公开(公告)号：DE112012004791B4

公开(公告)日：2018-01-04

申请号：DE112012004791

申请日：2012-11-16

Applicant: EGYPT NANOTECHNOLOGY CENTER (EGNC) ,  IBM

Inventor： MARTYNA GLENN J ,  AFZALI-ARDAKANI ALI ,  MAAROUF AHMED ,  SAENGER KATHERINE

IPC: B44C1/165 ,  B32B3/00 ,  B32B3/12 ,  B32B15/16 ,  H03F1/00

Abstract: Verfahren zum Bilden einer mit einem Muster versehenen Graphen-Schicht auf einem Substrat, das aufweist: Bilden von wenigstens einer mit einem Muster versehenen Struktur aus einem ein Carbid bildenden Metall oder einer ein Carbid bildenden, ein Metall enthaltenden Legierung auf einem Substrat; Anbringen einer Schicht aus Graphen auf der Oberseite der wenigstens einen mit einem Muster versehenen Struktur aus einem ein Carbid bildenden Metall oder einer ein Carbid bildenden, ein Metall enthaltenden Legierung auf dem Substrat; Erwärmen der Schicht aus Graphen auf der Oberseite der wenigstens einen mit einem Muster versehenen Struktur aus einem ein Carbid bildenden Metall oder einer ein Carbid bildenden, ein Metall enthaltenden Legierung in einer Umgebung, um Bereiche aus Graphen benachbart zu der wenigstens einen mit einem Muster versehenen Struktur aus einem ein Carbid bildenden Metall oder einer ein Carbid bildenden, ein Metall enthaltenden Legierung zu entfernen; und Entfernen der wenigstens einen mit einem Muster versehenen Struktur aus einem ein Carbid bildenden Metall oder einer ein Carbid bildenden, ein Metall enthaltenden Legierung, um eine mit einem Muster versehene Graphen-Schicht auf dem Substrat zu erzeugen, wobei die mit einem Muster versehene Graphen-Schicht auf dem Substrat eine Ladungsträgerbeweglichkeit für elektronische Einheiten bereitstellt.

公开(公告)号：GB2506556B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：GB201400400

申请日：2012-07-02

Applicant: IBM

Inventor： ELMEGREEN BRUCE GORDON ,  MARTYNA GLENN J ,  NEWNS DENNIS ,  ROSSNAGEL STEPHEN M ,  SOLOMAN PAUL MICHAEL

IPC: H01L41/09 ,  H01L41/08 ,  H01L49/00

Abstract: A 4-terminal piezoelectronic transistor (PET) which includes a piezoelectric (PE) material disposed between first and second electrodes; an insulator material disposed on the second electrode; a third electrode disposed on the insulator material and a piezoresistive (PR) material disposed between the third electrode and a fourth electrode. An applied voltage across the first and second electrodes causing a pressure from the PE material to be applied to the PR material through the insulator material, the electrical resistance of the PR material being dependent upon the pressure applied by the PE material. The first and second electrodes are electrically isolated from the third and fourth electrodes. Also disclosed are logic devices fabricated from 4-terminal PETs and a method of fabricating a 4-terminal PET.

