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公开(公告)号：KR1020090110193A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：KR1020080058878
申请日：2008-06-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01B1/08
CPC classification number: H01L29/263 , H01L29/78693
Abstract: PURPOSE: An oxide semiconductor thin film, an electro magnetic field effect transistor and a manufacturing method thereof are provided to obtain a transparent oxide semiconductor thin film without using metallic element. CONSTITUTION: An oxide semiconductor thin film, an electro magnetic field effect transistor and a manufacturing method thereof include an aluminium contained oxide, a zinc contained oxide, and a contained oxide. The oxide semiconductor thin film is in an amorphous state which is under 400 degrees. The field effect transistor includes a source/drain electrode, a gate insulating layer(30), an active layer(50), and a gate electrode(20) on the substrate.
Abstract translation: 目的：提供氧化物半导体薄膜，电磁场效应晶体管及其制造方法，以获得不使用金属元素的透明氧化物半导体薄膜。 构成：氧化物半导体薄膜，电磁场效应晶体管及其制造方法包括含铝的氧化物，含锌的氧化物和含有的氧化物。 氧化物半导体薄膜处于400度以下的非晶状态。 场效应晶体管在基板上包括源极/漏极，栅极绝缘层（30），有源层（50）和栅电极（20）。
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公开(公告)号：KR1020090108516A
公开(公告)日：2009-10-15
申请号：KR1020080044268
申请日：2008-05-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F1/1343 , C09D5/24
CPC classification number: G02F1/13439 , C23C14/086 , G02F1/13471 , H01L51/5215
Abstract: PURPOSE: A multilayer transparent insulation layer capable of performing minute pattern is provided to indicate etch resistance when forming a contact hole on top of the insulation layer without using indium. CONSTITUTION: A multilayer transparent oxide conductive pattern is as follows. An oxide layer(20) of a metal layer is laminated. The oxide layer includes ZnO, Al2O3 and SnO2. A metal layer(30) includes Ag by a main component. An oxide layer(40) includes Sb2Ox. The thickness of the oxide layer is the range between 55nm and 30nm. The thickness of the metal layer is the range between 12nm and 5nm.
Abstract translation: 目的：提供能够执行微小图案的多层透明绝缘层，以在不使用铟的情况下在绝缘层顶部形成接触孔时表示耐蚀刻性。 构成：多层透明氧化物导电图案如下。 层叠金属层的氧化物层（20）。 氧化物层包括ZnO，Al 2 O 3和SnO 2。 金属层（30）由主要成分构成Ag。 氧化物层（40）包括Sb 2 O x。 氧化物层的厚度在55nm和30nm之间。 金属层的厚度在12nm和5nm之间。
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公开(公告)号：KR1020070109762A
公开(公告)日：2007-11-15
申请号：KR1020060086033
申请日：2006-09-07
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H04M1/0266 , G06F1/1641 , G06F1/1643 , G06F1/1654 , H04M1/0214 , H04M1/72527 , H04M2250/12 , H04M2250/16
Abstract: An IO expansion device for a portable electronic apparatus is provided to expand functions of a portable electronic apparatus using an I/O expansion device that can be electrically and physically attached to and separated from the portable electronic apparatus. An IO expansion device for a portable electronic apparatus comprises a display body(151), an IO connector(153), and an interface cable. The display body(151) includes at least one display portion. The IO connector is formed at a portion of the display body. The interface cable is connected to the IO connector and a port to electrically and physically connect the display body with the portable electronic apparatus. The display body further comprises at least one functional electronic device connection port for connection with a functional electronic device to be electrically and physically attached to and separated from the IO expansion device. The display body displays information received from the functional electronic device connected with the connection port on the display portion or transfers the information to the portable electronic apparatus.
Abstract translation: 提供了一种用于便携式电子设备的IO扩展装置，用于扩展便携式电子设备的功能，该便携式电子设备使用能够电气和物理地附接到便携式电子设备并与便携式电子设备分离的I / O扩展装置。 用于便携式电子设备的IO扩展装置包括显示主体（151），IO连接器（153）和接口电缆。 显示体151包括至少一个显示部。 IO连接器形成在显示体的一部分。 接口电缆连接到IO连接器和用于将显示器主体与便携式电子设备电气和物理连接的端口。 显示体还包括至少一个功能性电子设备连接端口，用于与功能性电子设备连接以电气和物理地连接到IO扩展设备并与IO分离。 显示体显示从与显示部分上的连接端口连接的功能电子设备接收的信息，或将该信息传送到便携式电子设备。
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公开(公告)号：KR1020070061135A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：KR1020060050225
申请日：2006-06-05
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: A band signaling transmitter using multiplex waveguide structures is provided to transmit an electric signal of 50GHz or more generated from an MMIC mounted on a ceramic substrate. Signal transfer lines(210,220) of a multistage waveguide are connected to each other at least two stages on a substrate by at least two separated metal surfaces with different width and/or length by wiring an MMIC(Microwave Integrated Circuit Design). The signal transfer line has first double lines having two first metal surfaces separated by double-wiring the MMIC, and second double lines having two second metal surfaces different from the first metal surface in the width and length.
