Abstract:
기재 상에 금속 산화물/질화물/황화물 박막을 형성하고 고분자 지지층을 형성한 뒤 기재를 제거하여 수득하는 전사용 시트는, 원하는 다른 기재 상에 접착한 뒤 고분자 지지층을 제거함으로써 금속 산화물/질화물/황화물 박막을 전사 하는데 유용하게 사용될 수 있으며, 이와 같이 전사된 금속 산화물/질화물/황화물 박막은 원하는 두께로 형성될 수 있어서, 그래핀 전극 등을 사용하는 다양한 전자 소자의 제조를 보다 용이하게 할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 아미노싸이올레이트 리간드를 이용한 금속 전구체에 관한 것으로, 상기 금속 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성과 휘발성이 향상되어 양질의 황화금속 박막을 형성할 수 있다.
Abstract:
The present invention relates to a zinc precursor represented by a chemical formula 1. The zinc precursor comprises sulfur and has advantages such as eliminating the need for separately adding sulfur while manufacturing a thin film, and forming a high-quality zinc sulfide thin film due to enhanced thermal stability and volatility. [Chemical formula 1] (In the chemical formula, R1 and R2 respectively are a linear alkyl group of C1-C10 or a branched alkyl group of C1-C10, R3 and R4 respectively are a linear alkyl group of C1-C10, a branched alkyl group of C1-C10, or a fluorinated alkyl group of C1-C10, and n is an integer of 1-3)
Abstract:
PURPOSE: A contact formation of silicon solar cells using conductive ink with nano-sized glass frit is provided to minimize the loss of electrode material and to reduce production costs. CONSTITUTION: An emitter layer(202) is formed on the upper part of a substrate. A reflection barrier layer is formed on the emitter layer. A first conductive layer(204) is patterned in the reflection barrier layer. A second conductive layer(205) is formed in the upper surface of the first conductive layer. A conductive ink composite is used in the process for forming the second conductive layer.
Abstract:
본 발명은 나노사이즈 글래스 프릿이 함유된 전도성 잉크 조성물 및 이를 이용한 태양전지 전면 전극에 관한 것으로, 특히 전도성 잉크를 제조하는 단계에 있어서 사용되는 졸-겔 공정에 의한 나노 사이즈의 글래스 프릿 (glass frit)의 제조 방법을 포함한다. 글래스 프릿은 실리콘 태양전지 전면전극 재료에 필수 성분이며, 잉크젯 프린팅과 같은 비접촉 인쇄공정에 적용 가능 할 수 있도록 금속 전도성 잉크와 함께 높은 분산성을 가질 수 있다. 본 발명은 낮은 비용으로 태양전지 전극 조성물을 제조하고, 비접촉 인쇄공정을 통해 고효율 실리콘 태양전지 제조에 적용 할 수 있다.
Abstract:
The present invention relates to an indium precursor represented by chemical formula 1. The indium precursor includes sulfur, has improved thermal stability and volatilization properties, and forms a sulfur indium thin film. In chemical formula 1, each of R1 and R2 is independently a C1-C10 linear or branched alkyl group, each of R3 and R4 is independently a C1-C10 linear or branched alkyl group or a C1-C10 alkyl fluoride group; X is Cl, Br, or I; and n is 1-3.
Abstract:
본 발명은 태양전지 전극 형성에 이용 가능한 비접촉 인쇄 공정용 전도성 잉크 조성물을 이용한 태양전지 전면 전극 형성 방법 및 상기 방법에 의해 제조된 전면 전극을 포함하는 태양전지에 관한 것으로, 특히 전면 전극을 형성하는 단계에 있어서 사용되는 전도성 잉크는 금속 나노 입자, 나노 사이즈의 유리 프릿 (glass frit) 및 유기 비히클을 포함한다. 본 발명은 기판에 물리적 손상을 주지 않는 비접촉 인쇄공정에 적용 가능하며, 추가적인 마스크 패터닝 공정 없이 양질의 태양전지 전면 전극을 형성 할 수 있다.
Abstract:
기재 상에 금속 산화물/질화물/황화물 박막을 형성하고 고분자 지지층을 형성한 뒤 기재를 제거하여 수득하는 전사용 시트는, 원하는 다른 기재 상에 접착한 뒤 고분자 지지층을 제거함으로써 금속 산화물/질화물/황화물 박막을 전사 하는데 유용하게 사용될 수 있으며, 이와 같이 전사된 금속 산화물/질화물/황화물 박막은 원하는 두께로 형성될 수 있어서, 그래핀 전극 등을 사용하는 다양한 전자 소자의 제조를 보다 용이하게 할 수 있다.
Abstract:
The present invention relates to a tin precursor represented by chemical formula 1. The tin precursor has an advantage that the addition of separate sulfur is not needed in the process of manufacturing a thin film and can form a high quality tin sulfide thin film by improving the thermal stability and volatility. In chemical formula 1, each of R1 and R2 is independently a C1-C10 linear or branched alkyl group; each of R3 and R4 is independently a C1-C10 linear or branched alkyl group or a C1-C10 alkyl fluoride group; and n is 1-3.
Abstract:
A transfer sheet is obtained by removing a base material after forming a metal oxide/nitride/sulfide thin film and a polymer support layer on the base material. The transfer sheet is used for transferring the metal oxide/nitride/sulfide thin film by removing the polymer support layer after the polymer support layer is attached to the desired base material. Various electronic devices using a graphene electrode and the like are easily used by forming the transferred metal oxide/nitride/sulfide thin film with a desired thickness.