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公开(公告)号：WO2017065530A1
公开(公告)日：2017-04-20
申请号：PCT/KR2016/011504
申请日：2016-10-13
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 고분자 매개성 그래핀 전사법을 이용하되, 고분자 잔류물 없는 깨끗한 표면을 가진 그래핀 박막이 전사된 기재(substrate)를 제조하는 방법; 그래핀 표면으로부터 잔류물 없이 고분자를 제거하는 방법; 그래핀 상 고분자 패턴 형성 방법; 유기용매 처리시 고분자층이 제거되지 않도록 그래핀 상에 고분자 층을 고정하는 방법; 및 고분자 잔류물 없는 깨끗한 표면을 가진 그래핀 박막이 전사된 기재를 포함하는 전기전자소자에 관한 것이다. 본 발명은 금속 함유 층 상(上) 그래핀 박막의 표면에너지를 증가시키는 금속 함유 층의 금속 표면 상태를 결정하고, 상기 결정된 금속 표면 상태로 금속 함유 층을 변화시키는 조건을 결정하는 것이 특징이다.
Abstract translation:
本发明涉及一种方法，用于制造基底材料（衬底），但使用聚合物介导的石墨烯转移方法的，石墨烯薄膜具有游离聚合物残余物的清洁表面被转移; 从石墨烯表面除去没有残余物的聚合物的方法; 一种形成石墨烯聚合物图案的方法; 一种将聚合物层固定在石墨烯上以便在有机溶剂处理期间不去除聚合物层的方法; 并且在其上转印具有清洁表面而没有聚合物残余物的石墨烯薄膜的基板被转移。 本发明的特征，以确定哪些确定其增加了相（上）石墨烯薄膜含有金属的层的表面能，改变含有在所确定的金属表面状态的金属层中的含金属层的金属表面状态的条件。
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2.发明申请나노 미터 폴리싱을 이용한 나노 물질의 일방향 배열 방법과 이를 이용한 전기 소자 및 그 제조방법 审中-公开使用纳米仪抛光的一个方向对准纳米尺寸材料的方法，使用该方法的电气装置和用于制造上述电气装置的方法
公开(公告)号：WO2014077624A1
公开(公告)日：2014-05-22
申请号：PCT/KR2013/010410
申请日：2013-11-15
Applicant: 한국화학연구원
IPC: B82B3/00 , H01L21/336
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y10/00 , H01L21/3105 , H01L29/0673
Abstract: 본 발명은 나노 미터 폴리싱을 이용한 나노 물질의 일방향 배열 방법 및 이 를 이용한 소자의 제조방법에 대한 것으로서, 기판의 표면 층에 나노미터 수준의 폭과 깊이를 갖는 스크래치들을 일방향으로 형성하고 상기 스크래치들에 나노 물질 을 정렬하여 우수한 전기적, 기계적 또는 광학적 특성을 갖는 나노 미터 폴리싱을 이용한 나노 물질의 일방향 배열 방법 및 이를 이용한 전기 소자의 제조방법에 대 한 것이다. 본 발명은, 폴리싱 장치를 사용해서 기판에 일 방향으로 정렬된 0.1~20nm의 폭을 갖는 스크래치들을 형성하는 단계(단계 1); 및, 상기 스크래치들이 형성된 기 판에 나노 물질을 도입하여 정렬하는 단계(단계 2)를 포함하는 나노 미터 폴리싱을 이용한 나노 물질의 일방향 배열방법을 제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及使用纳米米抛光在一个方向上对准纳米尺寸材料的方法以及使用上述方法制造器件的方法。 本发明涉及一种使用纳米米抛光在一个方向上对准纳米尺寸材料的方法，其中在一个方向上在基底的表面层上形成具有纳米级宽度和深度的划痕，并且纳米尺寸材料 在划痕中排列，以获得优异的电气，机械或光学特性。 本发明还涉及使用上述方法制造电子装置的方法。 本发明提供一种使用纳米米抛光在一个方向上对准纳米尺寸材料的方法，其包括：使用抛光装置在基板中在一个方向上形成宽度为0.1至20nm的划痕的步骤（步骤1） ; 以及在衬底中引入和对准纳米尺寸材料与其中形成的划痕的步骤（步骤2）。
