公开(公告)号：DE102012210875B4

公开(公告)日：2019-01-03

申请号：DE102012210875

申请日：2012-06-26

Applicant: IBM

Inventor： FOGEL KEITH E ,  HONG AUGUSTIN J ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

Abstract: Verfahren zum Bilden einer Photovoltaikeinheit, das umfasst:Bilden (204) einer Mehrzahl von Säulenstrukturen (104) in einem Substrat (102);Bilden (206) einer ersten Elektrodenschicht (106) auf den Säulenstrukturen (104);Bilden (208) eines durchgehenden Photovoltaikstapels (108) einschließlich einer n-leitenden Schicht, einer p-leitenden Schicht und einer intrinsischen Schicht auf der ersten Elektrodenschicht (106);Abscheiden (212) einer zweiten Elektrodenschicht (110) über dem Photovoltaikstapel (108), so dass in der zweiten Elektrodenschicht (110) zwischen den Säulenstrukturen (104) Lücken oder Spalten (112) auftreten; undNassätzen (216) der zweiten Elektrodenschicht (110) um die Lücken oder Spalten (112) zu öffnen und die zweite Elektrodenschicht (110) zu reduzieren, um eine dreidimensionale Elektrode mit gleichmäßiger Dicke über dem Photovoltaikstapel (108) zu bilden.

公开(公告)号：GB2504430A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：GB201320003

申请日：2012-06-05

Applicant: IBM

Inventor： ABOU-KANDIL AHMED ,  FOGEL KEITH E ,  HONG AUGUSTIN J ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/077 ,  H01L31/18

Abstract: A photovoltaic device and method for fabricating a photovoltaic device include forming a light-absorbing semiconductor structure on a transmissive substrate including a first doped layer (406) and forming an intrinsic layer (410) on the first doped layer, wherein the intrinsic layer includes an amorphous material. The intrinsic layer is treated (412) with a plasma to form seed sites. A first tunnel junction layer is formed (414) on the intrinsic layer by growing microcrystals from the seed sites.

公开(公告)号：GB2502311A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：GB201209080

申请日：2012-05-24

Applicant: IBM ,  EGYPT NANOTECHNOLOGY CT EGNC

Inventor： KHOMYAKOV PETR ,  CURIONI ALESSANDRO ,  ANDREONI WANDA ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  AFIFY NASSER D

IPC: H01L31/04

Abstract: A photovoltaic solar cell device comprises an amorphous semiconductor light absorbing material (Fig. 2; 34, 35), in particular a thin film hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) material; and a band-stop filter structure (Fig. 2; 20) with a given stop band, the structure arranged to attenuate electromagnetic radiation reaching the light absorbing material and having angular frequencies w* within the stop band such that w min

公开(公告)号：DE102013202366A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：DE102013202366

申请日：2013-02-14

Applicant: BAY ZU PREC CO ,  IBM

Inventor： HOPSTAKEN MARINUS J ,  HUANG CHIEN-CHIH ,  SADANA DEVENDRA K ,  HONG AUGUSTIN J ,  HUANG YU-WEI ,  KIM JEEHWAN ,  TSENG CHIH-FU

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3065 ,  H01L31/075

Abstract: Verfahren zum Bilden einer Photovoltaikeinheit beinhalten Abscheiden einer p-leitenden Schicht auf einem Substrat und Reinigen der p-leitenden Schicht, indem eine Oberfläche der p-leitenden Schicht einer Plasmabehandlung ausgesetzt wird, um mit Verunreinigungsstoffen zu reagieren. Auf der p-leitenden Schicht wird eine intrinsische Schicht gebildet, und auf der intrinsischen Schicht wird eine n-leitende Schicht gebildet.

公开(公告)号：DE102016204362A1

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：DE102016204362

申请日：2016-03-16

Applicant: IBM

Inventor： FOGEL KEITH E ,  KIM JEEHWAN ,  LI NING ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L51/56 ,  H01L33/22 ,  H01L51/54

Abstract: Eine Einheit mit einer lichtemittierenden Diode (LED), die eine Struktur einer lichtemittierenden Diode (LED) beinhaltet, sowie ein lichtdurchlässiges Substrat, das mit der LED-Struktur in Kontakt steht. Das lichtdurchlässige Substrat weist eine Strukturoberfläche auf, die so angepasst wird, dass sie Elemente mit Abmessungen beinhaltet, die größer als eine Wellenlänge von Licht sind, das von der LED-Struktur erzeugt wird. Bei einigen Ausführungsformen verbessert eine Erhöhung der Elementgröße der Struktur, um vergleichbar mit der Wellenlänge von Licht zu sein, das von der LED erzeugt wird, die Lichtauskopplung aus der LED im Vergleich zu dem Fall, in dem die Elementgröße der Struktur wesentlich kleiner oder wesentlich größer als die Lichtwellenlänge ist.

