-
1.发明申请
公开(公告)号：WO2013165221A1
公开(公告)日：2013-11-07
申请号：PCT/KR2013/003879
申请日：2013-05-03
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C23C16/305 , C07F1/005 , C07F3/003 , C07F7/003 , C07F7/2284 , C07F9/902
Abstract: 본 발명은 아미노싸이올레이트 리간드를 이용한 금속 전구체에 관한 것으로, 상기 금속 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성과 휘발성이 향상되어 양질의 황화금속 박막을 형성할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用氨基硫醇配体的金属前体，其中金属前体包含硫，并且具有在制造薄膜时不需要单独添加硫的优点，并且由于制备高质量的金属硫化物薄膜而形成 增强的热稳定性和挥发性。
-
公开(公告)号：KR101472473B1
公开(公告)日：2014-12-12
申请号：KR1020120136556
申请日：2012-11-28
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 게르마늄 전구체에 관한 것으로, 상기 게르마늄 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성과 휘발성이 향상되어 양질의 황화게르마늄 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R1, R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬 또는 플루오로알킬기이며, n은 1에서 3사이의 숫자에서 선택된다.)Abstract translation: 本发明涉及涉及由式（1），其中，所述的Ge前体具有的是不需要在作为含有硫和在质量硫化物的热稳定性和挥发性提高的前体产生的薄膜添加一个额外的硫的优点表示的Ge前体 可以形成锗薄膜。
-
公开(公告)号：KR1020130127024A
公开(公告)日：2013-11-22
申请号：KR1020120048237
申请日：2012-05-07
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F3/06 , C23C16/18 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50 , C07F3/06 , C23C16/306 , H01L31/0445
Abstract: The present invention relates to a zinc precursor represented by a chemical formula 1. The zinc precursor comprises sulfur and has advantages such as eliminating the need for separately adding sulfur while manufacturing a thin film, and forming a high-quality zinc sulfide thin film due to enhanced thermal stability and volatility. [Chemical formula 1] (In the chemical formula, R1 and R2 respectively are a linear alkyl group of C1-C10 or a branched alkyl group of C1-C10, R3 and R4 respectively are a linear alkyl group of C1-C10, a branched alkyl group of C1-C10, or a fluorinated alkyl group of C1-C10, and n is an integer of 1-3)
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的锌前体。锌前体包含硫，具有如下优点：在制造薄膜时不需要单独添加硫，并且由于制备薄膜而形成高质量的硫化锌薄膜 增强的热稳定性和挥发性。 [化学式1]（化学式中，R1，R2分别为C1-C10的直链烷基或C1-C10的支链烷基，R3和R4分别为C1-C10的直链烷基，支链 C1-C10的烷基或C1-C10的氟化烷基，n为1-3的整数）
-
公开(公告)号：KR101380897B1
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：KR1020120136559
申请日：2012-11-28
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F9/908 , C23C16/305
Abstract: The present invention relates to an antimony precursor denoted by chemical formula 1. The antimony precursor is a precursor which includes sulfur and does not require the addition of separate sulfur for the production of a thin film, and enables users to produce a high quality antimony thin film by having improved thermal stability and volatility. In chemical formula 1: R1 and R2 are independently a C1-C10 linear or branched alkyl group; R3 and R4 are independently a C1-C10 linear or branched alkyl or fluoroalkyl group; and n is a number selected from 1-3.
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的锑前体。锑前体是包含硫的前体，并且不需要添加分开的硫用于生产薄膜，并且能够使用户生产高质量的锑薄 膜具有改善的热稳定性和挥发性。 在化学式1中：R1和R2独立地为C1-C10直链或支链烷基; R3和R4独立地为C1-C10直链或支链烷基或氟代烷基; 并且n是选自1-3的数字。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101331972B1
公开(公告)日：2013-11-25
申请号：KR1020120048239
申请日：2012-05-07
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 구리 전구체에 관한 것으로, 상기 구리 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성과 휘발성이 향상되어 양질의 황화구리 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R1, R2는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R3, R4는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 C1-C10의 플루오르화 알킬기이며, n은 1에서 3사이의 숫자에서 선택된다.)-
公开(公告)号：KR1020140068720A
公开(公告)日：2014-06-09
申请号：KR1020120136560
申请日：2012-11-28
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: The present invention relates to a germanium precursor represented by Chemical Formula 1. If the germanium precursor is a precursor which has improved thermal stability and includes chalcogen, the germanium precursor is advantageous because separated chalcogen does not have to be added during the production of a thin film so that a germanium thin film including good quality chalcogen can be produced. [Chemical Formula 1] (In Formula, A is O or S; E is S, Se, or Te; R1 and R2 are independently C1-C10 linear or branched alkyl groups; R3 and R4 are independently C1-C10 linear or branched alkyl or fluoroalkyl groups; and n is selected from the numbers between 1 and 3.).
