公开(公告)号：DE102020126647A1

公开(公告)日：2021-04-29

申请号：DE102020126647

申请日：2020-10-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PALM PETTERI ,  BENISEK MARTIN ,  CHEN LIU ,  DAECHE FRANK ,  MAERZ JOSEF

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L23/42 ,  H05K1/02 ,  H05K3/30

Abstract: Eine Leistungselektronikeinheit umfasst eine Leiterplatte mit Metallschichten, die auf oder zwischen elektrisch isolierende Schichten laminiert sind, und ein Leistungsbauteil, das in die Leiterplatte eingebettet ist. Eine erste Metallschicht stellt elektrische Kontakte an einer ersten Seite der Leiterplatte bereit. Eine zweite Metallschicht stellt einen thermischen Kontakt auf einer zweiten Seite der Leiterplatte bereit. Eine dritte Metallschicht ist zwischen der ersten Metallschicht und dem Leistungsbauteil positioniert und so konfiguriert, dass sie einen von dem Leistungsbauteil geschalteten Laststrom verteilt. Eine vierte Metallschicht ist zwischen der zweiten Metallschicht und dem Leistungsbauteil positioniert und als primärer Wärmeleitungspfad für Wärme konfiguriert, die von dem Leistungsbauteil während des Schaltens des Laststroms erzeugt wird. Eine erste elektrisch isolierende Schicht trennt die vierte Metallschicht von der zweiten Metallschicht, sodass die vierte Metallschicht von der zweiten Metallschicht elektrisch isoliert, aber thermisch mit ihr verbunden ist.

公开(公告)号：DE102018114591A1

公开(公告)日：2019-12-19

申请号：DE102018114591

申请日：2018-06-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BOIANCEANU CRISTIAN MIHAI ,  CHEN LIU ,  SOSIN SEBASTIAN ,  WOOD ANDREW

IPC: H01L29/78

Abstract: Es wird ein Transistorbauelement offenbart. Das Transistorbauelement enthält: einen Halbleiterkörper (100); einen Source-Leiter (21) auf dem Halbleiterkörper (100); einen Source-Clip (31), der sich auf dem Source-Leiters (21) befindet und mit dem Source-Leiter (21) elektrisch verbunden ist; ein erstes aktives Bauelementgebiet (110), das in dem Halbleiterkörper (100) angeordnet ist, durch den Source-Leiter (21) und den Source-Clip (31) bedeckt ist und zumindest eine Bauelementzelle (10) aufweist; und ein zweites aktives Bauelementgebiet (120), das in dem Halbleiterkörper (100) angeordnet ist, durch Bereiche des Source-Leiters (21), die nicht durch den Source-Clip (31) bedeckt sind, bedeckt ist und zumindest eine Bauelementzelle (10, 10') aufweist. Das erste aktive Bauelementgebiet (110) weist einen ersten flächenspezifischen Ein-Widerstand auf und das zweite aktive Bauelementgebiet (120) weist einen zweiten flächenspezifischen Ein-Widerstand auf, wobei der zweite flächenspezifische Ein-Widerstand größer als der erste flächenspezifische Ein-Widerstand ist.

公开(公告)号：DE102015113208A1

公开(公告)日：2016-02-18

申请号：DE102015113208

申请日：2015-08-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CHEN LIU ,  DINKEL MARKUS ,  SALMINEN TONI

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485

Abstract: Ein integriertes Leistungsmodul mit integriertem Leistungselektronikschaltkreis und Logikschaltkreis umfasst ein eingebettetes Leistungshalbleitermodul mit einem oder mehreren Leistungshalbleiterchips, die in einem dielektrischen Material eingebettet sind, eine Mehrschicht-Logik-Leiterplatte mit einem oder mehreren Logikchips, die an einer Oberfläche der Logikleiterplatte befestigt sind, und eine elastische Verbindung, die zwischen dem eingebetteten Leistungshalbleitermodul und der Logikleiterplatte einstückig ausgebildet ist. Die elastische Verbindung verbindet das eingebettete Leistungshalbleitermodul mechanisch mit der Logikleiterplatte und stellt einen elektrischen Pfad zwischen dem eingebetteten Leistungshalbleitermodul und der Logikleiterplatte bereit. Ein Verfahren zur Herstellung des integrierten Leistungsmoduls ist ebenfalls bereitgestellt.