금속 산화물/질화물/황화물 박막의 전사 방법 및 이에 사용되는 전사용 시트
    1.
    发明申请
    금속 산화물/질화물/황화물 박막의 전사 방법 및 이에 사용되는 전사용 시트 审中-公开
    用于转移金属氧化物/氮化物/硫化物薄膜的方法及其使用的转移片

    公开(公告)号:WO2013168968A1

    公开(公告)日:2013-11-14

    申请号:PCT/KR2013/003961

    申请日:2013-05-07

    CPC classification number: C23C16/403 C23C14/185 C23C16/01 C23C16/0281

    Abstract: 기재 상에 금속 산화물/질화물/황화물 박막을 형성하고 고분자 지지층을 형성한 뒤 기재를 제거하여 수득하는 전사용 시트는, 원하는 다른 기재 상에 접착한 뒤 고분자 지지층을 제거함으로써 금속 산화물/질화물/황화물 박막을 전사 하는데 유용하게 사용될 수 있으며, 이와 같이 전사된 금속 산화물/질화물/황화물 박막은 원하는 두께로 형성될 수 있어서, 그래핀 전극 등을 사용하는 다양한 전자 소자의 제조를 보다 용이하게 할 수 있다.

    Abstract translation: 通过在基板上形成金属氧化物/氮化物/硫化物薄膜,形成聚合物支撑层和除去基板而获得的转印片材可用于通过粘附到另一所需的材料上来转移金属氧化物/氮化物/硫化物薄膜 并除去聚合物支撑层。 由此转移的金属氧化物/氮化物/硫化物薄膜可以形成所需的厚度,从而便于使用石墨烯电极等制备各种电子器件。

    아미노싸이올레이트를 이용한 아연 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법
    3.
    发明公开
    아미노싸이올레이트를 이용한 아연 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 无效
    具有亚氨基酸盐的ZINC前体,其制备方法和使用其形成薄膜的方法

    公开(公告)号:KR1020130127024A

    公开(公告)日:2013-11-22

    申请号:KR1020120048237

    申请日:2012-05-07

    CPC classification number: Y02E10/50 C07F3/06 C23C16/306 H01L31/0445

    Abstract: The present invention relates to a zinc precursor represented by a chemical formula 1. The zinc precursor comprises sulfur and has advantages such as eliminating the need for separately adding sulfur while manufacturing a thin film, and forming a high-quality zinc sulfide thin film due to enhanced thermal stability and volatility. [Chemical formula 1] (In the chemical formula, R1 and R2 respectively are a linear alkyl group of C1-C10 or a branched alkyl group of C1-C10, R3 and R4 respectively are a linear alkyl group of C1-C10, a branched alkyl group of C1-C10, or a fluorinated alkyl group of C1-C10, and n is an integer of 1-3)

    Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的锌前体。锌前体包含硫,具有如下优点:在制造薄膜时不需要单独添加硫,并且由于制备薄膜而形成高质量的硫化锌薄膜 增强的热稳定性和挥发性。 [化学式1](化学式中,R1,R2分别为C1-C10的直链烷基或C1-C10的支链烷基,R3和R4分别为C1-C10的直链烷基,支链 C1-C10的烷基或C1-C10的氟化烷基,n为1-3的整数)

    아미노싸이올레이트를 이용한 주석 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법
    9.
    发明公开
    아미노싸이올레이트를 이용한 주석 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 有权
    具有氨基苯甲酸酯的前体前体,其制备方法和使用其形成薄膜的方法

    公开(公告)号:KR1020130127023A

    公开(公告)日:2013-11-22

    申请号:KR1020120048230

    申请日:2012-05-07

    CPC classification number: C07F7/2284 C07F7/2268 C23C16/305 C23C16/45525

    Abstract: The present invention relates to a tin precursor represented by chemical formula 1. The tin precursor has an advantage that the addition of separate sulfur is not needed in the process of manufacturing a thin film and can form a high quality tin sulfide thin film by improving the thermal stability and volatility. In chemical formula 1, each of R1 and R2 is independently a C1-C10 linear or branched alkyl group; each of R3 and R4 is independently a C1-C10 linear or branched alkyl group or a C1-C10 alkyl fluoride group; and n is 1-3.

    Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的锡前体。锡前体具有以下优点:在制造薄膜的过程中不需要添加单独的硫,并且可以通过改进形成高质量的硫化锡薄膜 热稳定性和挥发性。 在化学式1中,R 1和R 2各自独立地为C 1 -C 10直链或支链烷基; R 3和R 4各自独立地为C 1 -C 10直链或支链烷基或C 1 -C 10烷基氟基; n为1-3。

    금속 산화물/질화물/황화물 박막의 전사 방법 및 이에 사용되는 전사용 시트
    10.
    发明公开
    금속 산화물/질화물/황화물 박막의 전사 방법 및 이에 사용되는 전사용 시트 有权
    用于转移金属氧化物/氮化物/硫化物薄膜的方法及其使用的转移片

    公开(公告)号:KR1020130124820A

    公开(公告)日:2013-11-15

    申请号:KR1020120048247

    申请日:2012-05-07

    Abstract: A transfer sheet is obtained by removing a base material after forming a metal oxide/nitride/sulfide thin film and a polymer support layer on the base material. The transfer sheet is used for transferring the metal oxide/nitride/sulfide thin film by removing the polymer support layer after the polymer support layer is attached to the desired base material. Various electronic devices using a graphene electrode and the like are easily used by forming the transferred metal oxide/nitride/sulfide thin film with a desired thickness.

    Abstract translation: 通过在基材上形成金属氧化物/氮化物/硫化物薄膜和聚合物载体层之后除去基材来获得转印片。 转印片用于在聚合物支撑层附着到所需的基材上之后通过除去聚合物支撑层来转移金属氧化物/氮化物/硫化物薄膜。 通过形成所需厚度的转移的金属氧化物/氮化物/硫化物薄膜,易于使用使用石墨烯电极等的各种电子装置。

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