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    Strukturieren von Kontakten in Kohlenstoff-Nanoröhren-Einheiten
    11.
    发明专利
    Strukturieren von Kontakten in Kohlenstoff-Nanoröhren-Einheiten 未知

    公开(公告)号：DE102012217482B4

    公开(公告)日：2019-07-04

    申请号：DE102012217482

    申请日：2012-09-26

    Applicant: IBM

    Inventor： CHANG JOSEPHINE B ,  GLODDE MARTIN ,  GUILLORN MICHAEL A

    IPC: H01L29/775 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

    Abstract: Struktur, aufweisend:ein Substrat (10), welches eine Kohlenstoff-Nanoröhre (14) aufweist, die über einer Fläche des Substrats (10) angeordnet ist, wobei die Kohlenstoff-Nanoröhre (14) teilweise innerhalb einer elektrisch isolierenden Schutzschicht (16) angeordnet ist;einen Gate-Stapel, welcher über dem Substrat (10) angeordnet ist, wobei ein erster Abschnitt einer Länge der Kohlenstoff-Nanoröhre (14), der nicht von der elektrisch isolierenden Schutzschicht (16) bedeckt ist, durch den Gate-Stapel führt, wobei der Gate-Stapel den ersten Abschnitt der Länge der Kohlenstoff-Nanoröhre vollumfänglich umschließt und wobei der erste Abschnitt der Länge einen Kanal definiert;einen Source-Kontakt, welcher in Nachbarschaft zu einer ersten Seite des Gate-Stapels angeordnet ist, wobei ein zweiter Abschnitt der Länge der Kohlenstoff-Nanoröhre (14), der nicht von der elektrisch isolierenden Schutzschicht (16) bedeckt ist, elektrisch leitfähig mit dem Source-Kontakt verbunden ist; undeinen Drain-Kontakt, der in Nachbarschaft zu einer zweiten, gegenüber liegenden Seite des Gate-Stapels angeordnet ist, wobei ein dritter Abschnitt der Länge der Kohlenstoff-Nanoröhre (14), der nicht von der elektrisch isolierenden Schutzschicht (16) bedeckt ist, elektrisch leitfähig mit dem Drain-Kontakt verbunden ist,wobei der Gate-Stapel, der Source-Kontakt und der Drain-Kontakt innerhalb der elektrisch isolierenden Schutzschicht (16) und innerhalb einer elektrisch isolierenden organischen Planarisierungsschicht (18) enthalten sind, welche über der elektrisch isolierenden Schutzschicht (16) angeordnet ist.

    Patterning contacts in carbon nanotube devices
    13.
    发明专利
    Patterning contacts in carbon nanotube devices 未知

    公开(公告)号：GB2495826B

    公开(公告)日：2013-11-20

    申请号：GB201218064

    申请日：2012-10-09

    Applicant: IBM

    Inventor： CHANG JOSEPHINE ,  GUILLORN MICHAEL ,  GLODDE MARTIN

    IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05

    Abstract: A method to fabricate a carbon nanotube (CNT)-based transistor includes providing a substrate having a CNT disposed over a surface; forming a protective electrically insulating layer over the CNT and forming a first multi-layer resist stack (MLRS) over the protective electrically insulating layer. The first MLRS includes a bottom layer, an intermediate layer and a top layer of resist. The method further includes patterning and selectively removing a portion of the first MLRS to define an opening for a gate stack while leaving the bottom layer; selectively removing a portion of the protective electrically insulating layer within the opening to expose a first portion of the CNT; forming the gate stack within the opening and upon the exposed first portion of the carbon nanotube, followed by formation of source and drain contacts also in accordance with the inventive method so as to expose second and third portions of the CNT.