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的锗前体。如果锗前体是具有改善的热稳定性并包括硫族元素的前体，锗前体是有利的，因为在制备薄的时候不必加入分离的硫族元素 使得可以生产包括优质硫属元素的锗薄膜。 [化学式1]（式中，A为O或S; E为S，Se或Te; R 1和R 2独立地为C 1 -C 10直链或支链烷基; R 3和R 4独立地为C 1 -C 10直链或支链烷基 或氟代烷基; n选自1和3之间的数字）。
-
公开(公告)号：KR1020140068718A
公开(公告)日：2014-06-09
申请号：KR1020120136556
申请日：2012-11-28
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F7/30 , C23C16/305
Abstract: The present invention relates to a germanium precursor represented by Chemical Formula 1. The germanium precursor is a precursor including sulfur. The germanium precursor is advantageous because separated sulfur does not have to be added during the production of a thin film and has improved thermal stability and volatility so that a good quality germanium sulfide thin film can be produced. [Chemical Formula 1] (In Formula, R1 and R2 are independently C1-C10 linear or branched alkyl groups; R3 and R4 are independently C1-C10 linear or branched alkyl or fluoroalkyl groups; and n is selected from the numbers between 1 and 3.).
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的锗前体。锗前体是包含硫的前体。 锗前体是有利的，因为在制备薄膜期间不必加入分离的硫，并且具有改善的热稳定性和挥发性，从而可以生产出优质的硫化锗薄膜。 [化学式1]（式中，R 1和R 2独立地为C 1 -C 10直链或支链烷基; R 3和R 4独立地为C 1 -C 10直链或支链烷基或氟代烷基; n选自1至3 ）。
-
公开(公告)号：KR101472472B1
公开(公告)日：2014-12-12
申请号：KR1020120136560
申请日：2012-11-28
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는게르마늄전구체에관한것으로, 상기게르마늄전구체는열적안정성이향상되고, 칼코겐을포함하고있는전구체인경우에는박막제조중에별도의칼코겐을첨가시키지않아도되는장점이있어양질의칼코겐이포함된게르마늄박막을형성할수 있다. [화학식 1](상기식에서, A는 O 또는 S이고, E는 S, Se 또는 Te이고, R1, R2는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R3, R4는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형의알킬또는플루오로알킬기이며, n은 1에서 3사이의숫자에서선택된다.)
-
公开(公告)号：KR1020130127025A
公开(公告)日：2013-11-22
申请号：KR1020120048239
申请日：2012-05-07
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F1/08 , C23C16/305 , C23C16/45553
Abstract: The present invention relates to a copper precursor represented by chemical formula 1, wherein the copper precursor includes sulfur, has no need of adding separate sulfur during manufacturing thin films, and improves thermal stability and volatility, thereby allowing high quality copper sulfide thin films. In chemical formula 1, R1 and R2 are linear or branched alkyl of C1-C10, respectively, R3 and R4 are linear or branched alkyl of C1-C10 or fluorinated alkyl of C1-C10, respectively, and n is selected from numbers 1 to 3.
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的铜前体，其中铜前体包括硫，在制造薄膜期间不需要添加单独的硫，并且提高热稳定性和挥发性，从而允许高质量的硫化铜薄膜。 在化学式1中，R1和R2分别是C1-C10的直链或支链烷基，R3和R4分别是C1-C10的直链或支链烷基或C1-C10的氟化烷基，n选自数1至 3。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.014 seconds)