Abstract translation: 提供使用多路波导结构的频带信令发射机，以发射由安装在陶瓷基片上的MMIC产生的50GHz或更大的电信号。 通过布线MMIC（微波集成电路设计），多级波导的信号传输线（210,220）通过具有不同宽度和/或长度的至少两个分离的金属表面在至少两个阶段上彼此连接在基板上。 信号传输线具有第一双线，其具有通过MMIC双重布线分开的两个第一金属表面，以及具有与第一金属表面不同宽度和长度的两个第二金属表面的第二双线。
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公开(公告)号：KR1020070059882A
公开(公告)日：2007-06-12
申请号：KR1020060060388
申请日：2006-06-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03B5/18
CPC classification number: H03B5/1847 , H01P7/08
Abstract: An oscillator using a TFMS(Thin Film Micro Strip Line) is provided to improve a phase noise characteristic by increasing a line impedance of a connection unit between a resonator and an oscillator through a TFMS line. An oscillator using a TFMS includes a resonating unit resonating with one frequency band among variable frequencies. An oscillating unit oscillates an oscillating frequency by using the resonating frequency. A connecting unit connects the resonating unit and the oscillating unit through a TFMS line(240). The connecting unit includes a substrate(210), a ground(220) formed on the substrate(210), a dielectric layer(230) of dielectric material formed on the ground(220), and the TFMS line(240) formed on the dielectric layer(230).
Abstract translation: 提供了使用TFMS（薄膜微带线）的振荡器，以通过通过TFMS线增加谐振器和振荡器之间的连接单元的线路阻抗来改善相位噪声特性。 使用TFMS的振荡器包括与可变频率中的一个频带谐振的谐振单元。 振荡单元通过使用谐振频率振荡振荡频率。 连接单元通过TFMS线（240）连接谐振单元和振荡单元。 连接单元包括衬底（210），形成在衬底（210）上的接地（220），形成在接地（220）上的电介质材料的电介质层（230）和形成在基底上的TFMS线（240） 电介质层（230）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100617294B1
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：KR1020030083618
申请日：2003-11-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03G3/02
CPC classification number: H03F3/08 , H03F1/34 , H03F3/3432 , H03F3/50 , H03G3/3084
Abstract: 본원은 별도의 이득 제어 신호 생성 회로부의 구비없이 다이나믹 레인지를 용이하게 조절할 수 있는 귀환 증폭기를 개시한다. 개시된 본 발명의 귀환 증폭기는, 입력 전류로부터 입력 전압이 검출되는 입력 단자, 출력 신호를 생성하기 위하여 상기 입력 전압을 증폭하는 귀환 증폭부, 및 상기 귀환 증폭부에 의하여 증폭된 신호를 출력하는 출력 단자를 포함한다. 이때, 상기 귀환 증폭부는, 상기 입출력 단자 사이에 설치되는 귀환 저항 및 상기 귀환 저항과 병렬로 접속된 귀환 트랜지스터로 구비된 귀환 회로부; 및 상기 귀환 회로부의 귀환 트랜지스터에 소정의 바이어스 전압을 공급하며 상기 귀환 증폭부내에 머지된 바이어스 회로부를 포함한다.