    14.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：AT509299T

    公开(公告)日：2011-05-15

    申请号：AT08870322

    申请日：2008-12-17

    Applicant: IBM

    Inventor： GLODDE MARTIN ,  LIU SEN ,  POPOVA IRENE

    IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039

    Abstract: A photoacid generator compound P+A-, comprises an antenna group P+ comprising a cation that generates protons upon interaction with light, and A- comprising a weakly coordinating peracceptor-substituted aromatic anion that does not contain fluorine or semi-metallic elements such as boron. In one embodiment, such anions comprise the following compounds 4, 5, 6 and 7, wherein E comprises an electron-withdrawing group and the removal of one proton generates aromaticity. P+ comprises an onium cation that decomposes into a proton and other components upon interaction with photons. P+ may comprise an organic chalcogen onium cation or a halonium cation, wherein the chalcogen onium cation in another embodiment may comprises an oxonium, sulfonium, selenium, tellurium, or onium cation, and the halonium cation may comprise an iodonium, chlorine or bromine onium cation. A novel compound comprises TPS CN5. A photolithographic formulation comprises the photoacid generator in combination with a photolithographic composition such as a photolithographic polymer. The formulation, when on a substrate, is exposed to optical lithographic radiation or ArF (193 nm) or KrF (248 nm) radiation, and developed. A product comprises an article of manufacture made by the method of the invention.

    Silicon-containing antireflective coatings including non-polymeric silsesquioxanes
    15.
    发明专利
    Silicon-containing antireflective coatings including non-polymeric silsesquioxanes 未知

    公开(公告)号：GB2525818A

    公开(公告)日：2015-11-04

    申请号：GB201515977

    申请日：2014-01-23

    Applicant: IBM ,  SHINETSU CHEMICAL CO

    Inventor： GLODDE MARTIN ,  HUANG WU-SONG S ,  PEREZ JAVIER ,  SOORIYAKUMARAN RATNAM ,  KINSHO TAKESHI ,  OGIHARA TSUTOMU ,  TACHIBANA SEIICHIRO ,  UEDA TAKAFUMI

    IPC: G03F7/11 ,  C09D5/00 ,  C09D183/00 ,  G03F7/075

    Abstract: Embodiments include a silicon-containing antireflective material including a silicon- containing base polymer, a non-polymeric silsesquioxane material, and a photoacid generator. The silicon-containing base polymer may contain chromophore moieties, transparent moieties, and reactive sites on an SiOx background, where x ranges from approximately 1 to approximately 2. Exemplary non-polymeric silsesquioxane materials include polyhedral oligomeric silsesquioxanes having acid labile side groups linked to hydrophilic groups Exemplary acid labile side groups may include tertiary alkyl carbonates, tertiary alkyl esters, tertiary alkyl ethers, acetals and ketals, Exemplary hydrophilic groups may include phenols, alcohols, carboxylic acids, amides, and sulfonamides. Embodiments further include lithographic structures including an organic anti-reflective layer, the above-described silicon-containing anti-reflective layer above the organic anti-reflective layer, and a photoresist layer above the above-described silicon-containing anti-reflective layer. Embodiments further include a method of forming a lithographic structure utilizing the above-described silicon-containing anti- reflective layer.

    Strukturieren von Kontakten in Kohlenstoff-Nanoröhren-Einheiten
    16.
    发明专利
    Strukturieren von Kontakten in Kohlenstoff-Nanoröhren-Einheiten 未知

    公开(公告)号：DE102012217482A1

    公开(公告)日：2013-04-11

    申请号：DE102012217482

    申请日：2012-09-26

    Applicant: IBM

    Inventor： CHANG JOSEPHINE B ,  GLODDE MARTIN ,  GUILLORN MICHAEL A

    IPC: H01L29/775 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

    Abstract: Eine Struktur weist ein Substrat auf, welches eine Kohlenstoff-Nanoröhre (CNT) aufweist, die über einer Fläche des Substrats angeordnet ist. Die CNT ist teilweise innerhalb einer elektrisch isolierenden Schutzschicht angeordnet. Die Struktur weist ferner einen Gate-Stapel auf, welcher über dem Substrat angeordnet ist. Ein erster Abschnitt einer Länge der CNT, der nicht von der elektrisch isolierenden Schutzschicht bedeckt ist, führt durch den Gate-Stapel. Source- und Drain-Kontakte sind in Nachbarschaft zu dem Gate-Stapel angeordnet, wobei zweite und dritte Abschnitte der Länge der CNT, die nicht von der elektrisch isolierenden Schutzschicht bedeckt sind, elektrisch leitfähig mit den Source- und Drain-Kontakten verbunden sind. Der Gate-Stapel und die Source- und Drain-Kontakte sind innerhalb der elektrisch isolierenden Schutzschicht und innerhalb einer elektrisch isolierenden organischen Planarisierungsschicht enthalten, welche über der elektrisch isolierenden Schutzschicht angeordnet ist. Es wird auch ein Verfahren zur Herstellung eines Transistors auf CNT-Basis beschrieben.

