公开(公告)号：GB2511456B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：GB201410024

申请日：2012-12-20

Applicant: IBM

Inventor： BURNS SEAN D ,  HOLMES STEVEN J ,  HORAK DAVID V ,  SANKARAPANDIAN MUTHUMANICKAM ,  YIN YUNPENG ,  ARNOLD JOHN C

IPC: H01L21/033 ,  G03F7/00 ,  H01L21/768

公开(公告)号：DE112012004187T5

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：DE112012004187

申请日：2012-05-29

Applicant: IBM

Inventor： RAGHUNATHAN SUDHARSHANAN ,  KANAKASABAPATHY SIVANANDA K ,  JUNG RYAN O ,  GABOR ALLEN H ,  BURNS SEAN D ,  MCLELLAN ERIN CATHERINE

IPC: H01L21/027

Abstract: Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung stellt ein Verfahren zum Bilden einer Halbleitereinheit mit mehreren kritischen Abmessungen in einem Prozess für einen Transfer von Abbildungen von Seitenwänden bereit. Das Verfahren beinhaltet ein Bilden einer dielektrischen Schicht mit mehreren Niveaus über einer Vielzahl von Mandrells, wobei die dielektrische Schicht mit mehreren Niveaus eine Vielzahl von Bereichen aufweist, welche die Vielzahl von Mandrells bedecken, wobei die Vielzahl von Bereichen der dielektrischen Schicht mit mehreren Niveaus unterschiedliche Dicken aufweist; ein Ätzen der Vielzahl von Bereichen der dielektrischen Schicht mit mehreren Niveaus zu Abstandshaltern, indem ein gerichteter Ätzprozess angewendet wird, wobei die Abstandshalter unmittelbar neben Seitenwänden der Vielzahl von Mandrells gebildet werden und unterschiedliche Breiten aufweisen, die mit den unterschiedlichen Dicken der Vielzahl von Bereichen der dielektrischen Schicht mit mehreren Niveaus korrespondieren; ein Entfernen der Vielzahl von Mandrells zwischen den Abstandshaltern; sowie ein Transferieren von Abbildungen der Unterseiten der Abstandshalter in eine oder mehrere Schichten unterhalb der Abstandshalter.

公开(公告)号：DE112010005304T5

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：DE112010005304

申请日：2010-10-22

Applicant: IBM

Inventor： BURNS SEAN D ,  MEDEIROS DAVID R ,  PFEIFFER DIRK

IPC: G03F7/00

Abstract: Eine reflexionsmindernde Hartmaskenzusammensetzungsschicht mit einem Polymer, das in seinem Rückgrat Si-O- und siliciumfreie anorganische Einheiten aufweist. Das Polymer enthält chromophore und transparente Molekülteile und eine Vernetzungskomponente. Die reflexionsmindernde Hartmaskenzusammensetzungsschicht wird in einem Verfahren zur Bildung eines strukturierten Materials auf einem Substrat verwendet.