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公开(公告)号：KR100170594B1
公开(公告)日：1999-03-20
申请号：KR1019960017848
申请日：1996-05-25
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G03F7/70691 , G21K1/10
Abstract: 본 발명은 마스크용 글래스 링 구조에 관한 것으로서, 종래 글래스 링 구조를 개선한 것이다.
즉, 본 발명은 종래의 글래스 링의 기능 및 역할을 크게 저하시키지 않으면서도 글래스 링과 실리콘 웨이퍼 뒷면과의 접촉면적을 적절히 축소 조절하여, 멤브레인의 편평도 및 OPD(Out-of-Plane Distortion)/IPD(In-Plane Distortion) 특성을 크게 개선시킬 수 있도록 한 것이다.
그 글래스 링의 구조는 실리콘 웨이퍼 뒷면과 접착부위 면적을 달리하기 위하여 실리콘 웨이퍼 외경 보다 작은 임의의 크기의 외경 및 이에 상응하는 임의의 내경 크기를 갖고서 마스크를 지지하도록 구성된 것이다.
또 다른 글래스 링의 구조는 여러 구조물 또는 여러 조각으로 구성할 수가 있고, 또한 글래스 링 표면에 글래스 링과 웨이퍼 뒷면과의 접촉면적을 고의로 축소하기 위해 소정 형태의 돌기들을 형성할 수 있는 구조로 된 것이다.-
公开(公告)号：KR1019950021023A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930026317
申请日：1993-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
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公开(公告)号：KR100218677B1
公开(公告)日：1999-09-01
申请号：KR1019960072531
申请日：1996-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G03F1/22 , G03F1/70 , H01L21/027
Abstract: 본 발명은 X-선 마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로, 얼라인먼트 윈도우(alignment window)부분의 멤브레인 위에 얼라인먼트 마크(alignment mark)를 형성하고, 얼라인먼트 윈도우 부분에서 얼라인먼트 마크 부분을 제외한 멤브레인 부분을 제거하여 관통공(through hole)들이 형성되게 함으로써, X-선 리소그래피(lithography) 공정동안에 얼라인먼트 마크에서 발생되는 얼라인먼트 신호(alignment signal)의 콘트라스트(contrast)를 최대로 할 수 있도록 한 기술이다.
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公开(公告)号：KR100198812B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960035934
申请日：1996-08-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 마스크 패턴(mask pattern)에 X-선을 노광(exposure)시켜, 그 마스크 패턴에 해당하는 형상(image)을 웨이퍼(wafer) 위에 전사(transfer)할 때 사용하는 X-선 마스크(X-ray mask)에 관한 것으로서, X-선 마스크 구성 요서의 하나인 지지링(support ring)의 구조를 개선한 것이다.
즉, 본 발명은 지지링의 기계적 강도(mechanical strength)를 향상시키고, 마스크 기판(mask subtrate)과 지지 링간의 열팽창계수(coefficient of thermal expansion)의 차이에 의한 마스크의 열적 변형(thermal distortion)을 최소화 하기 위해, 상기 지지링의 단면 구조를 종래의 단순 사각형 형태로부터 다각형이나 삼각형, 원형 등의 새로운 형태로 변경하거나, 보강용 홈(trench) 또는 보강용 빔(beam)을 종래의 지지 링에 추가한 새로운 구조의 지지 링을 사용하는 X-선 마스크에 관한 것이다. 본 발명은 상기의 X-선 마스크는 물론 전자빔 셀 투사용 리소그래피(electron-beam cell projection lithography)용 마스크 및 이온 빔 리소그래피(ion-beam lithography)용 마스크에도 응용할 수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019980053427A
公开(公告)日：1998-09-25
申请号：KR1019960072531
申请日：1996-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G03F1/22 , G03F1/70 , H01L21/027
Abstract: 본 발명은 X-선 마스크 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 얼라인먼트 윈도우(alignment window) 부분의 멤브레인 위에 얼라인먼트 마크(alignment mark)를 형성하고, 얼라인먼트 윈도우 부분에서 얼라인먼트 마크 부분을 제외한 멤브레인 부분을 제거하여 관통공(through hole)들이 형성되게 하므로써, X-선 리소그래피(lithography) 공정 동안에 얼라인먼트 마크에서 발생되는 얼라인먼트 신호(alignment signal)의 콘트라스트(contrast)를 최대로 할 수 있도록 한 기술이다.
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公开(公告)号：KR1019980036299A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960054857
申请日：1996-11-18
Inventor： 최상수 , 전영진 , 정해빈 , 유형준 , 엔조디파브리지오 , 마씨모젠틸리 , 루카그렐라 , 마르코바시오치 , 루이지마스트노지아코모 , 다니엘라페스치아롤리 , 로마노마기오라 , 프란세스코세리나
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 얼라인먼트 윈도우(alignment window)와 메인 칩 윈도우(main chip window)로 구성된 X-선 마스크에서, X-선 마스크와 웨이퍼를 정렬하기 위한 얼라인먼트 윈도우 부분에 형성되는 얼라인먼트 마크 패턴(alignment mark pattern)을 마스크 앞면 뿐만 아니라 마스크 뒷면에도 형성시켜 정렬 신호를 최적화하는 X-선 마스크 및 그 제조 방법이 기술된다.
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公开(公告)号：KR100119273B1
公开(公告)日：1997-09-30
申请号：KR1019930026317
申请日：1993-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: A fabrication method of X-ray mask is provided to reduce stress at the time of X-ray exposing using a guard ring. The method comprises the steps of: depositing an oxide layer(6) and a nitride layer(3) on a front and rear side of a silicon wafer(1), respectively; forming a guard ring(7) by etching the oxide layer(6) under CHF3/C2F6/He gas and the silicon wafer(1) under SF6 gas; depositing a silicon nitride(2) on the front side of the silicon wafer(1); defining an PMMA pattern(4) by E-bean exposure; and plating a gold metal(5) and lift-off the PMMA pattern(4). Thereby, it is possible to easily form a fine pattern without generating of stress by using the guard ring(7).
Abstract translation: 提供一种X射线掩模的制造方法，以减少使用保护环的X射线曝光时的应力。 该方法包括以下步骤：在硅晶片（1）的前表面和后侧分别淀积氧化物层（6）和氮化物层（3） 通过在SF6气体下在CHF 3 / C 2 F 6 / He气体和硅晶片（1）下蚀刻氧化物层（6）形成保护环（7） 在硅晶片（1）的正面上沉积氮化硅（2）; 通过E豆曝光定义PMMA图案（4）; 并镀金属金属（5）并剥离PMMA图案（4）。 由此，能够通过使用保护环（7）而容易地形成精细图案而不产生应力。
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公开(公告)号：KR1019930024107A
公开(公告)日：1993-12-21
申请号：KR1019920023361
申请日：1992-12-04
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 광노광장치를 이용하여 반도체장치의 미세패턴을 형성하는데 사용되는 미해상회절마스크에 관한 것으로, 광노광장비를 이용하여 리쏘그래피 공정을 수행함에 있어서, 주마스크와 보조적으로 사용하되 웨이퍼에 전혀 상이 전달되지 않는 미세 반복패턴으로 구성되고, 변형조명이나 초해상필터를 사용한 노광장비를 사용함에 있어서, 주마스크와 보조적으로 사용하되, 웨이퍼에 전혀 상이 전달되지 않는 미세 반복패턴으로 구성된 미해성회절층을 갖는다.
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