    Near-infrared absorbing film compositions
    17.
    发明专利
    Near-infrared absorbing film compositions 未知

    公开(公告)号：GB2486102A

    公开(公告)日：2012-06-06

    申请号：GB201203634

    申请日：2010-08-06

    Applicant: IBM

    Inventor： GOLDFARB DARIO L ,  GLODDE MARTIN ,  HUANG WU-SONG ,  LIU SEN ,  VYKLICKY LIBOR ,  LI WAI-KIN

    IPC: C09D5/32 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  H01L21/02

    Abstract: A curable liquid formulation comprising: (i) one or more near-infrared absorbing polymethine dyes; (ii) one or more crosslinkable polymers; and (iii) one or more casting solvents. The invention is also directed to solid near-infrared absorbing films composed of crosslinked forms of the curable liquid formulation. The invention is also directed to a microelectronic substrate containing a coating of the solid near-infrared absorbing film as well as a method for patterning a photoresist layer coated on a microelectronic substrate in the case where the near-infrared absorbing film is between the microelectronic substrate and a photoresist film.

    Silicium enthaltende Antireflexbeschichtungen, die Nicht-Polymere Silsesquioxane beinhalten
    19.
    发明专利
    Silicium enthaltende Antireflexbeschichtungen, die Nicht-Polymere Silsesquioxane beinhalten 未知

    公开(公告)号：DE112014000485T5

    公开(公告)日：2015-11-05

    申请号：DE112014000485

    申请日：2014-01-23

    Applicant: IBM ,  SHINETSU CHEMICAL CO

    Inventor： HUANG WU-SONG ,  PEREZ JAVIER ,  KINSHO TAKESHI ,  TACHIBANA SEIICHIRO ,  GLODDE MARTIN ,  SOORIYAKUMARAN RATNAM ,  OGIHARA TSUTOMU ,  UEDA TAKAFUMI

    IPC: G03F7/11 ,  C09D5/00 ,  C09D183/00 ,  G03F7/075

    Abstract: Ausführungsformen beinhalten ein Silicium enthaltendes Antireflexmaterial, das ein Silicium enthaltendes Basis-Polymer, ein Material aus einem nicht-polymeren Silsesquioxan sowie einen Photosäure-Generator beinhaltet. Das Silicium enthaltende Basis-Polymer kann chromophore Anteile, transparente Anteile sowie reaktive Stellen auf einem SiOx-Hintergrund enthalten, wobei x in einem Bereich von ungefähr 1 bis ungefähr 2 liegt. Exemplarische Materialien aus einem nicht-polymeren Silsesquioxan beinhalten polyedrische oligomere Silsesquioxane mit säurelabilen Seitengruppen, die mit hydrophilen Gruppen verbunden sind. Exemplarische säurelabile Seitengruppen können tertiäre Alkylcarbonate, tertiäre Alkylester, tertiäre Alkylether, Acetale und Ketale beinhalten. Exemplarische hydrophile Gruppen können Phenole, Alkohole, Carboxylsäuren, Amide sowie Sulfonamide beinhalten. Ausführungsformen beinhalten des Weiteren lithographische Strukturen, die eine organische Antireflexschicht, die vorstehend beschriebene, Silicium enthaltende Antireflexschicht über der organischen Antireflexschicht sowie eine Photoresistschicht über der vorstehend beschriebenen, Silicium enthaltenden Antireflexschicht beinhalten. Ausführungsformen beinhalten des Weiteren ein Verfahren zum Bilden einer lithographischen Struktur, das die vorstehend beschriebene, Silicium enthaltende Antireflexschicht verwendet.

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