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3.发明申请
公开(公告)号：WO2017052202A1
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：PCT/KR2016/010546
申请日：2016-09-21
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 금속 산화물 및/또는 금속 수산화물 함유 금속층과의 계면에서 금속 산화물 및/또는 금속 수산화물 함량을 저감시키면서 탄소계 패시베이션막을 형성시키는 방법; 이를 이용하여 금속층 및 상기 금속층 상에 형성된 탄소계 패시베이션막을 구비한 금속 전극; 및 이를 이용하여 용액공정으로 유기소자를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 어닐링 조건에서 탄소계 패시베이션막을 금속 산화물 및/또는 금속 수산화물 함유 금속층 표면에 형성시키는 경우, 금속 표면에 이미 존재하는 산화막 및/또는 수산화막을 환원시키고 더 이상의 산화 및 부식이 일어나지 않도록 금속 표면을 보호할 수 있을 뿐만아니라, 계면 저항이 낮아서 금(Au)과 같이 자연산화막이 형성되지 않는 금속 전극으로 활용할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于形成碳基钝化膜的方法，同时减少与含有金属氧化物和/或金属氢氧化物的金属层的界面中的金属氧化物和/或金属氢氧化物的含量; 包括金属层的金属电极和使用其形成在金属层上的碳基钝化膜; 以及通过使用其的溶液法制造有机元素的方法。 当在根据本发明的退火条件下在含有金属氧化物和/或金属氢氧化物的金属层的表面上形成碳基钝化膜时，碳基钝化膜可以保护金属表面以减少 氧化膜和/或氢氧化物膜，其已经存在于金属表面上，并且防止进一步的氧化和腐蚀，并且可以用作未形成天然氧化物膜的金属电极，如金（Au） ，由于界面阻力低。
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公开(公告)号：KR101434463B1
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：KR1020120077173
申请日：2012-07-16
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명의 목적은 소프트 리소그래피를 통한 박막 패턴의 제조방법 및 이에 따라 제조된 박막 패턴을 제공하는 데 있다. 이를 위하여 본 발명은 기판에 박막을 증착하는 단계(단계 1); 상기 박막 상부로 실리콘 수지 접착제층을 형성하는 단계(단계 2); 박막을 패터닝하기 위한 실리콘 수지 스탬프를 제조하는 단계(단계 3); 상기 단계 2에서 형성된 접착제층과 상기 단계 3에서 제조된 실리콘 수지 스탬프의 패턴부분을 표면개질하여 활성접착제층으로 변환하는 단계(단계 4); 상기 단계 4에서 활성접착제층으로 변환된 실리콘 수지 스탬프의 패턴부분을 접착제층에 접촉하고, 탈수축합반응시키는 단계(단계 5); 및 상기 실리콘 수지 스탬프를 기판으로부터 제거하여 기판상에 패턴을 형성하는 단계(단계 6);를 포함하는 것을 특징으로 하는 소프트 리소그래피를 통한 박막 패턴의 제조방법를 포함하는 것을 특징으로 하는 소프트 리소그래피를 통한 박막 패턴의 제조방법을 제공한다. 또한 본 발명은 상기의 방법에 따라 제조되고, 기판 상부에 결정형 박막, 금속 박막, 금속산화물 박막, 비정질 박막 및 폴리머 박막으로부터 선택되는 1종의 박막이 패터닝된 것을 특징으로 하는 박막 패턴을 제공한다. 본 발명에 따르면 결정성 박막을 포함하는 모든 재료의 박막을 소프트 리소그래피공정을 통해 패터닝할 수 있다는 장점이 있다.
