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公开(公告)号：KR1020060085743A
公开(公告)日：2006-07-28
申请号：KR1020050006561
申请日：2005-01-25
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본 발명은 AFM(Atomic Force Microscope)의 나노튜브 탐침(nanotube-probe)의 제조 방법 및 그러한 방법에 의해 제조되는 나노튜브 탐침에 관한 것으로서, 더 구체적으로는 나노튜브가 부착되는 탐침의 팁(tip)과 나노튜브 사이의 이종접합(heterojunction)에 의해 나노튜브가 탐침의 팁에 보다 견고하게 고착되고, 이종접합에 의해 탐침과 나노튜브 사이의 전도성을 개선 수 있으며, 기존의 나노튜브 탐침과는 달리 탐침의 팁에 부착되는 나노튜브에 불순물이 부착되는 것을 근원적으로 방지하여 기존의 나노튜브 탐침보다 우수한 스캐닝 영상을 얻을 수 있는, AFM의 나노튜브 탐침의 제조 방법 및 그러한 방법에 의해 제조되는 나노튜브 탐침에 관한 것이다. 본 발명에 따른 AFM의 나노튜브 탐침의 제조 방법은, 상기 나노튜브를 상기 탐침의 팁(tip)에 부착시키는 단계와, 상기 나노튜브가 부착된 상기 탐침을 금속 기판 위에 올려 놓는 단계와, 상기 탐침이 올려져 있는 상기 금속 기판에 레이저(laser)를 조사하여 상기 금속 기판을 가열하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020160013423A
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：KR1020140094768
申请日：2014-07-25
Applicant: 한국해양대학교 산학협력단 , 한국표준과학연구원 , 연세대학교 산학협력단
IPC: H01S3/10
CPC classification number: H01S3/10
Abstract: 본발명은주파수변조가가능한고효율 THz 트랜스시버에대한것이다. 본발명에따른주파수변조가가능한고효율 THz 트랜스시버는, 활성층(active layer); 상기활성층의일측상부에위치하는광전도안테나; 상기광전도안테나상에형성된나노격자안테나(NGA); 상기활성층의타측하부에위치하는반도체기판; 및상기기판상부면과활성층사이의경계면에위치하는표면플라즈몬결합기(SPC)를포함하되, 상기활성층은인듐갈륨비소(InGaAs) 박막또는 InGaAs/InAlAs 다층양자우물층(MQW layer)을포함하는이종적층박막으로형성되고, 상기광전도안테나는, 일정길이평행하게연장형성된금속평행전송선로; 상기금속평행전송선로의중앙영역에서내측으로마주보도록대칭되게돌출된중앙돌출부; 및상기금속평행전송선로의양단에대칭되게연장형성된전극패드를포함하여형성된다. 상기 NGA는상기광전도안테나의중앙돌출부에위치하고, 적어도하나이상의패턴이패터닝되어연속적으로배열될수 있다. 상기 SPC는상기활성층하부면에위치할수도있으며다수개의패턴들이동심원을이루도록주기적으로패터닝하여형성될수 있으며, 다른형태로도가능하며, 금속재질로형성될수 있다. 또한, 본발명에따른주파수변조가가능한고효율 THz 트랜스시버는개별소자로구성된 THz파송신기(Tx) 또는수신기(Rx)에적용하거나, 단일기판상의하나의광전도안테나로 THz파를발생및 검출하는 THz 트랜스시버에적용할수 있으며단일기판상에일정간격이격되어집적된 Tx 및 Rx에적용될수 있도록구성함으로써, 개별소자또는단일소자내에서 THz파를전송하고검출할수 있다. 상기한구성에의해본 발명에따른주파수변조가가능한고효율 THz 트랜스시버는 NGA 및 SPC를집적하여 THz파의생성출력과측정감도를높일수 있고, 동시에일정한밴드폭으로발생된 THz파가표면플라즈몬공명구조를통과하면서주파수가변조될수 있도록구성함으로써주파수선택성을가질수 있는효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种能够进行频率调制的高效率THz接收机。 根据本发明的能够进行频率调制的高效率THz接收机包括：有源层; 位于有源层一侧的上部的感光天线; 在光电导天线上形成的纳米光栅天线（NGA）; 位于有源层的另一侧的下部的半导体衬底; 以及位于基板上表面和有源层之间的边界表面上的表面等离子体激元耦合器（SPC）。 高效率的THz收发器可以通过累积NGA和SPC来增加HTZ波的发生输出和测量灵敏度，并具有频率选择性的作用。
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公开(公告)号：KR100767994B1
公开(公告)日：2007-10-18
申请号：KR1020050110592
申请日：2005-11-18
