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公开(公告)号：KR1020170043985A
公开(公告)日：2017-04-24
申请号：KR1020160025207
申请日：2016-03-02
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 발광다이오드를제조하는방법이제공된다. 상기발광다이오드의제조방법은성장기판상에버퍼층, 초격자층, n형반도체층, 활성층, 및 p형반도체층을차례로형성하되, 상기초격자층은교대로그리고반복적으로적층된제1 및제2 서브층들을포함하는것, 상기성장기판의하면으로부터상기초격자층까지연장되는비아홀을형성하는것, 및상기비아홀 내에 n형전극을형성하는것을포함한다. 나아가, 상기비아홀을형성하는것은유도플라즈마분광법을이용하여상기비아홀의바닥면의위치를파악하는것을포함한다.
Abstract translation: 提供了一种制造发光二极管的方法。 用于制造发光二极管的方法是生长衬底的缓冲层，所述超晶格层，所述n型半导体层，有源层和p型，但半导体层，然后，将基础网格层交替和重复的层叠体在第一mitje第二子 形成从生长衬底的表面延伸到栅格层下面的相的通孔以及在通孔中形成n型电极。 此外，形成通孔包括使用感应等离子体光谱来定位通孔的底面。
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公开(公告)号：KR1020140057423A
公开(公告)日：2014-05-13
申请号：KR1020120121398
申请日：2012-10-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/042 , H01L31/0749
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/022425 , H01L31/0749 , Y02E10/541
Abstract: A compound semiconductor solar cell according to an embodiment of the present invention comprises: a rear electrode arranged on a substrate; a hole injection layer arranged on the rear electrode; a light absorption layer arranged on the hole injection layer; and a transparent front electrode arranged on the light absorption layer, wherein the hole injection layer is composed of metal oxide comprising one or more metal elements.
Abstract translation: 根据本发明实施例的化合物半导体太阳能电池包括：布置在基板上的后电极; 布置在后电极上的空穴注入层; 布置在空穴注入层上的光吸收层; 以及布置在所述光吸收层上的透明前电极，其中所述空穴注入层由包含一种或多种金属元素的金属氧化物构成。
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公开(公告)号：KR1020140056543A
公开(公告)日：2014-05-12
申请号：KR1020120120415
申请日：2012-10-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/186 , C23C14/5853 , C23C14/5866 , H01L21/02485 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02554 , H01L21/02557 , H01L21/02614 , H01L31/0749 , H01L31/1828 , H01L31/1864 , Y02E10/50 , Y02E10/541 , Y02E10/543 , Y02P70/521
Abstract: Provided is a method for manufacturing a solar cell. A light absorption layer is formed on a substrate. A buffer layer is formed on the light absorption layer. A window electrode layer is formed on the buffer layer. Forming the buffer layer includes depositing a metallic material on the light absorption layer, supplying a non-metallic material on the light absorption layer, supplying a gas material which includes oxygen atom on the light absorption layer, and making the non-metallic material react with the metallic material. The gas material including oxygen atom reacts with the metallic material and the non-metallic material to form metal sulfur oxide on the light absorption layer.
Abstract translation: 提供一种太阳能电池的制造方法。 在基板上形成光吸收层。 在光吸收层上形成缓冲层。 在缓冲层上形成窗口电极层。 形成缓冲层包括在光吸收层上沉积金属材料，在光吸收层上提供非金属材料，在光吸收层上提供包含氧原子的气体材料，并使非金属材料与 金属材料。 包含氧原子的气体材料与金属材料和非金属材料反应，以在光吸收层上形成金属硫氧化物。
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公开(公告)号：KR1020120054365A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：KR1020100115710
申请日：2010-11-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L21/203
CPC classification number: H01L31/03923 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: PURPOSE: A compound semiconductor solar battery and a manufacturing method thereof are provided to reduce manufacturing costs of the solar battery by forming an impurity diffusion prevention film in the same chamber with a back side electrode. CONSTITUTION: An impurity diffusion prevention film(120) is provided to a substrate and is composed of one metal layer among chrome, cobalt, or copper. An alkali component is added to the impurity diffusion prevention film. The thickness of the impurity diffusion prevention film is 0.01 to 10micrometers. A back side electrode is provided to the impurity diffusion prevention film and is composed of molybdenum. A CIGS system light absorption layer(140) is provided to the back side electrode. A front side transparent electrode(160) is provided to the CIGS system light absorption layer.
Abstract translation: 目的：提供一种化合物半导体太阳能电池及其制造方法，以通过在与背面电极相同的室内形成杂质扩散防止膜来降低太阳能电池的制造成本。 构成：在基板上设置杂质扩散防止膜（120），由铬，钴或铜中的一层金属层构成。 向杂质扩散防止膜中添加碱成分。 杂质扩散防止膜的厚度为0.01〜10微米。 背面电极设置在杂质扩散防止膜上，由钼构成。 CIGS系统光吸收层（140）设置在背面电极上。 将前侧透明电极（160）设置到CIGS系统光吸收层。
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公开(公告)号：KR1020100136790A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：KR1020090055080
申请日：2009-06-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L31/0392 , H01L31/03923 , H01L31/03925 , H01L31/072 , Y02E10/52 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: PURPOSE: A copper-indium-gallium-selenium(CIGS)-based thin film solar cell and a method for manufacturing the same are provided to increase the efficiency of the solar cell by facilitating the movement of electric charges generated by solar light. CONSTITUTION: A metal electrode layer(110) is arranged on a substrate(100). The specific resistance of the metal electrode layer is low. The metal electrode layer is composed of molybdenum. An optical absorbent layer(120) is formed on the metal electrode layer. A buffer layer, containing an indium-gallium nitride film, is formed on the optical absorbent layer(130). A transparent electrode layer(140) is formed on the buffer layer.
