公开(公告)号：KR1020170034780A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：KR1020160120991

申请日：2016-09-21

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이정오 ,  양철수 ,  안기석 ,  버나드두댕 ,  틴다라베르두치 ,  파올로사모리 ,  에마누엘레오리구 ,  박세린

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/00 ,  H01L51/05

Abstract: 본발명은금속산화물및/또는금속수산화물함유금속층과의계면에서금속산화물및/또는금속수산화물함량을저감시키면서탄소계패시베이션막을형성시키는방법; 이를이용하여금속층및 상기금속층상에형성된탄소계패시베이션막을구비한금속전극; 및이를이용하여용액공정으로유기소자를제조하는방법에관한것이다. 본발명에따른어닐링조건에서탄소계패시베이션막을금속산화물및/또는금속수산화물함유금속층표면에형성시키는경우, 금속표면에이미존재하는산화막및/또는수산화막을환원시키고더 이상의산화및 부식이일어나지않도록금속표면을보호할수 있을뿐만아니라, 계면저항이낮아서금(Au)과같이자연산화막이형성되지않는금속전극으로활용할수 있다.

Abstract translation: 如何实现本发明，同时减少在使用包含金属氧化物和/或金属氢氧化物，以形成基于碳的钝化膜的金属层的界面上的金属氧化物和/或金属氢氧化物的内容; 金属电极，具有金属层和形成在金属层上的碳基钝化膜; 以及使用其的溶液法制造有机器件的方法。 当根据本发明的用于形成含有金属表面的碳基钝化膜的金属在退火条件氧化物和/或金属氢氧化物，金属表面艾米存在氧化物和/或金属的氢氧化物，使得减少和另外的氧化和腐蚀发生膜表面 不仅被保护，可以使用，因为这是一个自然氧化膜不形成作为界面电阻低，金（Au）的金属电极。

公开(公告)号：KR1020150002972A

公开(公告)日：2015-01-08

申请号：KR1020130074870

申请日：2013-06-27

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 최원진 ,  이정오 ,  박동원 ,  박세린 ,  양철수 ,  김범수

IPC: G01B7/16 ,  G01L1/20

CPC classification number: G01B7/16 ,  G01L1/20 ,  G01N27/308 ,  G01N27/4111 ,  G01N27/4146

Abstract: The present invention relates to a bipolar strain sensor having a carbon nanotube (CNT) network film on a flexible substrate and a manufacturing method thereof. The bipolar strain sensor of the present invention can electrically detect and measure the size and orientation of the strain by applying metallic carbon nanotubes and the semiconducting carbon nanotubes, which are randomly arranged and connected, on one surface of the flexible substrate. Moreover, the bipolar strain sensor of the present invention has an advantage of being mass-manufactured at low cost through an easy and simple process and of being used as a chemical sensor capable of electrically detecting the presence and concentration of certain chemicals.

Abstract translation: 本发明涉及一种在柔性基板上具有碳纳米管（CNT）网状膜的双极应变传感器及其制造方法。 本发明的双极应变传感器可以通过在柔性基板的一个表面上施加金属碳纳米管和随机排列和连接的半导体碳纳米管来电检测和测量该应变的尺寸和取向。 此外，本发明的双极应变传感器具有通过简单且简单的方法以低成本批量制造并且用作能够电检测某些化学品的存在和浓度的化学传感器的优点。

公开(公告)号：KR1020140010649A

公开(公告)日：2014-01-27

申请号：KR1020120077173

申请日：2012-07-16

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 최원진 ,  이정오 ,  양철수

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0274 ,  B29C59/026 ,  B32B37/1207

Abstract: The purpose of the present invention is to provide a method for fabricating a thin film pattern using soft lithography and a thin film pattern fabricated by the same. The soft lithography used for the method for fabricating a thin film pattern according to the present invention comprises: a first step of depositing a thin film on a substrate; a second step of forming a silicon resin adhesive layer on the thin film; a third step of fabricating a silicon resin stamp for forming a pattern on the thin film; a fourth step of converting the adhesive layer formed in the second step and the pattern part of the silicon resin stamp formed in the step 3 into an active adhesive layer by performing surface modification; a fifth step of attaching the pattern part of the silicon stamp converted into the active adhesive layer in the fourth step to the adhesive layer and causing a dehydration condensation reaction; and a sixth step of forming the pattern on the substrate by removing the silicon resin stamp from the substrate. The thin film pattern is fabricated using the method and includes a pattern formed on a thin film, which is made of one type of thin film among a crystalline thin film, metal thin film, amorphous thin film, and polymer thin film, on a substrate. According to the present invention, a pattern can be formed on films made of all types of materials including a crystalline thin film by using the soft lithography process.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种使用软光刻制造薄膜图案的方法和由其制造的薄膜图案。 根据本发明的用于制造薄膜图案的方法的软光刻包括：在基板上沉积薄膜的第一步骤; 在薄膜上形成硅树脂粘合剂层的第二步骤; 制造用于在薄膜上形成图案的硅树脂印模的第三步骤; 通过进行表面改性，将在步骤3中形成的粘合剂层和形成在步骤3中的硅树脂印模的图案部分转化成活性粘合剂层的第四步骤; 在第四步骤中将转换成活性粘合剂层的硅印迹图案部分附着到粘合剂层上并进行脱水缩合反应的第五步骤; 以及通过从衬底去除硅树脂印模在衬底上形成图案的第六步骤。 使用该方法制造薄膜图案，并且包括在基板上形成的薄膜上形成的图案，其由晶体薄膜，金属薄膜，非晶薄膜和聚合物薄膜中的一种薄膜构成 。 根据本发明，可以通过使用软光刻工艺在由包括晶体薄膜的所有类型的材料制成的膜上形成图案。