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본 발명은 입자빔(particle beam)을 이용한 나노 크기 물질(nanometer-scale material)의 변형 방법 및 그러한 방법을 이용하여 제조되는 나노 공구(nano-tool)에 관한 것이다. 본 발명에 따른 입자빔을 이용한 나노 크기 물질의 변형 방법은 나노 크기 물질에 입자빔을 조사하여 상기 나노 크기 물질을 상기 입자빔의 방향으로 휘게 하는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 本发明涉及使用粒子束改性纳米级材料的方法和使用这种方法制造的纳米工具。 与根据本发明的特征在于，粒子束所述纳米级材料的变形经线在所述粒子束的方向上的纳米尺寸的材料照射粒子束的纳米级材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100679613B1
公开(公告)日：2007-02-06
申请号：KR1020050044794
申请日：2005-05-27
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브 에미터를 구비하는 전계 방출 디스플레이(Field Emmision Display : FED) 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더 구체적으로는 전계 방출 디스플레이의 에미터 역할을 하는 탄소나노튜브의 지향 방향 및 형상을 이온빔, 특히 집속된 이온빔을 이용하여 조절함으로써 탄소나노튜브 에미터의 전자 방출 효율을 극대화하여 저전압으로도 높은 휘도를 낼 수 있으며, 또한 탄소나노튜브 에미터에 의한 전자 방출을 균일화하여 균일한 휘도를 낼 수 있는 탄소나노튜브 에미터를 구비하는 전계 방출 디스플레이 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 탄소나노튜브 에미터를 구비하는 전계 방출 디스플레이는 하부 기판과, 상기 하부 기판 위에 형성되는 캐소드 전극과, 상기 캐소드 전극에 제공되는 탄소나노튜브 에미터와, 상기 탄소나노튜브 에미터를 둘러싸도록 형성되는 게이트 절연층과, 상기 게이트 절연층 위로 형성되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극과 스페이서에 의해 일정한 간극을 두고 상기 게이트 전극을 상부에서 덮는 전면판과, 상기 게이트 전극을 마주보도록 상기 전면판 아래로 형성되는 애노드 전극과, 상기 애노드 전극에 형성되어 상기 탄소나노튜브 에미터에서 방출되는 전자에 의해 발광되는 형광체층을 포함하며, 상기 탄소나노튜브 에미터는 이온빔의 조사에 의해 상기 탄소나노튜브 에미터의 전자 방출 방향으로 정렬되어 펴진 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR101626806B1
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：KR1020140094768
申请日：2014-07-25
Applicant: 한국해양대학교 산학협력단 , 한국표준과학연구원 , 연세대학교 산학협력단
IPC: H01S3/10
CPC classification number: H01S3/10
Abstract: 본발명은주파수변조가가능한고효율 THz 트랜스시버에대한것이다. 본발명에따른주파수변조가가능한고효율 THz 트랜스시버는, 활성층(active layer); 상기활성층의일측상부에위치하는광전도안테나; 상기광전도안테나상에형성된나노격자안테나(NGA); 상기활성층의타측하부에위치하는반도체기판; 및상기기판상부면과활성층사이의경계면에위치하는표면플라즈몬결합기(SPC)를포함하되, 상기활성층은인듐갈륨비소(InGaAs) 박막또는 InGaAs/InAlAs 다층양자우물층(MQW layer)을포함하는이종적층박막으로형성되고, 상기광전도안테나는, 일정길이평행하게연장형성된금속평행전송선로; 상기금속평행전송선로의중앙영역에서내측으로마주보도록대칭되게돌출된중앙돌출부; 및상기금속평행전송선로의양단에대칭되게연장형성된전극패드를포함하여형성된다. 상기 NGA는상기광전도안테나의중앙돌출부에위치하고, 적어도하나이상의패턴이패터닝되어연속적으로배열될수 있다. 상기 SPC는상기활성층하부면에위치할수도있으며다수개의패턴들이동심원을이루도록주기적으로패터닝하여형성될수 있으며, 다른형태로도가능하며, 금속재질로형성될수 있다. 또한, 본발명에따른주파수변조가가능한고효율 THz 트랜스시버는개별소자로구성된 THz파송신기(Tx) 또는수신기(Rx)에적용하거나, 단일기판상의하나의광전도안테나로 THz파를발생및 검출하는 THz 트랜스시버에적용할수 있으며단일기판상에일정간격이격되어집적된 Tx 및 Rx에적용될수 있도록구성함으로써, 개별소자또는단일소자내에서 THz파를전송하고검출할수 있다. 상기한구성에의해본 발명에따른주파수변조가가능한고효율 THz 트랜스시버는 NGA 및 SPC를집적하여 THz파의생성출력과측정감도를높일수 있고, 동시에일정한밴드폭으로발생된 THz파가표면플라즈몬공명구조를통과하면서주파수가변조될수 있도록구성함으로써주파수선택성을가질수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR101626804B1
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：KR1020140088578
申请日：2014-07-14
Applicant: 한국해양대학교 산학협력단 , 한국표준과학연구원 , 연세대학교 산학협력단
IPC: H01S5/10
