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    Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleiteranordnung
    11.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleiteranordnung 未知

    公开(公告)号：DE102012215055B4

    公开(公告)日：2022-03-24

    申请号：DE102012215055

    申请日：2012-08-24

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： STOLZE THILO ,  STROTMANN GUIDO ,  GUTH KARSTEN

    IPC: H01L21/60 ,  H01L21/50

    Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleiteranordnung, umfassend die Schritte:Bereitstellen eines dielektrischen Isolationsträgers (20), der eine ebene Oberseite (20t) aufweist, sowie eine auf der Oberseite (20t) angeordnete obere Metallisierungsschicht (21);Bereitstellen eines Halbleiterchips (1);Verbinden des Halbleiterchips (1) und der oberen Metallisierungsschicht (21) mittels einer Verbindungsschicht (4), die zwischen dem Halbleiterchip (1) und der oberen Metallisierungsschicht (21) angeordnet wird, wobei die Verbindungsschicht (4) durch Diffusionslöten oder Sintern hergestellt wird;Bereitstellen einer Anzahl von N ≥ 1 elektrisch leitender, gerader Kontaktpins (3), von denen ein jeder ein erstes Ende (31) sowie ein dem ersten Ende entgegengesetztes zweites Ende (32) aufweist;für jeden der Kontaktpins (3): Herstellen einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen der oberen Metallisierungsschicht (21) und dem ersten Ende (31), wobei das Material des Kontaktpins (3) in unmittelbaren physischen Kontakt mit dem Material der oberen Metallisierungsschicht (21) gebracht und das erste Ende (31) senkrecht zur Oberseite (20t) unmittelbar an die obere Metallisierungsschicht (21) geschweißt wird, wobei das zweite Ende (32) des Kontaktpins (3) aus einem Modulgehäuse (9) herausgeführt wird.

    Halbleiter-Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Bauelements und damit hergestelltes Halbleiter-Bauelement
    12.
    发明专利
    Halbleiter-Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Bauelements und damit hergestelltes Halbleiter-Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102009040632B4

    公开(公告)日：2017-11-16

    申请号：DE102009040632

    申请日：2009-09-08

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： RIEDL EDMUND ,  NIKITIN IVAN ,  LODERMEYER JOHANNES ,  BERGMANN ROBERT ,  GUTH KARSTEN

    IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48

    Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Bauelements, umfassend: Bereitstellen eines Metallträgers (1); Bereitstellen eines Halbleiterchips (2); Aussetzen mindestens eines des Metallträgers (1) und des Halbleiterchips (2) einer metallionenhaltigen Flüssigkeit und somit Herstellen einer porösen Schicht (3) an einer Oberfläche mindestens eines des Metallträgers (1) und des Halbleiterchips (2); Anlegen einer Spannung zwischen der metallionenhaltigen Flüssigkeit und mindestens eines des Metallträgers (1) und Halbleiterchips (2); Platzieren des Halbleiterchips (2) auf dem Metallträger (1), so dass die poröse Schicht (3) eine Zwischenschicht zwischen dem Metallträger (1) und dem Halbleiterchip (2) bildet und mit beiden direkt verbunden ist; und Erhitzen des Metallträgers (1) und des Halbleiterchips (2), bis der Halbleiterchip (2) an dem Metallträger (1) angebracht ist.

    Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls
    13.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls 未知

    公开(公告)号：DE102008033651B4

    公开(公告)日：2013-08-22

    申请号：DE102008033651

    申请日：2008-07-17

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： GUTH KARSTEN ,  HARTUNG HANS ,  SPECKELS ROLAND

    IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L25/04

    Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls, das folgende Schritte umfasst: Bereitstellen eines Stützfilms (12), wobei der Stützfilm (12) eine Klebeschicht (30) aufweist; Anordnen mehrerer, durch einen Abstand (d) voneinander getrennter Sätze von Halbleitereinzelchips (10) auf dem Stützfilm (12) in einem vorgegebenen Layout, wobei die Halbleitereinzelchips (10) durch die Klebeschicht (30) an dem Stützfilm (12) angebracht werden; und Anpressen des Stützfilms (12) zusammen mit einem der daran angebrachten Sätze von Halbleiterchips (10) an einen Träger (27), um diesen Satz Halbleitereinzelchips (10) fest auf dem Träger (27) zu montieren.

