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公开(公告)号：KR1020140127683A
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020130046347
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/06 , C23C16/448
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 주석 전구체에 관한 것으로, 상기 주석 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성이 향상되어 양질의 황을 포함하는 주석 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 , R
2 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R
3 , R
4 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오르화 알킬기이며, E는 S, Se 또는 Te이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)Abstract translation: 本发明涉及以下式1表示的锡前体。作为包含硫的前体的锡前体在制造薄膜时不需要加入单独的硫。 锡前体具有改善的热稳定性，由此形成包含优质硫的锡薄膜。 [式1]（式中，R 1和R 2各自独立地为C 1〜C 10的直链或支链烷基，R 3和R 4各自独立地为C 1〜C 10的直链或支链烷基或C 1 -C 10的直链或支链氟代烷基， C10，E为S，Se或Te，n为选自1〜3的整数。）。
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公开(公告)号：KR1020140127682A
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020130046346
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F5/003 , C23C16/305
Abstract: 본발명은하기화학식 1 또는화학식 4로표시되는갈륨전구체에관한것으로, 상기갈륨전구체는황을포함하고있는전구체로서박막제조중에별도의황을첨가시키지않아도되는장점이있고열적안정성이향상되어양질의황화갈륨박막을형성할수 있다.[화학식 1](상기식에서, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형의알킬기또는 C1-C10의선형또는분지형의플루오로알킬기이며, X 는 Cl, Br 또는 I이고, n은 1 내지 3 범위의정수에서선택된다.)[화학식 4](상기식에서, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형의알킬기또는 C1-C10의선형또는분지형의플루오르화알킬기이며, Y는 SeCN 또는 SCN이고, n은 1 내지 3 범위의정수에서선택된다.)
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1或化学式4表示的镓前体。镓前体是包含硫的前体，提供了在薄膜的制造过程中分配需要分离加入硫的优点，并且具有 增强的热稳定性，从而形成质量好的硫化镓薄膜。 在化学式1中，R 1和R 2各自独立地为直链或支链C 1 -C 10烷基，R 3和R 4各自独立地为直链或支链C 1 -C 10烷基或直链或支链C 1 -C 10氟代烷基，X为Cl ，Br或I，n为选自1至3的整数。在化学式4中，R 1和R 2各自独立地为直链或支链C 1 -C 10烷基，R 3和R 4各自独立地为直链或支链C 1 -C 10 烷基或直链或支链C 1 -C 10氟代烷基，Y为SeCN或SCN，n为选自1至3的整数。
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公开(公告)号：KR101331971B1
公开(公告)日：2013-11-25
申请号：KR1020120048230
申请日：2012-05-07
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 주석 전구체에 관한 것으로, 상기 주석 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성과 휘발성이 향상되어 양질의 황화주석 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R1, R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 C1-C10의 플루오르화 알킬기이며, n은 1 내지 3이다.)-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101331970B1
公开(公告)日：2013-11-25
申请号：KR1020120047442
申请日：2012-05-04
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 인듐 전구체에 관한 것으로, 상기 인듐 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성과 휘발성이 향상되어 양질의 황화인듐 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R1, R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 C1-C10의 플루오르화 알킬기이며, X 는 Cl, Br 또는 I이고, n은 1 내지 3이다.)-
公开(公告)号：KR1020130127025A
公开(公告)日：2013-11-22
申请号：KR1020120048239
申请日：2012-05-07
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F1/08 , C23C16/305 , C23C16/45553
Abstract: The present invention relates to a copper precursor represented by chemical formula 1, wherein the copper precursor includes sulfur, has no need of adding separate sulfur during manufacturing thin films, and improves thermal stability and volatility, thereby allowing high quality copper sulfide thin films. In chemical formula 1, R1 and R2 are linear or branched alkyl of C1-C10, respectively, R3 and R4 are linear or branched alkyl of C1-C10 or fluorinated alkyl of C1-C10, respectively, and n is selected from numbers 1 to 3.
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的铜前体，其中铜前体包括硫，在制造薄膜期间不需要添加单独的硫，并且提高热稳定性和挥发性，从而允许高质量的硫化铜薄膜。 在化学式1中，R1和R2分别是C1-C10的直链或支链烷基，R3和R4分别是C1-C10的直链或支链烷基或C1-C10的氟化烷基，n选自数1至 3。
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公开(公告)号：KR101530045B1
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：KR1020130046350
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는갈륨전구체에관한것으로, 상기갈륨전구체는황을포함하고있는전구체로서박막제조중에별도의황을첨가시키지않아도되는장점이있고열적안정성과휘발성이향상되어양질의황화갈륨박막을형성할수 있다.[화학식 1](상기식에서, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형의알킬기또는 C1-C10의선형또는분지형의플루오르화알킬기이며, n은 1 내지 3 범위의정수에서선택된다.)
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公开(公告)号：KR101331972B1
公开(公告)日：2013-11-25
申请号：KR1020120048239
申请日：2012-05-07
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 구리 전구체에 관한 것으로, 상기 구리 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성과 휘발성이 향상되어 양질의 황화구리 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R1, R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 C1-C10의 플루오르화 알킬기이며, n은 1에서 3사이의 숫자에서 선택된다.)-
公开(公告)号：KR1020130123920A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：KR1020120047442
申请日：2012-05-04
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F5/003 , C23C16/305 , C23C16/45525
Abstract: The present invention relates to an indium precursor represented by chemical formula 1. The indium precursor includes sulfur, has improved thermal stability and volatilization properties, and forms a sulfur indium thin film. In chemical formula 1, each of R1 and R2 is independently a C1-C10 linear or branched alkyl group, each of R3 and R4 is independently a C1-C10 linear or branched alkyl group or a C1-C10 alkyl fluoride group; X is Cl, Br, or I; and n is 1-3.
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的铟前体。铟前体包括硫，具有改善的热稳定性和挥发性，并形成硫铟薄膜。 在化学式1中，R 1和R 2各自独立地为C 1 -C 10直链或支链烷基，R 3和R 4各自独立地为C 1 -C 10直链或支链烷基或C 1 -C 10烷基氟基; X是Cl，Br或I; n为1-3。
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