CPC classification number: H01S5/10
Abstract: 본발명은테라헤르츠(terahertz, THz) 대역에서동작하는무전압트랜스시버에대한것이다. 본발명에따른 THz 대역에서동작하는무전압트랜스시버는, 기판; 상기기판상에위치하고, THz파는전송하고바이어스전압을사용하지않는송신기(Tx); 및상기 Tx와일정간격이격되게위치하고 THz파를검출하는수신기(Rx)를포함하되, 상기 Tx는일정한두께및 선폭을가지는금속선로로구성되고, 상기 Rx는, 상기기판상에위치하는제2 활성층; 및상기제2 활성층상에위치하는광전도안테나를포함한다. 상기한구성에의해본 발명에따른 THz 대역에서동작하는무전압트랜스시버는바이어스전압을사용하지않아신호대잡음비가현저히개선되고, 피크전력이낮은레이저펄스를사용할수 있으며, 인체를대상으로해야하는의료진단용장비에적용되는경우에도안전하게사용될수 있다.
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公开(公告)号：KR100873154B1
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：KR1020080009662
申请日：2008-01-30
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F1/72 , H01L21/0274
Abstract: The repair device of photomask and repair method using the same are provided to save the time and performs all the processes when checking and replacing the atomic force microscope probe. The photomask repair device comprises the atomic force microscope(112) for repair, the electron microscope(116), and the atomic force microscope for imaging. The atomic force microscope for repair repairs the defection portion of the photomask(101). The electron microscope guides the atomic force microscope for repair to be positioned in the defection portion of photomask. The electron microscope observes the repair process of photomask by the atomic force microscope for repair. The atomic force microscope for imaging images the shape of photomask after repair in the In-situ.
Abstract translation: 提供光掩模修复装置及其修复方法，以便在检查和更换原子力显微镜探针时节省时间并执行所有过程。 光掩模修复装置包括用于修复的原子力显微镜（112），电子显微镜（116）和用于成像的原子力显微镜。 用于修理的原子力显微镜修复光掩模（101）的缺陷部分。 电子显微镜引导原子力显微镜进行修复，定位在光掩模的缺陷部分。 电子显微镜观察原子力显微镜修复光掩模的修复过程。 用于在原位修复后对成像图像形成光原子的原子力显微镜。
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公开(公告)号：KR100473791B1
公开(公告)日：2005-03-08
申请号：KR1020020052591
申请日：2002-09-02
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본 발명은 주사형 전자현미경 (scanning electron microscope; SEM) 나노니들 조작기 (nanoneedle manipulator)를 이용하여, 모체 팁의 형상에 상관없이, 상기 모체 팁에 고정되는 탄소나노튜브(canbon nanotube) 또는 나노와이어 (nanowire)와 같은 나노니들(nanoneedle) 의 방향 및 상기 모체 팁의 끝으로부터 도출되는 나노니들의 길이가 조절된, 주사형 탐침 현미경(scanning probe microscope; SPM)용 나노니들팁(nanoneedle tip)과 그 제조장치 및 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 주사형 탐침 현미경용 나노니들팁 제조장치는, 모체 팁을 고정하고 자유도가 상대적으로 큰 모체 팁 스테이지와, 그 모체 팁에 부착될 나노니들을 고정하고, 자유도가 상대적으로 큰 나노니들 스테이지를 포함하고, 상기 스테이지들 및 상기 스테이지들을 구성하는 복수개의 요소들이 수동적으로 수평, 수 직 및 회전되면서 주사형 탐침 현미경용 나노니들팁을 제조하는 데에 특징이 있다.
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