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公开(公告)号：KR101284775B1
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：KR1020110099951
申请日：2011-09-30
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 본 발명은 높은 점멸비를 가지는 탄소나노튜브 트랜지스터 소자 제조방법 및 이에 따라 제조되는 탄소나노튜브 트랜지스터에 관한 것으로, 상세하게는 절연성 재질의 기판 상부에 탄소나노튜브 네트워크를 형성하는 단계; 탄소나노튜브 네트워크 상부에 전극층을 형성하는 단계; 및 소오스와 드레인 사이의 채널 영역을 제외한 나머지 부분의 탄소나노튜브를 제거하는 단계; 및 전극층이 형성된 탄소나노튜브 네트워크에 포토리소그래피와 에칭 작업을 통해 국소적으로 나노튜브의 밀도를 줄이는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 네트워크 트랜지스터 소자의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 높은 점멸비를 가지는 탄소나노튜브 트랜지스터의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 탄소나노튜브 트랜지스터는 기존의 탄소나노튜브 트랜지스터의 최대 단점인 점멸비를 보완하여 소자로서의 가치를 갖게 만드는 것이다. 본 발명의 탄소나노튜브 트랜지스터는 우수한 전기적 특성 및 기계적, 광학적 특성을 가지며 이에 따라 디스플레이 및 반도체 산업에 그대로 적용 가능한 효과가 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101527863B1
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：KR1020130074870
申请日：2013-06-27
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은유연성기재에탄소나노튜브(CNT) 네트워크필름이도입된양극성변형센서및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의양극성변형센서는금속성탄소나노튜브와반도체성탄소나노튜브가무작위하게배열및 연결되어유연성기재의일면에도입됨으로써, 변형의크기및 방향성을전기적으로감지하여측정할수 있는효과가있다. 나아가본 발명의양극성변형센서는단순하고간단한공정을통하여저비용으로대량생산이가능한이점이있으며, 특정화학물질의유무및 농도를전기적으로감지할수 있는화학센서로이용될수도있다.
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公开(公告)号：KR101350401B1
公开(公告)日：2014-01-27
申请号：KR1020120129419
申请日：2012-11-15
Applicant: 한국화학연구원
IPC: B82B3/00 , H01L21/336
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y10/00 , H01L21/3105 , H01L29/0673
Abstract: The present invention relates to an aligning method for nanomaterials using nanometer polishing and a manufacturing method for a device using the same and, more specifically, to an aligning method for nanomaterials using nanometer polishing which forms scratches having a nanoscale width and depth on the surface layer of a substrate in one direction and aligns nanomaterials in the scratches to obtain excellent electrical, mechanical and optical properties and a manufacturing method for an electric device using the same. The present invention provides the aligning method for nanomaterials using nanometer polishing comprising: a step (step 1) of forming scratches which have a width of 1-20 nm and are aligned in one direction on the substrate by using a polishing device; and a step (step 2) of bringing nanomaterials on the substrate in which the scratches are formed and aligning the nanomaterials.
Abstract translation: 本发明涉及使用纳米抛光的纳米材料的取向方法和使用其的装置的制造方法，更具体地，涉及使用纳米抛光的纳米材料的取向方法，其形成具有纳米级宽度和深度的划痕 的一个方向上的衬底并且在划痕中对准纳米材料以获得优异的电学，机械和光学性质以及使用其的电子器件的制造方法。 本发明提供使用纳米抛光的纳米材料的对准方法，包括：通过使用抛光装置在基板上形成宽度为1-20nm并沿一个方向排列的划痕的步骤（步骤1）; 以及使纳米材料在其上形成划痕的基板上并对准纳米材料的步骤（步骤2）。
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公开(公告)号：KR1020130035571A
公开(公告)日：2013-04-09
申请号：KR1020110099951
申请日：2011-09-30
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/0274 , H01L29/66712
Abstract: PURPOSE: A carbon nanotube network transistor device with a high on and off ratio and a manufacturing method thereof are provided to reduce the density of a nanotube by forming a plurality of holes through an etching process. CONSTITUTION: A substrate is made of insulating materials. A carbon nanotube network layer is formed on the upper side of an insulating layer(2). The carbon nanotube network layer includes a carbon nano tube(3). A carbon nanotube network channel is formed between a source electrode and a drain electrode(5). One or more holes(6) are formed in the carbon nanotube network layer.