公开(公告)号：GB2504430B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：GB201320003

申请日：2012-06-05

Applicant: IBM

Inventor： ABOU-KANDIL AHMED ,  FOGEL KEITH E ,  HONG AUGUSTIN J ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/077 ,  H01L31/18

Abstract: A photovoltaic device and method for fabricating a photovoltaic device include forming a light-absorbing semiconductor structure on a transmissive substrate including a first doped layer and forming an intrinsic layer on the first doped layer, wherein the intrinsic layer includes an amorphous material. The intrinsic layer is treated with a plasma to form seed sites. A first tunnel junction layer is formed on the intrinsic layer by growing microcrystals from the seed sites.

公开(公告)号：DE112013003292T5

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：DE112013003292

申请日：2013-06-25

Applicant: IBM

Inventor： FOGEL KEITH E ,  HONG AUGUSTIN J ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/18

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer Fotovoltaikeinheit schließt ein Abscheiden (302) einer oder mehrerer Schichten eines Fotovoltaikstapels auf einem Substrat unter Verwendung eines plasmaunterstützten chemischen Abscheidungsprozesses aus der Gasphase mit hoher Abscheidungsrate (HDR-PECVD-Prozess) ein. Auf dem Fotovoltaikstapel werden Kontakte gebildet (306), um eine Solarzelle bereitzustellen. An der Solarzelle wird ein Tempern (310) mit einer Temperatur und Dauer durchgeführt, die so ausgelegt sind, dass sie die Gesamtleistung verbessern.

公开(公告)号：GB2508748A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：GB201403424

申请日：2012-08-29

Applicant: IBM

Inventor： HONG AUGUSTIN J ,  JUNG WOO-SHIK ,  KIM JEEHWAN ,  NAH JAE-WOONG ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/0352 ,  H01L51/40 ,  H01L51/42

Abstract: Hemispheres (18) and spheres (28) are formed and employed for a plurality of applications. Hemispheres (18) are employed to form a substrate having an upper surface and a lower surface (12). The upper surface includes peaks of pillars (10) which have a base attached to the lower surface. The peaks have a density defined at the upper surface by an array of hemispherical metal structures (18) that act as a mask during an etch to remove substrate material down to the lower surface during formation of the pillars. The pillars are dense and uniform and include a microscale average diameter. The spheres are formed as independent metal spheres or nanoparticles for other applications.

公开(公告)号：GB2506315A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：GB201400139

申请日：2012-06-05

Applicant: IBM

Inventor： CHANDRA BHUPESH ,  HONG AUGUSTIN J ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  TULEVSKI GEORGE

IPC: H01L31/0224 ,  B82Y30/00 ,  H01L31/075

Abstract: A photovoltaic device and method include a photovoltaic stack having an N-doped layer (112), a P-doped layer (108) and an intrinsic layer (1 10). A transparent electrode (104) is formed on the photovoltaic stack and includes a carbon based layer (105) and a high work function metal layer (107). The high work function metal layer is disposed at an interface between the carbon based layer and the P-doped layer such that the high work function metal layer forms a reduced barrier contact and is light transmissive.

公开(公告)号：DE112012002461T5

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：DE112012002461

申请日：2012-06-05

Applicant: IBM

Inventor： KIM JEEHWAN ,  SHIU KUEN-TING ,  DIMITRAKO-POULOS CHRISTOS ,  HONG AUGUSTIN J ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/00

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Photovoltaikeinheit enthält ein Aufbringen (206) einer Diblockcopolymerschicht auf ein Substrat und Entfernen eines ersten Polymermaterials aus der Diblockcopolymerschicht, um eine Vielzahl verteilter Poren zu bilden. Eine strukturbildende Schicht wird auf der verbleibenden Oberfläche der Diblockcopolymerschicht und in den Poren in Kontakt mit dem Substrat abgeschieden (212). Die Diblockcopolymerschicht wird abgehoben (214) und Teile der strukturbildenden Schicht werden in Kontakt mit dem Substrat belassen. Das Substrat wird unter Verwendung der strukturbildenden Schicht zum Schützen von Teilen des Substrats geätzt (216), um Säulen in dem Substrat zu bilden, so dass die Säulen eine strahlenabsorbierende Struktur in der Photovoltaikeinheit bereitstellen.