公开(公告)号：WO2011031396A3

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：PCT/US2010044630

申请日：2010-08-06

Applicant: IBM ,  GOLDFARB DARIO L ,  GLODDE MARTIN ,  HUANG WU-SONG S ,  LIU SEN ,  VYKLICKY LIBOR ,  LI WAI-KIN

Inventor： GOLDFARB DARIO L ,  GLODDE MARTIN ,  HUANG WU-SONG S ,  LIU SEN ,  VYKLICKY LIBOR ,  LI WAI-KIN

IPC: C09D5/32 ,  G03F7/20 ,  H01L21/02

CPC classification number: G03F7/0388 ,  G03F7/038 ,  G03F7/091 ,  G03F7/11 ,  H01L51/447

Abstract: A curable liquid formulation comprising: (i) one or more near-infrared absorbing polymethine dyes; (ii) one or more crosslinkable polymers; and (iii) one or more casting solvents. The invention is also directed to solid near-infrared absorbing films composed of crosslinked forms of the curable liquid formulation. The invention is also directed to a microelectronic substrate containing a coating of the solid near-infrared absorbing film as well as a method for patterning a photoresist layer coated on a microelectronic substrate in the case where the near-infrared absorbing film is between the microelectronic substrate and a photoresist film.

Abstract translation: 一种可固化液体制剂，其包含：（i）一种或多种近红外吸收聚甲炔染料; （ii）一种或多种可交联聚合物; 和（iii）一种或多种浇铸溶剂。 本发明还涉及由可固化液体制剂的交联形式组成的固体近红外吸收膜。 本发明还涉及一种含有固体近红外线吸收膜的涂层的微电子衬底，以及在近红外吸收膜位于微电子衬底之间的情况下，用于图案化涂覆在微电子衬底上的光刻胶层的方法 和光刻胶膜。

公开(公告)号：GB2498674B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：GB201307732

申请日：2011-10-21

Applicant: IBM

Inventor： CHEN KUANG-JUNG ,  LIU SEN ,  HUANG WU-SONG ,  LI WAI-KIN

IPC: G03F7/32 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039

公开(公告)号：GB2486102A

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：GB201203634

申请日：2010-08-06

Applicant: IBM

Inventor： GOLDFARB DARIO L ,  GLODDE MARTIN ,  HUANG WU-SONG ,  LIU SEN ,  VYKLICKY LIBOR ,  LI WAI-KIN

IPC: C09D5/32 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  H01L21/02

Abstract: A curable liquid formulation comprising: (i) one or more near-infrared absorbing polymethine dyes; (ii) one or more crosslinkable polymers; and (iii) one or more casting solvents. The invention is also directed to solid near-infrared absorbing films composed of crosslinked forms of the curable liquid formulation. The invention is also directed to a microelectronic substrate containing a coating of the solid near-infrared absorbing film as well as a method for patterning a photoresist layer coated on a microelectronic substrate in the case where the near-infrared absorbing film is between the microelectronic substrate and a photoresist film.

公开(公告)号：DE102004009336A1

公开(公告)日：2004-09-16

申请号：DE102004009336

申请日：2004-02-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  IBM

Inventor： CHEN XIANCHUN LINDA ,  LI WAI-KIN

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/308 ,  H01L21/8242 ,  G03F7/00

Abstract: Damage to the rim of a semiconductor wafer caused by etching processes is reduced by forming a rim of carbonized photoresist around the outer edge of the wafer, using a wafer edge tool to carbonize the outer rim of a positive tone photoresist.

公开(公告)号：DE112016000399B4

公开(公告)日：2019-04-04

申请号：DE112016000399

申请日：2016-02-15

Applicant: IBM

Inventor： WANG PING-CHUAN ,  PEI CHENGWEN ,  LI WAI-KIN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/58 ,  H01L27/088

Abstract: Halbleitereinheit (100) mit physikalisch unklonbarer Funktion (PUF), aufweisend:ein Halbleitersubstrat, das sich entlang einer ersten Richtung, um eine Länge zu definieren, und einer zweiten Richtung senkrecht zu der ersten Richtung erstreckt, um eine Dicke zu definieren;mindestens ein Paar von Halbleiterstrukturen (102a, 102b) auf dem Halbleitersubstrat, wobei das mindestens eine Paar von Halbleiterstrukturen aufweist:eine erste Halbleiterstruktur, die eine erste Gatedielektrikumsschicht (120a) mit einer ersten Form aufweist, die eine erste Schwellenspannung (Q1_Vt) definiert; undeine zweite Halbleiterstruktur, die eine zweite Gatedielektrikumsschicht (120b) mit einer zweiten dielektrischen Form aufweist, die umgekehrt bezüglich der ersten Form angeordnet ist und die eine zweite Schwellenspannung (Q2_Vt) definiert, die sich von der ersten Schwellenspannung unterscheidet.

