公开(公告)号：WO2017065530A1

公开(公告)日：2017-04-20

申请号：PCT/KR2016/011504

申请日：2016-10-13

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 최원진 ,  박세린 ,  이정오 ,  양철수 ,  공기정 ,  장현주 ,  안기석 ,  임진오 ,  채시은

IPC: C01B31/04 ,  H01B1/04 ,  H01B5/14 ,  B01J21/00 ,  B01J23/00

CPC classification number: B01J21/00 ,  B01J23/00 ,  H01B1/04 ,  H01B5/14

Abstract: 본 발명은 고분자 매개성 그래핀 전사법을 이용하되, 고분자 잔류물 없는 깨끗한 표면을 가진 그래핀 박막이 전사된 기재(substrate)를 제조하는 방법; 그래핀 표면으로부터 잔류물 없이 고분자를 제거하는 방법; 그래핀 상 고분자 패턴 형성 방법; 유기용매 처리시 고분자층이 제거되지 않도록 그래핀 상에 고분자 층을 고정하는 방법; 및 고분자 잔류물 없는 깨끗한 표면을 가진 그래핀 박막이 전사된 기재를 포함하는 전기전자소자에 관한 것이다. 본 발명은 금속 함유 층 상(上) 그래핀 박막의 표면에너지를 증가시키는 금속 함유 층의 금속 표면 상태를 결정하고, 상기 결정된 금속 표면 상태로 금속 함유 층을 변화시키는 조건을 결정하는 것이 특징이다.

Abstract translation:

本发明涉及一种方法，用于制造基底材料（衬底），但使用聚合物介导的石墨烯转移方法的，石墨烯薄膜具有游离聚合物残余物的清洁表面被转移; 从石墨烯表面除去没有残余物的聚合物的方法; 一种形成石墨烯聚合物图案的方法; 一种将聚合物层固定在石墨烯上以便在有机溶剂处理期间不去除聚合物层的方法; 并且在其上转印具有清洁表面而没有聚合物残余物的石墨烯薄膜的基板被转移。 本发明的特征，以确定哪些确定其增加了相（上）石墨烯薄膜含有金属的层的表面能，改变含有在所确定的金属表面状态的金属层中的含金属层的金属表面状态的条件。

公开(公告)号：KR101905646B1

公开(公告)日：2018-10-10

申请号：KR1020160133143

申请日：2016-10-13

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 최원진 ,  박세린 ,  이정오 ,  양철수 ,  공기정 ,  장현주 ,  안기석 ,  임진오 ,  채시은

IPC: C01B31/04 ,  H01B1/04 ,  H01B5/14 ,  B01J21/00 ,  B01J23/00

CPC classification number: B01J21/00 ,  B01J23/00 ,  H01B1/04 ,  H01B5/14

Abstract: 본발명은고분자매개성그래핀전사법을이용하되, 고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재(substrate)를제조하는방법; 그래핀표면으로부터잔류물없이고분자를제거하는방법; 그래핀상 고분자패턴형성방법; 유기용매처리시고분자층이제거되지않도록그래핀상에고분자층을고정하는방법; 및고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재를포함하는전기전자소자에관한것이다. 본발명은금속함유층 상(上) 그래핀박막의표면에너지를증가시키는금속함유층의금속표면상태를결정하고, 상기결정된금속표면상태로금속함유층을변화시키는조건을결정하는것이특징이다.

公开(公告)号：KR1020170114620A

公开(公告)日：2017-10-16

申请号：KR1020160041870

申请日：2016-04-05

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 장현주 ,  노준홍 ,  임진오 ,  장승훈 ,  서장원 ,  이선주 ,  석상일

IPC: C01G30/00 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/04 ,  H01G9/20

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본발명은납을함유하지않는무연페로브스카이트계화합물이며, 본발명에따른페로브스카이트계화합물은직접천이밴드갭(direct band gap)을가지며, 화학식 1을만족한다. (화학식 1) A(MM)X화학식 1에서, A는 1가의양이온으로, A는알칼리이온, 유기암모늄이온및 아미디니움계(amidinium group) 이온에서하나이상선택되며, M은 1가의금속이온이고, M는 3가의금속이온이며, X는할로겐이온이다.