公开(公告)号：KR101905646B1

公开(公告)日：2018-10-10

申请号：KR1020160133143

申请日：2016-10-13

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 최원진 ,  박세린 ,  이정오 ,  양철수 ,  공기정 ,  장현주 ,  안기석 ,  임진오 ,  채시은

IPC: C01B31/04 ,  H01B1/04 ,  H01B5/14 ,  B01J21/00 ,  B01J23/00

CPC classification number: B01J21/00 ,  B01J23/00 ,  H01B1/04 ,  H01B5/14

Abstract: 본발명은고분자매개성그래핀전사법을이용하되, 고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재(substrate)를제조하는방법; 그래핀표면으로부터잔류물없이고분자를제거하는방법; 그래핀상 고분자패턴형성방법; 유기용매처리시고분자층이제거되지않도록그래핀상에고분자층을고정하는방법; 및고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재를포함하는전기전자소자에관한것이다. 본발명은금속함유층 상(上) 그래핀박막의표면에너지를증가시키는금속함유층의금속표면상태를결정하고, 상기결정된금속표면상태로금속함유층을변화시키는조건을결정하는것이특징이다.

公开(公告)号：KR1020170093699A

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：KR1020160183252

申请日：2016-12-30

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이정오 ,  양철수 ,  최원진 ,  정두원 ,  박세린 ,  버나드두댕 ,  아텔마무드

IPC: G01N33/00 ,  G01N21/77 ,  G01N33/497

Abstract: 본발명은 2차원센서물질의민감도향상방법; 민감도가향상된 2차원센서물질함유복합체; 및 2차원센서물질의민감도가향상된박막형센서소자에관한것이다. 본발명에따른 2차원센서물질의민감도향상방법은그 위에탑재되는 2차원센서물질함유박막상에나노스케일의지형(topography) 및비균일정전전위(non-uniform electrostatic potential)을제공할수 있는기재를준비하는제1단계; 및제1단계의기재에 2차원센서물질함유박막을전사또는인쇄하는제2단계를포함한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于改善二维传感器材料的灵敏度的方法; 一种灵敏度提高的含二维传感器材料的复合物; 以及具有改进的二维传感器材料的灵敏度的薄膜传感器元件。 根据本发明方法制备的衬底，可以提供含有纳米级（地形）的薄膜形貌和非均匀的静电电势（非均匀静电势）被安装在其上的二维传感器材料增强二维传感器材料的灵敏度， 的第一步骤; 以及将包含二维传感器物质的薄膜转印或印刷到第一步骤的基底的第二步骤。

公开(公告)号：KR1020170091040A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：KR1020170012350

申请日：2017-01-26

Applicant: 한양대학교 에리카산학협력단 ,  한국화학연구원

Inventor： 양철수 ,  이주연

IPC: A61K31/433 ,  A61K31/416 ,  A61K31/4035 ,  A61K31/506 ,  A61K45/06 ,  A23L33/10

Abstract: 본발명은 p22phox 유래 N 말단의 8개아미노산인 N8 펩타이드의모방화합물을유효성분으로포함하는염증성질환의예방또는치료용조성물에관한것이다. 보다상세하게는 p22phox 유래 N 말단의 8개아미노산인 N8 펩타이드를세포및 동물모델에처리한경우사망률감소, 폐염증감소, ROS 생성, 염증성사이토카인생산에영향을주는바, p22phox 유래 N 말단의 8개아미노산인 N8 펩타이드의모방화합물또는이의약학적으로허용가능한염을유효성분으로포함하는염증성질환의예방또는치료용조성물에관한것이다. 본발명에따른 p22phox 유래 N 말단의 8개아미노산인 N8 펩타이드의모방화합물은루비콘(Rubicon)-p22phox의상호작용을차단하여 ROS 과잉생성, NOX 조립(assembly) 및염증성사이토카인의생성을현저하게저해하므로, 패혈증과같은 ROS와관련된치명적인염증성질환의예방또는치료용약학적조성물또는건강기능식품조성물로유용하게사용될수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种组合物用于预防或治疗包含来自p22phox蛋白的N-末端衍生的肽N8的八个氨基酸模拟物化合物炎症性疾病，作为活性成分。 更具体地，从N-末端衍生的p22phox蛋白的杆8来影响源自p22phox蛋白的八个氨基酸N8肽N末端到处理hangyeongwoo死亡率，肺部炎症减少，ROS的产生，炎症性细胞因子的产生在细胞和动物模型狗 它涉及化合物模拟或用于预防或治疗炎症性疾病，其包括作为活性成分的敌人uiyakhak个氨基酸的肽N8的组合物的可接受的盐。 根据本发明的N8端子的肽的p22phox蛋白的N-衍生的8个氨基酸的模拟物的化合物，所以鲁比肯（鲁比肯）-p22phox阻断相互作用服装到显著抑制过度ROS生成，NOX组件（组件），和炎症细胞因子的产生 ，败血症等，用于预防或治疗与ROS有关的致命性炎性疾病或健康功能食品组合物的药物组合物中。