公开(公告)号：DE112016000399T5

公开(公告)日：2017-10-26

申请号：DE112016000399

申请日：2016-02-15

Applicant: IBM

Inventor： WANG PING-CHUAN ,  PEI CHENGWEN ,  LI WAI-KIN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/82

Abstract: Eine Halbleitereinheit (100) mit physikalisch unklonbarer Funktion (PUF) enthält ein Halbleitersubstrat, das sich entlang einer ersten Richtung, um eine Länge zu definieren, und entlang einer zweiten Richtung entgegen der ersten Richtung erstreckt, um eine Dicke zu definieren. Auf dem Halbleitersubstrat ist mindestens ein Paar von Halbleiterstrukturen (102a, 102b) ausgebildet. Die Halbleiterstrukturen (102a, 102b) beinhalten eine erste Halbleiterstruktur (102a) und eine zweite Halbleiterstruktur (102b). Die erste Halbleiterstruktur (102a) enthält eine erste Gatedielektrikumsschicht (120a) mit einer ersten Form, die eine erste Schwellenspannung definiert. Die zweite Halbleiterstruktur (102b) enthält eine zweite Gatedielektrikumsschicht (120b) mit einer zweiten dielektrischen Form, die bezüglich der ersten Form umgekehrt angeordnet ist und die eine zweite Schwellenspannung definiert, die sich von der ersten Schwellenspannung unterscheidet.

公开(公告)号：DE112011103278T5

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：DE112011103278

申请日：2011-08-18

Applicant: IBM

Inventor： WANG PING-CHUAN ,  TIAN CHUNYAN E ,  FILIPPI RONALD ,  LI WAI-KIN

IPC: H01L23/62

Abstract: Es werden Strukturen von elektronischen Sicherungen (E-Sicherung) bereitgestellt. Eine unprogrammierte E-Sicherung (100) beinhaltet eine Durchkontaktierung (120) aus einem ersten leitfähigen Material, die eine Unterseite und Seitenwände aufweist, wobei ein Abschnitt der Seitenwände durch eine leitfähige Auskleidung (121) bedeckt ist und die Unterseite der Durchkontaktierung auf einer Oberseite einer dielektrischen Schicht (410) ausgebildet ist, und einen ersten und einen zweiten Leitungsweg (111, 112) aus einem zweiten leitfähigen Material, die auf der Oberseite der dielektrischen Schicht (410) ausgebildet sind, wobei der erste und zweite Leitungsweg durch, und nur durch, die Durchkontaktierung (120) an den Seitenwänden leitend verbunden sind. Eine programmierte E-Sicherung beinhaltet eine Durchkontaktierung (120); einen ersten Leitungsweg (111) an einer ersten Seite der Durchkontaktierung, der durch einen Hohlraum (122) von Seitenwänden der Durchkontaktierung getrennt ist; und einen zweiten Leitungsweg (112) an einer zweiten, anderen Seite der Durchkontaktierung (120), der mit der Durchkontaktierung durch Seitenwände der Durchkontaktierung in leitendem Kontakt steht.

公开(公告)号：DE10361273A1

公开(公告)日：2004-07-22

申请号：DE10361273

申请日：2003-12-24

Applicant: IBM ,  INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LI WAI-KIN ,  MALIK RAJEEV ,  MEZZAPELLE JOSEPH

IPC: G03C5/00 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11

公开(公告)号：GB2486102B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：GB201203634

申请日：2010-08-06

Applicant: IBM

Inventor： GOLDFARB DARIO L ,  GLODDE MARTIN ,  HUANG WU-SONG S ,  LIU SEN ,  VYKLICKY LIBOR ,  LI WAI-KIN

IPC: C09D5/32 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  H01L21/02

公开(公告)号：DE112012005285T5

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：DE112012005285

申请日：2012-12-13

Applicant: IBM ,  SHINETSU CHEMICAL CO

Inventor： GOLDFARB DARIO ,  GLODDE MARTIN ,  HUANG WU-SONG ,  KINSHO TAKESHI ,  LI WAI-KIN ,  NODA KAZUMI ,  OHASHI MASAKI ,  TACHIBANA SEIICHIRO

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/004 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine nahinfrarot(NIR)-Dünnschichtzusammensetzung zur Verwendung bei einer vertikalen Ausrichtung und Korrektur in der Strukturierung von integrierten Halbleiter-Wafern und auf ein Strukturierungsausbildungsverfahren unter Verwendung der Zusammensetzung. Die NIR-absorbierende Dünnschichtzusammensetzung beinhaltet einen NIR-absorbierenden Farbstoff, der ein Polymethinkation und ein vernetzbares Anion aufweist, ein vernetzbares Polymer und ein Vernetzungsmittel. Das Strukturierungsausbildungsverfahren beinhaltet ein Ausrichten und Fokussieren einer Fokalebenenposition einer Photolackschicht durch Erfassen von Nahinfrarotemissionen, die von einem Substrat reflektiert werden, das die Photolackschicht und eine NIR-absorbierende Schicht enthält, die aus der NIR-absorbierenden Dünnschichtzusammensetzung unter der Photolackschicht ausgebildet ist. Die NIR-absorbierende Dünnschichtzusammensetzung und das Strukturierungsausbildungsverfahren sind besonders nützlich zum Ausbilden von Materialstrukturen auf einem Halbleitersubstrat mit einer komplexen vergrabenen Topographie.