。 喷嘴阵列排出等离子体。 第一电极布置成围绕喷嘴阵列。 壳体被布置成围绕第一电极和喷嘴阵列。 喷嘴阵列包括多个喷嘴。 喷嘴相邻地排列成阵列形式，并分别排出等离子体。 因此，本发明均匀且稳定地产生大面积的等离子体。
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公开(公告)号：KR1020150100457A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：KR1020140080795
申请日：2014-06-30
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 광 및 플라즈마를 복합적으로 생성하는 방법 및 장치가 개시되어 있다. 광 및 플라즈마를 복합적으로 조사하는 방법은 광 및 상기 플라즈마의 조사 패턴을 결정하는 단계와 조사 패턴에 따라 광 및 플라즈마 중 적어도 하나를 생체 물질에 조사하는 단계를 포함할 수 있되, 조사 패턴은 광의 조사 특성 및 플라즈마의 조사 특성을 기반으로 결정될 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种用于乘法产生光和等离子体的方法和装置。 用于多次照射光和等离子体的方法包括以下步骤：确定光和等离子体的辐射图; 并且根据辐射图，将光和等离子体中的至少一个辐射到生物，其中基于光的辐射特性和等离子体的辐射特性来确定辐射图。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150020008A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：KR1020140015713
申请日：2014-02-11
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 진동 디바이스와 관련된다. 진동 디바이스는 진동이 가능하고 광 도파로 기능을 하는 적어도 하나의 진동자와, 진동자를 진동시키는 전기장 공급부와, 진동자에 광을 입력하는 광 입력부, 및 전기장 공급부에 의해 진동자가 진동할 때 광 도파로를 거쳐 출사되는 광량 변화를 감지하는 광 감지부를 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种振动装置，更具体地说，涉及一种基于光学传感器的振动装置。 根据本发明，光传感器可以检测随着光波导特性振动的振动器振动的光波导特性的变化。 振动装置包括：至少一个振动器，其能够振动并用作光波导; 振动器的电场供给单元; 光输入单元，其将光输入到振动器中; 以及光检测单元，其检测当所述电场供应单元振动所述振动器时通过所述光波导发射的辐射的强度的变化。
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公开(公告)号：KR1020140023202A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：KR1020130024629
申请日：2013-03-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01N21/00 , C12Q1/68 , G01N33/483
CPC classification number: G01N21/00 , C12Q1/6834 , C12Q1/6876 , G01N33/483
Abstract: Disclosed are a bio sensor and a bio substance sensing device with the bio sensor. The sensing device comprises: a light source for supplying quantinized photons; a substrate separated from the light source; a single photon sensor layer arranged on the substrate to detect the photons; and an adsorption layer covering the single photon sensor, penetrating the photons, and adsorbing bio substances between the light source and the substrate.
Abstract translation: 公开了具有生物传感器的生物传感器和生物物质感测装置。 感测装置包括：用于提供量化光子的光源; 与光源分离的基板; 布置在基板上以检测光子的单个光子传感器层; 以及覆盖单个光子传感器，穿透光子并在光源和基板之间吸附生物物质的吸附层。
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公开(公告)号：KR101087136B1
公开(公告)日：2011-11-25
申请号：KR1020080122215
申请日：2008-12-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/324
Abstract: 본 발명은 실리콘 웨이퍼 기판의 적재가 용이할 뿐만 아니라 초기 열산화 공정 시 발생될 수 있는 자연 산화막 발생을 최대한 억제할 수 있고, 반응 가스의 균일할 확산을 유도하여 균일한 두께의 산화막을 발생시킬 수 있는 반도체 제조용 횡형 확산로에 관한 것으로서, 상기 횡형 확산로는, 상하로 개폐가능하며 그 내부에 다수의 실리콘 웨이퍼 기판이 적재되는 적재 수단과, 상기 적재 수단을 수평 방향으로 이동시켜 상기 반응실 내부로 이동시키는 운반 수단과, 상기 운반 수단에 의해 적재 수단이 반응실 내부로 이동되는 동안 상기 적재 수단의 내부로 질소 가스를 주입하는 질소 가스 주입 수단을 포함하여 이루어진다.
반도체 제조, 열산화, 열확산, 확산로,-
公开(公告)号：KR101016441B1
公开(公告)日：2011-02-21
申请号：KR1020080124277
申请日：2008-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 게이트 전극과 소스-드레인 전극 형상 간 오정렬을 방지하고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 하부 게이트형 유기박막 트랜지스터 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 유기박막 트랜지스터 제조 방법은, 게이트 전극과 게이트 절연막이 형성된 기판 전면 상에 형상반전 감광막과 광 표백물질막을 도포하는 단계와, 마스크를 사용하여 상기 형상반전 감광막 중에서 필드 영역의 감광막만을 선택적으로 감광시키는 단계와, 상기 형상 반전 감광막 중에서 상기 게이트 전극 상부에 위치한 감광막이 감광되고 소스-드레인 전극 형성 영역의 감광막은 감광되지 않도록 전면 노광을 실시하는 단계와, 상기 전면 노광 후, 상기 광 표백물질막을 제거하고, 감광된 상기 필드 영역 및 게이트 전극 상부의 감광막을 형상 반전시키는 단계와, 전면 노광을 실시하여, 형상 반전되지 않은 상기 소스-드레인 전극 형성 영역의 감광막을 감광시키는 단계와, 상기 감광된 소스-드레인 전극 형성 영역의 감광막을 현상액으로 제거하는 단계를 포함한다.
유기박막 트랜지스터, 게이트 전극-
公开(公告)号：KR100934216B1
公开(公告)日：2009-12-29
申请号：KR1020070125515
申请日：2007-12-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/70
Abstract: A bipolar phototransistor for a short wavelength and a manufacturing method thereof are provided to improve the characteristic of a leakage current by forming an anti-depletion layer in a surface of a base. A first base is formed in a base region(20) by the high energy ion implantation of a first type impurity. A second oxide film is formed in the front side of the substrate. An emitter region(30) and a blocking region are defined in a second oxide film. A second emitter and a second blocking layer are formed by ion-implanting a second impurity to the emitter region and the blocking region. A second anti-depletion layer is formed by ion-implanting the second impurity to the surface of the first base.
Abstract translation: 提供一种用于短波长的双极光电晶体管及其制造方法，以通过在基底的表面中形成抗耗尽层来改善泄漏电流的特性。 通过第一类型杂质的高能离子注入在基区（20）中形成第一基极。 第二氧化物膜形成在衬底的正面。 发射极区域（30）和阻挡区域被限定在第二氧化物膜中。 通过将第二杂质离子注入发射极区域和阻挡区域来形成第二发射极和第二阻挡层。 通过将第二杂质离子注入第一基底的表面来形成第二抗耗尽层。
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