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1.发明申请
公开(公告)号：WO2013165221A1
公开(公告)日：2013-11-07
申请号：PCT/KR2013/003879
申请日：2013-05-03
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C23C16/305 , C07F1/005 , C07F3/003 , C07F7/003 , C07F7/2284 , C07F9/902
Abstract: 본 발명은 아미노싸이올레이트 리간드를 이용한 금속 전구체에 관한 것으로, 상기 금속 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성과 휘발성이 향상되어 양질의 황화금속 박막을 형성할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用氨基硫醇配体的金属前体，其中金属前体包含硫，并且具有在制造薄膜时不需要单独添加硫的优点，并且由于制备高质量的金属硫化物薄膜而形成 增强的热稳定性和挥发性。
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公开(公告)号：KR101530044B1
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：KR1020130046346
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은하기화학식 1 또는화학식 4로표시되는갈륨전구체에관한것으로, 상기갈륨전구체는황을포함하고있는전구체로서박막제조중에별도의황을첨가시키지않아도되는장점이있고열적안정성이향상되어양질의황화갈륨박막을형성할수 있다.[화학식 1](상기식에서, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형의알킬기또는 C1-C10의선형또는분지형의플루오로알킬기이며, X 는 Cl, Br 또는 I이고, n은 1 내지 3 범위의정수에서선택된다.)[화학식 4](상기식에서, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형의알킬기또는 C1-C10의선형또는분지형의플루오르화알킬기이며, Y는 SeCN 또는 SCN이고, n은 1 내지 3 범위의정수에서선택된다.)
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公开(公告)号：KR1020130127023A
公开(公告)日：2013-11-22
申请号：KR1020120048230
申请日：2012-05-07
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F7/2284 , C07F7/2268 , C23C16/305 , C23C16/45525
Abstract: The present invention relates to a tin precursor represented by chemical formula 1. The tin precursor has an advantage that the addition of separate sulfur is not needed in the process of manufacturing a thin film and can form a high quality tin sulfide thin film by improving the thermal stability and volatility. In chemical formula 1, each of R1 and R2 is independently a C1-C10 linear or branched alkyl group; each of R3 and R4 is independently a C1-C10 linear or branched alkyl group or a C1-C10 alkyl fluoride group; and n is 1-3.
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的锡前体。锡前体具有以下优点：在制造薄膜的过程中不需要添加单独的硫，并且可以通过改进形成高质量的硫化锡薄膜 热稳定性和挥发性。 在化学式1中，R 1和R 2各自独立地为C 1 -C 10直链或支链烷基; R 3和R 4各自独立地为C 1 -C 10直链或支链烷基或C 1 -C 10烷基氟基; n为1-3。
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公开(公告)号：KR101530043B1
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：KR1020130046345
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는인듐전구체에관한것으로, 상기인듐전구체는황을포함하고있는전구체로서박막제조중에별도의황을첨가시키지않아도되는장점이있고열적안정성과휘발성이향상되어양질의황화인듐박막을형성할수 있다.[화학식 1](상기식에서, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형의알킬기또는 C1-C10의선형또는분지형의플루오르화알킬기이며, n은 1 내지 3 범위의정수에서선택된다.)
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公开(公告)号：KR1020140127680A
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020130046344
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F5/003 , C23C16/305
Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는인듐전구체에관한것으로, 상기인듐전구체는황을포함하고있는전구체로서박막제조중에별도의황을첨가시키지않아도되는장점이있고열적안정성이향상되어양질의황을포함하는인듐박막을형성할수 있다.[화학식 1](상기식에서, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형의알킬기또는 C1-C10의선형또는분지형의플루오르화알킬기이며, Y는 SeCN 또는 SCN이고, n은 1 내지 3 범위의정수에서선택된다.)