    14.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102008048869A1

    公开(公告)日：2010-04-22

    申请号：DE102008048869

    申请日：2008-09-25

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SPECKELS ROLAND ,  LICHT THOMAS ,  GUTH KARSTEN

    IPC: H01L21/687

    Abstract: A device and a method for making a semiconductor device including bonding a first bonding partner to a second bonding partner. The device comprises a lower tool and an upper tool, the upper tool including a plunger having a bottom side facing the lower tool at which bottom side a vacuum is creatable, so that the first bonding partner can be picked up by vacuum from the upper tool and positioned on the second bonding partner.

    Elektronikmodul und Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmoduls
    16.
    发明专利
    Elektronikmodul und Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmoduls 未知

    公开(公告)号：DE102014114808B4

    公开(公告)日：2018-03-08

    申请号：DE102014114808

    申请日：2014-10-13

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： GUTH KARSTEN ,  STROTMANN GUIDO

    IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/053 ,  H01L25/07

    Abstract: Elektronikmodul mit einem Modulgehäuse (6), sowie mit einem elektrisch leidenden Anschlusselement (7), das einen ersten Abschnitt (71) aufweist, einen zweiten Abschnitt (72), und einen Schaft (70) zwischen dem ersten Abschnitt (71) und dem zweiten Abschnitt (72), wobei der Schaft (70) mit einer nicht-metallischen Beschichtung (8) versehen ist; das Anschlusselement (7) zusammen mit der Beschichtung (8) im Bereich des Schaftes (70) in das Modulgehäuse (6) eingespritzt ist, so dass das Anschlusselement (7) in dem Modulgehäuse (6) fixiert ist; und ein Silikongel in das Modulgehäuse (6) eingefüllt ist.

    Elektronikmodul und Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmoduls
    18.
    发明专利
    Elektronikmodul und Verfahren zur Herstellung eines Elektronikmoduls 未知

    公开(公告)号：DE102014114808A1

    公开(公告)日：2016-04-14

    申请号：DE102014114808

    申请日：2014-10-13

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： GUTH KARSTEN ,  STROTMANN GUIDO

    IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/053 ,  H01L25/07

    Abstract: Ein Aspekt der Erfindung betrifft ein Elektronikmodul (100) mit einem Modulgehäuse (6) und einem elektrisch leidenden Anschlusselement (7). Das Anschlusselement (7) weist einen ersten Abschnitt (71) und einen zweiten Abschnitt (72) auf, sowie einen Schaft (70) zwischen dem ersten Abschnitt (71) und dem zweiten Abschnitt (72). Das Anschlusselement (7), das im Bereich des Schaftes (80) mit einer nicht-metallischen Beschichtung (8) versehen ist, ist zusammen mit der Beschichtung (8) im Bereich des Schaftes (70) in das Modulgehäuse (6) eingespritzt ist, so dass das Anschlusselement (7) in dem Modulgehäuse (6) fixiert ist.

    Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleiteranordnung
    19.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleiteranordnung 未知

    公开(公告)号：DE102012215055A1

    公开(公告)日：2013-04-04

    申请号：DE102012215055

    申请日：2012-08-24

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： STOLZE THILO ,  STROTMANN GUIDO ,  GUTH KARSTEN

    IPC: H01L21/60 ,  H01L21/50

    Abstract: Bei einem Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleiteranordnung wird ein dielektrischer Isolationsträger (20) mit einer Oberseite (20t) und einer auf der Oberseite (20t) angeordneten oberen Metallisierungsschicht (21) bereitgestellt. Ebenso bereitgestellt werden ein Halbleiterchip (1) und wenigstens ein elektrisch leitender Kontaktpin (3), wobei jeder Kontaktpin (3) ein erstes Ende (31) und ein dem ersten Ende (31) entgegengesetztes zweites Ende (32) aufweist. Der Halbleiterchip (1) wird durch Sintern oder Diffusionslöten mit der oberen Metallisierungsschicht (21) verbunden. Zwischen dem ersten Ende (31) und der oberen Metallisierungsschicht (21) Material des Kontaktpins (3) in direkten physischen Kontakt mit dem Material der oberen Metallisierungsschicht (31) gebracht wird.

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