귀환 증폭기, AGC(Automatic Gain Control), 광수신기, 바이어스 회로부-
公开(公告)号：KR100605425B1
公开(公告)日：2006-07-28
申请号：KR1020040083337
申请日：2004-10-18
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01P1/203
Abstract: 본 발명은 홈 네트워크, 텔레메틱스, 지능망교통시스템 및 위성 인터넷 등에 적용되는 협대혁 마이크로스트립형 대역통과필터에 관한 것으로, 보다 상세하게는 소정의 신호가 입력되는 입력단자; 특성 대역의 선택신호가 출력되는 출력단자; 상기 입력단자의 적어도 일부와 전계결합되는 제1 공진기; 상기 제1 공진기의 적어도 일부와 전계결합되는 제2 공진기; 및 상기 출력단자 및 상기 제2 공진기의 적어도 일부와 전계결합되는 제3 공진기를 포함하여 구성되며, 또한 서로 인접하지 않은 공진기 간에는 교차결합 갭 혹은 교차결합선로로 자계결합을 형성함으로써, 밀리미터파 부품의 저가격 구현하기 위하여 설계 및 제조공정을 최적화하여 패턴을 단순화할 수 있을 뿐만 아니라 부품의 소형으로 생산 단가를 개선할 수 있으며, 대량 생산이 용이하게 할 수 있는 효과가 있다.
대역통과필터, 마이크로스트립, 교차결합 갭, 병렬결합, 감쇠극, 감쇠주파수, 전계결합, 자계결합, 교차결합선로-
公开(公告)号：KR100577931B1
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：KR1020030062415
申请日：2003-09-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B26/00
CPC classification number: G02B6/29319 , G02B6/02076 , G02B6/278 , G02B6/29322 , H01S3/0675 , H01S3/0941 , H01S3/106 , H01S3/1608
Abstract: 본 발명은 차세대(~ 5세대) 초고속 무선 인터넷 서비스를 위한 밀리미터파 무선 가입자 통신 시스템의 기지국에서 무선 가입자에게 전송되는 밀리미터파의 발진 주파수 신호원으로 사용될 수 있는 밀리미터파 대역 주파수 광 발진기에 관한 것으로, 루프 거울과 한 쌍의 광섬유 격자 거울들을 사용한다. 파장 고정형과 파장 가변형 광섬유 격자 거울을 직렬로 연결하여 각각의 파장에 적합한 두개의 레이저 모드가 동시에 발진할 수 있는 이중 모드 레이저 공진기를 형성함으로서 두 레이저 모드 사이의 맥놀이 현상에 의해 초고주파수(60㎓ 이상)로 변조되는 레이저 광원을 얻을 수 있다.
광 발진기, 루프 거울, 광증폭 광섬유, 광섬유 격자 거울, 이중 모드-
公开(公告)号：KR1020060034177A
公开(公告)日：2006-04-21
申请号：KR1020040083337
申请日：2004-10-18
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01P1/203
Abstract: 본 발명은 홈 네트워크, 텔레메틱스, 지능망교통시스템 및 위성 인터넷 등에 적용되는 협대혁 마이크로스트립형 대역통과필터에 관한 것으로, 보다 상세하게는 소정의 신호가 입력되는 입력단자; 특성 대역의 선택신호가 출력되는 출력단자; 상기 입력단자의 적어도 일부와 전계결합되는 제1 공진기; 상기 제1 공진기의 적어도 일부와 전계결합되는 제2 공진기; 및 상기 출력단자 및 상기 제2 공진기의 적어도 일부와 전계결합되는 제3 공진기를 포함하여 구성되며, 또한 서로 인접하지 않은 공진기 간에는 교차결합 갭 혹은 교차결합선로로 자계결합을 형성함으로써, 밀리미터파 부품의 저가격 구현하기 위하여 설계 및 제조공정을 최적화하여 패턴을 단순화할 수 있을 뿐만 아니라 부품의 소형으로 생산 단가를 개선할 수 있으며, 대량 생산이 용이하게 할 수 있는 효과가 있다.
대역통과필터, 마이크로스트립, 교차결합 갭, 병렬결합, 감쇠극, 감쇠주파수, 전계결합, 자계결합, 교차결합선로-
20.发明公开
公开(公告)号：KR1020050065891A
公开(公告)日：2005-06-30
申请号：KR1020030097051
申请日：2003-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/092 , H01L21/8228 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/66242 , H01L21/84 , H01L27/1203
Abstract: 본 발명은 SOI 기판 위에 구현된 NMOS 소자, PMOS 소자 및 SiGe BiCMOS 소자 및 그 제조 방법으로써, Si 기반의 초고속 소자를 제조함에 있어, SOI 기판상에 SiGe HBT와 CMOS를 탑재하되, 콜렉터는 베이스의 측방에 배치한 HBT를 탑재하고, 특히 CMOS에서 소오스/드레인을 SiGe 및 금속등을 사용함으로써 누설전류를 방지하여 저전력화 하고, 칩내부의 발열을 억제하며, 저전압에서 넓은 회로동작영역의 확보를 가능하게 함을 특징으로 한다.
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