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    12.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE602005005302T2

    公开(公告)日：2009-03-12

    申请号：DE602005005302

    申请日：2005-01-13

    Applicant: IBM

    Inventor： FURUKAWA TOSHIHARU ,  HAKEY MARK CHARLES ,  HOLMES STEVEN JOHN ,  HORAK DAVID VACLAV ,  MITCHELL PETER ,  NESBIT LARRY ALAN

    IPC: H01L51/30 ,  H01L21/78 ,  H01L27/28

    Abstract: Vertical field effect transistors having a channel region defined by at least one semiconducting nanotube and methods for fabricating such vertical field effect transistors by chemical vapor deposition using a spacer-defined channel. Each nanotube is grown by chemical vapor deposition catalyzed by a catalyst pad positioned at the base of a high-aspect-ratio passage defined between a spacer and a gate electrode. Each nanotube grows in the passage with a vertical orientation constrained by the confining presence of the spacer. A gap may be provided in the base of the spacer remote from the mouth of the passage. Reactants flowing through the gap to the catalyst pad participate in nanotube growth.

    13.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE602005005302D1

    公开(公告)日：2008-04-24

    申请号：DE602005005302

    申请日：2005-01-13

    Applicant: IBM

    Inventor： FURUKAWA TOSHIHARU ,  HAKEY MARK CHARLES ,  HOLMES STEVEN JOHN ,  HORAK DAVID VACLAV ,  MITCHELL PETER ,  NESBIT LARRY ALAN

    IPC: H01L51/30 ,  H01L21/78 ,  H01L27/28

    Abstract: Vertical field effect transistors having a channel region defined by at least one semiconducting nanotube and methods for fabricating such vertical field effect transistors by chemical vapor deposition using a spacer-defined channel. Each nanotube is grown by chemical vapor deposition catalyzed by a catalyst pad positioned at the base of a high-aspect-ratio passage defined between a spacer and a gate electrode. Each nanotube grows in the passage with a vertical orientation constrained by the confining presence of the spacer. A gap may be provided in the base of the spacer remote from the mouth of the passage. Reactants flowing through the gap to the catalyst pad participate in nanotube growth.

    Verfahren zum Ausbilden eines Ersatzmetall-Gates mit randlosem Kontakt
    18.
    发明专利
    Verfahren zum Ausbilden eines Ersatzmetall-Gates mit randlosem Kontakt 未知

    公开(公告)号：DE112011102943B4

    公开(公告)日：2016-04-14

    申请号：DE112011102943

    申请日：2011-11-16

    Applicant: IBM

    Inventor： FAN SU CHEN ,  HORAK DAVID VACLAV ,  STANDAERT THEODORUS EDUARDUS

    IPC: H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L23/522 ,  H01L29/417

    Abstract: Verfahren zum Ausbilden eines Ersatzmetall-Gates (701), das aufweist: Ausbilden eines Dummy-Gates (102) auf einer Oberseite eines Substrats (101) und eines ersten Satzes von Abstandselementen (103) angrenzend an Seitenwände des Dummy-Gates; Verringern einer Höhe des ersten Satzes der Abstandselemente, um damit aus dem ersten Satz der Abstandselemente einen zweiten Satz von Abstandelementen mit einer verringerten Höhe (203) zu erstellen und einen oberen Abschnitt der Seitenwände des Dummy-Gates freizulegen; Abscheiden einer Ätzstoppschicht (301), die die Abstandselemente mit der verringerten Höhe und den freigelegten oberen Abschnitt der Seitenwände des Dummy-Gates bedeckt; Abscheiden einer ersten dielektrischen Zwischenebenen-Schicht (401), die die Abstandselemente mit der verringerten Höhe und zumindest einen Abschnitt des freigelegten oberen Abschnitts der Seitenwände des Dummy-Gates bedeckt; und Absenken einer oberen Fläche der ersten Zwischenebenen-Schicht durch Planarisierung auf eine Ebene (501) oberhalb der Abstandselemente mit der verringerten Höhe und innerhalb eines Bereichs des oberen Abschnitts der Seitenwände, wodurch die Ätzstoppschicht von einer oberen Fläche des Dummy-Gates entfernt und eine Öffnung in der Ätzstoppschicht erstellt wird, um das Dummy-Gate von einer Oberseite davon freizulegen; und Entfernen eines vorhandenen Gate-Materials des Dummy-Gates aus der Öffnung und Ersetzen durch ein neues Gate-Material, um ein Ersatzmetall-Gate (701) auszubilden.

    Ersatzmetall-Gate mit randlosem Kontakt
    19.
    发明专利
    Ersatzmetall-Gate mit randlosem Kontakt 未知

    公开(公告)号：DE112011102943T5

    公开(公告)日：2013-07-04

    申请号：DE112011102943

    申请日：2011-11-16

    Applicant: IBM

    Inventor： FAN SU CHEN ,  HORAK DAVID VACLAV ,  STANDAERT THEODORUS EDUARDUS

    IPC: H01L21/768 ,  H01L21/336

    Abstract: Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung stellen ein Verfahren zum Ausbilden eines randlosen Kontakts (1001) für einen Transistor in einem Ersatzmetall-Gate-Prozess bereit. Das Verfahren beinhaltet ein Ausbilden eines Gates (102) auf einer Oberseite eines Substrats und ein Ausbilden von Abstandselementen (103) angrenzend an Seitenwände des Gates; ein Verringern einer Höhe der Abstandselemente, um einen oberen Abschnitt der Seitenwände des Gates freizulegen; ein Abscheiden einer Ätzstoppschicht (301), die die Abstandselemente und den oberen Abschnitt der Seitenwände des Gates bedeckt; ein Erstellen einer Öffnung (601) auf einer Ebene oberhalb der Abstandselemente und in dem oberen Abschnitt der Seitenwände, um das Gate freizulegen; und ein Ersetzen des Materials des Gates aus der Öffnung durch ein neues Gate-Material (701), wodurch ein Ersatz-Gate ausgebildet wird. Durch das Verfahren wird des Weiteren eine Durchkontaktierungsöffnung (901) in einer dielektrischen Zwischenebenenschicht erstellt, die das Gate und die Abstandselemente umgibt, wobei die Durchkontaktierungsöffnung die Ätzstoppschicht freilegt; die Ätzstoppschicht wird entfernt und die Durchkontaktierungsöffnung mit einem Metallmaterial gefüllt, um einen randlosen Kontakt auszubilden.

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