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的铟前体。铟前体含有硫，在薄膜制造期间不需要添加额外的硫作为前体，并且能够通过改进的热量形成含有高质量硫的铟薄膜 稳定性。 在化学式1中，R 1和R 2分别是C 1 -C 10的直链或支链烷基。 R_3和R_4是C1-C10的直链或支链烷基或C1-C10的直链或支链氟化烷基。 Y是SeCN或SCN。 n为1-3的整数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101530042B1
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：KR1020130046344
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는인듐전구체에관한것으로, 상기인듐전구체는황을포함하고있는전구체로서박막제조중에별도의황을첨가시키지않아도되는장점이있고열적안정성이향상되어양질의황을포함하는인듐박막을형성할수 있다.[화학식 1](상기식에서, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형의알킬기또는 C1-C10의선형또는분지형의플루오르화알킬기이며, Y는 SeCN 또는 SCN이고, n은 1 내지 3 범위의정수에서선택된다.)
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公开(公告)号：KR101503032B1
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：KR1020130046347
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/06 , C23C16/448
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 주석 전구체에 관한 것으로, 상기 주석 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성이 향상되어 양질의 황을 포함하는 주석 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 , R
2 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R
3 , R
4 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오르화 알킬기이며, E는 S, Se 또는 Te이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)-
公开(公告)号：KR1020140127681A
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020130046345
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F5/003 , C23C16/305
Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는인듐전구체에관한것으로, 상기인듐전구체는황을포함하고있는전구체로서박막제조중에별도의황을첨가시키지않아도되는장점이있고열적안정성과휘발성이향상되어양질의황화인듐박막을형성할수 있다.[화학식 1](상기식에서, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형의알킬기또는 C1-C10의선형또는분지형의플루오르화알킬기이며, n은 1 내지 3 범위의정수에서선택된다.)
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的铟前体。铟前体含有硫，在薄膜制造期间不需要添加额外的硫作为前体，并且能够通过改进的热稳定性形成高质量的硫化铟薄膜 和波动。 在化学式1中，R 1和R 2分别是C 1 -C 10的直链或支链烷基。 R_3和R_4是C1-C10的直链或支链烷基或C1-C10的内衬或支链氟化烷基。 n为1-3的整数。
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公开(公告)号：KR1020130127024A
公开(公告)日：2013-11-22
申请号：KR1020120048237
申请日：2012-05-07
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F3/06 , C23C16/18 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50 , C07F3/06 , C23C16/306 , H01L31/0445
Abstract: The present invention relates to a zinc precursor represented by a chemical formula 1. The zinc precursor comprises sulfur and has advantages such as eliminating the need for separately adding sulfur while manufacturing a thin film, and forming a high-quality zinc sulfide thin film due to enhanced thermal stability and volatility. [Chemical formula 1] (In the chemical formula, R1 and R2 respectively are a linear alkyl group of C1-C10 or a branched alkyl group of C1-C10, R3 and R4 respectively are a linear alkyl group of C1-C10, a branched alkyl group of C1-C10, or a fluorinated alkyl group of C1-C10, and n is an integer of 1-3)
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的锌前体。锌前体包含硫，具有如下优点：在制造薄膜时不需要单独添加硫，并且由于制备薄膜而形成高质量的硫化锌薄膜 增强的热稳定性和挥发性。 [化学式1]（化学式中，R1，R2分别为C1-C10的直链烷基或C1-C10的支链烷基，R3和R4分别为C1-C10的直链烷基，支链 C1-C10的烷基或C1-C10的氟化烷基，n为1-3的整数）
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公开(公告)号：KR1020140127685A
公开(公告)日：2014-11-04
申请号：KR1020130046350
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F5/003 , C23C16/305
Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는갈륨전구체에관한것으로, 상기갈륨전구체는황을포함하고있는전구체로서박막제조중에별도의황을첨가시키지않아도되는장점이있고열적안정성과휘발성이향상되어양질의황화갈륨박막을형성할수 있다.[화학식 1](상기식에서, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형의알킬기또는 C1-C10의선형또는분지형의플루오르화알킬기이며, n은 1 내지 3 범위의정수에서선택된다.)
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的镓前体。镓前体是包含硫的前体，提供了在薄膜的制造过程中分配需要分离加入硫的优点，并具有增强的热稳定性和 挥发性，从而形成质量好的硫化镓薄膜。 在化学式1中，R 1和R 2各自独立地为直链或支链C 1 -C 10烷基，R 3和R 4各自独立地为直链或支链C 1 -C 10烷基或直链或支链C 1 -C 10氟代烷基，n为 1〜3的整数。
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