Abstract translation: 本发明是不含铅的无铅钙钛矿化合物，本发明的钙钛矿化合物具有直接的带隙，满足下式（1）。 其中A是一价阳离子，A是选自碱金属离子，有机铵离子和脒鎓离子中的至少一种，M是一价金属离子， M是三价金属离子，X是卤素离子。

公开(公告)号：KR101790541B1

公开(公告)日：2017-10-26

申请号：KR1020160014561

申请日：2016-02-05

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김창해 ,  방보극 ,  박준규 ,  공기정 ,  장현주 ,  임진오 ,  장승훈 ,  최강식

IPC: C09K11/66 ,  H01L33/50 ,  H01L33/32

Abstract: 본발명은자외선또는청색의여기원에의해여기되어적색계파장을발광하는, 주석(Sn) 또는비스무트(Bi)가도핑된 금속질화물적색형광체및 이형광체를발광소자로응용하는것에관한것이다. 본발명의금속질화물형광체는발광다이오드, 레이저다이오드, 면발광레이저다이오드, 무기일렉트로루미네센스소자, 유기일렉트로루미네센스소자와같은발광소자에유용하게적용될 수있다.

Abstract translation: 本发明涉及施加到锡（Sn），或铋（Bi）的金属氮化物的红色荧光体，以及光通过发光元件壳体释放平，发射红光波长通过紫外线或蓝色的激发源激发。 本发明的金属氮化物荧光体，可以有效地应用于发光元件，如发光二极管，激光二极管，表面发光激光二极管，无机电致发光元件，有机电致发光元件。

公开(公告)号：KR1020170093322A

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：KR1020160014561

申请日：2016-02-05

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김창해 ,  방보극 ,  박준규 ,  공기정 ,  장현주 ,  임진오 ,  장승훈 ,  최강식

IPC: C09K11/66 ,  H01L33/50 ,  H01L33/32

Abstract: 본발명은자외선또는청색의여기원에의해여기되어적색계파장을발광하는, 주석(Sn) 또는비스무트(Bi)가도핑된 금속질화물적색형광체및 이형광체를발광소자로응용하는것에관한것이다. 본발명의금속질화물형광체는발광다이오드, 레이저다이오드, 면발광레이저다이오드, 무기일렉트로루미네센스소자, 유기일렉트로루미네센스소자와같은발광소자에유용하게적용될 수있다.

公开(公告)号：KR1020170043472A

公开(公告)日：2017-04-21

申请号：KR1020160133143

申请日：2016-10-13

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 최원진 ,  박세린 ,  이정오 ,  양철수 ,  공기정 ,  장현주 ,  안기석 ,  임진오 ,  채시은

IPC: C01B31/04 ,  H01B1/04 ,  H01B5/14 ,  B01J21/00 ,  B01J23/00

CPC classification number: B01J21/00 ,  B01J23/00 ,  H01B1/04 ,  H01B5/14 ,  C01B32/186

Abstract: 본발명은고분자매개성그래핀전사법을이용하되, 고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재(substrate)를제조하는방법; 그래핀표면으로부터잔류물없이고분자를제거하는방법; 그래핀상 고분자패턴형성방법; 유기용매처리시고분자층이제거되지않도록그래핀상에고분자층을고정하는방법; 및고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재를포함하는전기전자소자에관한것이다. 본발명은금속함유층 상(上) 그래핀박막의표면에너지를증가시키는금속함유층의금속표면상태를결정하고, 상기결정된금속표면상태로금속함유층을변화시키는조건을결정하는것이특징이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用聚合物介导的石墨烯沉积方法制造其上具有清洁表面而没有聚合物残余物的石墨烯薄膜的基板的方法; 从石墨烯表面除去没有残余物的聚合物的方法; 一种形成石墨烯聚合物图案的方法; 一种将聚合物层固定在石墨烯上以便在有机溶剂处理期间不去除聚合物层的方法; 并且在其上转印具有清洁表面而没有聚合物残余物的石墨烯薄膜的基板被转移。 本发明的特征，以确定这增加了含有金属的层的表面能（上）石墨烯薄膜的含有金属的层的金属表面状况，并且确定用于含金属层改变到金属表面上确定的状态的条件。