公开(公告)号：GB2506315B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：GB201400139

申请日：2012-06-05

Applicant: IBM

Inventor： CHANDRA BHUPESH ,  HONG AUGUSTIN J ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  TULEVSKI GEORGE S

IPC: H01L31/0224 ,  B82Y30/00 ,  H01L31/075

Abstract: A photovoltaic device and method include a photovoltaic stack having an N-doped layer, a P-doped layer and an intrinsic layer. A transparent electrode is formed on the photovoltaic stack and includes a carbon based layer and a high work function metal layer. The high work function metal layer is disposed at an interface between the carbon based layer and the P-doped layer such that the high work function metal layer forms a reduced barrier contact and is light transmissive.

公开(公告)号：DE112012001825B4

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：DE112012001825

申请日：2012-05-07

Applicant: IBM

Inventor： CHEN ZHIHONG ,  FRANKLIN AARON DANIEL ,  HAN SHU-JEN ,  HANNON JAMES BOWLER ,  SAENGER KATHERINE L ,  TULEVSKI GEORGE S

IPC: H01L29/16 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Transistor-Einheit, das die Schritte aufweist: Bereitstellen eines Wafers mit einer Schicht aus einem elektrisch leitfähigen Material auf einer isolierenden Schicht; Bilden von Hohlräumen in dem Wafer, um einen oder mehrere Anteile des leitfähigen Materials zu isolieren, wobei ein isolierter Anteil des leitfähigen Materials als ein lokales unteres Gate der Einheit dient; Füllen der Hohlräume mit einem Dielektrikum; Bilden eines Gate-Dielektrikums auf dem unteren Gate; Bilden eines Nanostruktur-Materials auf der Grundlage von Kohlenstoff über wenigstens einem Anteil des Gate-Dielektrikums, wobei ein Anteil des Nanostruktur-Materials auf der Grundlage von Kohlenstoff als ein Kanal der Einheit dient; und Bilden von leitfähigen Source- und Drain-Kontakten an einem oder mehreren Anteilen des Nanostruktur-Materials auf der Grundlage von Kohlenstoff auf entgegengesetzten Seiten des Kanals, die als Source- und Drain-Bereiche der Einheit dienen.

公开(公告)号：DE112012001825T5

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：DE112012001825

申请日：2012-05-07

Applicant: IBM

Inventor： CHEN ZHIHONG ,  FRANKLIN AARON DANIEL ,  HAN SHU-JEN ,  HANNON JAMES BOWLER ,  SAENGER KATHERINE L ,  TULEVSKI GEORGE S

IPC: H01L29/16

Abstract: Es werden Transistor-Einheiten mit Kanälen auf der Grundlage von Material im Nanobereich (z. B. Kohlenstoff-Nanoröhren-Kanäle oder Graphen-Kanäle) sowie Techniken zur Herstellung derselben bereitgestellt. In einem Aspekt wird eine Transistor-Einheit bereitgestellt. Die Transistor-Einheit beinhaltet ein Substrat; einen Isolator auf dem Substrat; ein lokales unteres Gate, das in dem Isolator eingebettet ist, wobei eine Oberseite des Gates im Wesentlichen koplanar mit einer Oberfläche des Isolators ist; ein lokales Gate-Dielektrikum auf dem unteren Gate; ein Nanostruktur-Material auf der Grundlage von Kohlenstoff über wenigstens einem Anteil des lokalen Gate-Dielektrikums, wobei ein Anteil des Nanostruktur-Materials auf der Grundlage von Kohlenstoff als ein Kanal der Einheit dient; sowie leitfähige Source- und Drain-Kontakte an einem oder mehreren Anteilen des Nanostruktur-Materials auf der Grundlage von Kohlenstoff auf entgegengesetzten Seiten des Kanals, die als Source- und Drain-Bereiche der Einheit dienen.

公开(公告)号：DE102012220314A1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：DE102012220314

申请日：2012-11-08

Applicant: IBM

Inventor： BOL AGEETH A ,  CHANDRA BHUPESH ,  KASRY AMAL ,  MAAROUF AHMED ,  MARTYNA GLENN J ,  TULEVSKI GEORGE S

IPC: H01L21/18 ,  B82B3/00 ,  C01B31/04 ,  C23C16/26 ,  C30B25/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht und ein Verfahren zum Ausbilden einer gereinigten Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht. Das Verfahren beinhaltet ein Abscheiden einer Nanoröhren-Dünnschicht über einem Substrat, um eine Schicht einer Nanoröhren-Dünnschicht zu erzeugen, ein Entfernen von Verunreinigungen von einer Oberfläche der Schicht der Nanoröhren-Dünnschicht, die das Substrat nicht berührt, um eine gereinigte Schicht einer Nanoröhren-Dünnschicht zu erzeugen, ein Abscheiden einer Schicht Graphen über der gereinigten Schicht der Nanoröhren-Dünnschicht, um eine Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht zu erzeugen, und ein Entfernen von Verunreinigungen von einer Oberfläche der Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht, um eine gereinigte Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht zu erzeugen, wobei die Hybriddünnschicht eine verbesserte elektrische Leistungsfähigkeit aufweist. Ein weiteres Verfahren beinhaltet ein Abscheiden einer Nanoröhren-Dünnschicht über einer Metallfolie, um eine Schicht einer Nanoröhren-Dünnschicht zu erzeugen, ein Platzieren der Metallfolie mit der abgeschiedenen Nanoröhren-Dünnschicht in einem Ofen für chemische Gasphasenabscheidung, um Graphen auf der Nanoröhren-Dünnschicht aufzuwachsen, um eine Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht auszubilden, und ein Übertragen der Nanoröhren-Graphen-Hybriddünnschicht über ein Substrat.