公开(公告)号：DE112012004791T5

公开(公告)日：2014-07-31

申请号：DE112012004791

申请日：2012-11-16

Applicant: EGYPT NANOTECHNOLOGY CT EGNC ,  IBM

Inventor： MARTYNA GLENN J ,  AFZALI-ARDAKANI ALI ,  MAAROUF AHMED ,  SAENGER KATHERINE

IPC: B44C1/165

Abstract: Vorrichtung und Verfahren zum Bilden einer mit einem Muster versehenen Graphen-Schicht auf einem Substrat. Ein derartiges Verfahren beinhaltet ein Bilden von wenigstens einer mit einem Muster versehenen Struktur aus einem ein Carbid bildenden Metall oder einer ein Carbid bildenden, ein Metall enthaltenden Legierung auf einem Substrat, ein Anbringen einer Schicht aus Graphen auf der Oberseite der wenigstens einen mit einem Muster versehenen Struktur aus einem ein Carbid bildenden Metall oder einer ein Carbid bildenden, ein Metall enthaltenden Legierung auf dem Substrat, ein Erwärmen der Schicht aus Graphen auf der Oberseite der wenigstens einen mit einem Muster versehenen Struktur aus einem ein Carbid bildenden Metall oder einer ein Carbid bildenden, ein Metall enthaltenen Legierung in einer Umgebung, um Bereiche aus Graphen benachbart zu der wenigstens einen mit einem Muster versehenen Struktur aus einem ein Carbid bildenden Metall oder einer ein Carbid bildenden, ein Metall enthaltenden Legierung zu entfernen, sowie ein Entfernen der wenigstens einen mit einem Muster versehenen Struktur aus einem ein Carbid bildenden Metall oder einer ein Carbid bildenden, ein Metall enthaltenden Legierung, um eine mit einem Muster versehene Graphen-Schicht auf dem Substrat zu erzeugen, wobei die mit einem Muster versehene Graphen-Schicht auf dem Substrat eine Ladungsträgerbeweglichkeit für elektronische Einheiten bereitstellt.

公开(公告)号：GB2507706A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：GB201403277

申请日：2012-07-13

Applicant: IBM

Inventor： HARRER STEFAN ,  LUAN BINQUAN ,  MARTYNA GLENN J ,  PENG HONGBO ,  POLONSKY STANISLAV ,  ROSSNAGEL STEPHEN ,  ROYYURU AJAY K ,  STOLOVITZKY GUSTAVO ALEJANDRO ,  WALKER GEORGE F

IPC: G01N33/487 ,  B82Y15/00 ,  G01N27/327

Abstract: A technique for controlling the motion of one or more charged entities linked to a polymer through a nanochannel is provided. A first reservoir and a second reservoir are connected by the nanochannel. An array of electrodes is positioned along the nanochannel, where fluid fills the first reservoir, the second reservoir, and the nanochannel. A first electrode is in the first reservoir and a second electrode is in the second reservoir. The first and second electrodes are configured to direct the one or more charged entities linked to the polymer into the nanochannel. An array of electrodes is configured to trap the one or more charged entities in the nanochannel responsive to being controlled for trapping. The array of electrodes is configured to move the one or more charged entities along the nanochannel responsive to being controlled for moving.

公开(公告)号：DE102012220314A1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：DE102012220314

申请日：2012-11-08

Applicant: IBM

Inventor： BOL AGEETH A ,  CHANDRA BHUPESH ,  KASRY AMAL ,  MAAROUF AHMED ,  MARTYNA GLENN J ,  TULEVSKI GEORGE S

IPC: H01L21/18 ,  B82B3/00 ,  C01B31/04 ,  C23C16/26 ,  C30B25/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht und ein Verfahren zum Ausbilden einer gereinigten Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht. Das Verfahren beinhaltet ein Abscheiden einer Nanoröhren-Dünnschicht über einem Substrat, um eine Schicht einer Nanoröhren-Dünnschicht zu erzeugen, ein Entfernen von Verunreinigungen von einer Oberfläche der Schicht der Nanoröhren-Dünnschicht, die das Substrat nicht berührt, um eine gereinigte Schicht einer Nanoröhren-Dünnschicht zu erzeugen, ein Abscheiden einer Schicht Graphen über der gereinigten Schicht der Nanoröhren-Dünnschicht, um eine Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht zu erzeugen, und ein Entfernen von Verunreinigungen von einer Oberfläche der Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht, um eine gereinigte Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht zu erzeugen, wobei die Hybriddünnschicht eine verbesserte elektrische Leistungsfähigkeit aufweist. Ein weiteres Verfahren beinhaltet ein Abscheiden einer Nanoröhren-Dünnschicht über einer Metallfolie, um eine Schicht einer Nanoröhren-Dünnschicht zu erzeugen, ein Platzieren der Metallfolie mit der abgeschiedenen Nanoröhren-Dünnschicht in einem Ofen für chemische Gasphasenabscheidung, um Graphen auf der Nanoröhren-Dünnschicht aufzuwachsen, um eine Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht auszubilden, und ein Übertragen der Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht über ein Substrat.