Abstract translation: 目的：提供一种基于铜铟镓硒（CIGS）的薄膜太阳能电池及其制造方法，以通过促进太阳光产生的电荷的移动来提高太阳能电池的效率。 构成：在基板（100）上配置金属电极层（110）。 金属电极层的电阻率低。 金属电极层由钼构成。 在金属电极层上形成光吸收层（120）。 在光吸收层（130）上形成有含有氮化铟镓膜的缓冲层。 在缓冲层上形成透明电极层（140）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101777598B1
公开(公告)日：2017-09-14
申请号：KR1020110106020
申请日：2011-10-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0749 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 태양전지의제조방법이제공된다. 그의제조방법은기판상에하부전극을형성하는단계; 상기하부전극상에광 흡수층을형성하는단계; 상기광 흡수층 상에버퍼층을형성하는단계; 상기버퍼층 상에서로다른전기적특성을갖는진성층과투명전극을포함하는윈도우층을형성하는단계를포함한다. 여기서, 상기진성층과투명전극은불순물로도핑된금속산화물로이루어진단일타깃을사용하는스퍼터링공정에의해형성될수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150092991A
公开(公告)日：2015-08-17
申请号：KR1020140013696
申请日：2014-02-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/04
Abstract: 본 발명은 태양전지를 개시한다. 태양전지는, 기판 상의 하부 전극 층과, 상기 하부 전극 층 상에 배치되고 제 1 에너지 밴드 갭을 갖는 광 흡수 층과, 상기 광 흡수 층 상에 배치되고 상기 제 1 에너지 밴드 갭보다 높은 제 2 에너지 밴드 갭을 갖는 상부 전극 층과, 상기 상부 전극 층과 상기 광 흡수 층 사이에 배치된 버퍼 층을 포함한다. 여기서, 상기 버퍼 층은 상기 제 1 에너지 밴드 갭과 제 2 에너지 밴드 갭 사이에서 연속적으로 변화되는 가변 에너지 밴드 갭을 갖는 ZnO
1
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x S
x 를 포함하고, 상기 x의 값은 0.15 내지 0.9일 수 있다.Abstract translation: 在本发明中，公开了一种太阳能电池。 太阳能电池包括设置在基板上的下电极层; 光吸收层，其设置在下电极层上，具有第一能带隙; 布置在所述光吸收层上并具有比所述第一能带隙高的第二能带隙的上电极层; 以及布置在上电极层和光吸收层之间的缓冲层。 这里，缓冲层包括在第一能带隙和第二能带间隙之间连续变化的可变能带隙的ZnO_（1-x）S_x，其中x的值为0.15〜0.9。
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公开(公告)号：KR1020140064075A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：KR1020120130991
申请日：2012-11-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/042 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/03923 , H01L31/0543 , H01L31/0749 , Y02E10/52 , Y02E10/541
Abstract: A solar cell and a method for manufacturing the same are provided. The method for manufacturing the solar cell includes: forming a light absorption layer on a substrate; forming a window electrode on the light absorption layer; and bonding a light scattering sheet having a concavo-convex shape to the window electrode. The light scattering sheet is a single layer consisting of a bonding material.
Abstract translation: 提供太阳能电池及其制造方法。 太阳能电池的制造方法包括：在基板上形成光吸收层; 在所述光吸收层上形成窗口电极; 并将具有凹凸形状的光散射片接合到窗口电极。 光散射片是由接合材料构成的单层。
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公开(公告)号：KR101358300B1
公开(公告)日：2014-02-10
申请号：KR1020090125467
申请日：2009-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/0224 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 CIGS 태양전지 및 그 제조방법이 제공된다. 그의 방법은 다수개의 돌기들이 노출되는 버퍼층을 형성한다. 이후, 버퍼층의 다수개의 돌기를 따라 울퉁불퉁하게 굴곡되는 상부표면을 갖는 윈도우 전극층을 형성한다. 따라서, 윈도우 전극층의 상부표면을 거칠게 가공하기 위한 별도의 가공처리를 요구하지 않기 때문에 생산성을 향상할 수 있다.
버퍼층, 돌기, 난반사, 윈도우(window), 전극-
公开(公告)号：KR1020130031020A
公开(公告)日：2013-03-28
申请号：KR1020110094670
申请日：2011-09-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/0445
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0445
Abstract: PURPOSE: A solar cell is provided to be used as a back contact electrode for a tensile strain layer and a compressible strain layer. CONSTITUTION: A back contact electrode including a tensile strain layer(120-1) and a compressible strain layer(120-2) is formed on a substrate(110). A light absorption layer is formed on the back contact electrode. A buffer layer is formed on the light absorption layer. A front electrode is formed on the buffer layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用作拉伸应变层和可压缩应变层的背面接触电极的太阳能电池。 构成：在基板（110）上形成包括拉伸应变层（120-1）和可压缩应变层（120-2）的背面接触电极。 在背面接触电极上形成光吸收层。 在光吸收层上形成缓冲层。 在缓冲层上形成前电极。
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