Abstract translation: 目的：提供一种具有高开关比的碳纳米管网络晶体管器件及其制造方法，通过蚀刻工艺形成多个孔来降低纳米管的密度。 构成：基材由绝缘材料制成。 在绝缘层（2）的上侧形成碳纳米管网络层。 碳纳米管网络层包括碳纳米管（3）。 在源电极和漏电极（5）之间形成碳纳米管网络通道。 在碳纳米管网络层中形成一个或多个孔（6）。
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公开(公告)号：KR101872392B1
公开(公告)日：2018-06-28
申请号：KR1020170012350
申请日：2017-01-26
Applicant: 한양대학교 에리카산학협력단 , 한국화학연구원
IPC: A61K31/433 , A61K31/416 , A61K31/4035 , A61K31/506 , A61K45/06 , A23L33/10
Abstract: 본발명은 p22phox 유래 N 말단의 8개아미노산인 N8 펩타이드의모방화합물을유효성분으로포함하는염증성질환의예방또는치료용조성물에관한것이다. 보다상세하게는 p22phox 유래 N 말단의 8개아미노산인 N8 펩타이드를세포및 동물모델에처리한경우사망률감소, 폐염증감소, ROS 생성, 염증성사이토카인생산에영향을주는바, p22phox 유래 N 말단의 8개아미노산인 N8 펩타이드의모방화합물또는이의약학적으로허용가능한염을유효성분으로포함하는염증성질환의예방또는치료용조성물에관한것이다. 본발명에따른 p22phox 유래 N 말단의 8개아미노산인 N8 펩타이드의모방화합물은루비콘(Rubicon)-p22phox의상호작용을차단하여 ROS 과잉생성, NOX 조립(assembly) 및염증성사이토카인의생성을현저하게저해하므로, 패혈증과같은 ROS와관련된치명적인염증성질환의예방또는치료용약학적조성물또는건강기능식품조성물로유용하게사용될수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170043472A
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：KR1020160133143
申请日：2016-10-13
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: B01J21/00 , B01J23/00 , H01B1/04 , H01B5/14 , C01B32/186
Abstract: 본발명은고분자매개성그래핀전사법을이용하되, 고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재(substrate)를제조하는방법; 그래핀표면으로부터잔류물없이고분자를제거하는방법; 그래핀상 고분자패턴형성방법; 유기용매처리시고분자층이제거되지않도록그래핀상에고분자층을고정하는방법; 및고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재를포함하는전기전자소자에관한것이다. 본발명은금속함유층 상(上) 그래핀박막의표면에너지를증가시키는금속함유층의금속표면상태를결정하고, 상기결정된금속표면상태로금속함유층을변화시키는조건을결정하는것이특징이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用聚合物介导的石墨烯沉积方法制造其上具有清洁表面而没有聚合物残余物的石墨烯薄膜的基板的方法; 从石墨烯表面除去没有残余物的聚合物的方法; 一种形成石墨烯聚合物图案的方法; 一种将聚合物层固定在石墨烯上以便在有机溶剂处理期间不去除聚合物层的方法; 并且在其上转印具有清洁表面而没有聚合物残余物的石墨烯薄膜的基板被转移。 本发明的特征，以确定这增加了含有金属的层的表面能（上）石墨烯薄膜的含有金属的层的金属表面状况，并且确定用于含金属层改变到金属表面上确定的状态的条件。
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