公开(公告)号：DE102016218771B4

公开(公告)日：2022-01-27

申请号：DE102016218771

申请日：2016-09-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO JAVIER ,  KERN RONNY ,  UNTERWEGER JOSEF

IPC: H01L21/683

Abstract: Wafer-Träger (10, 10'), der Folgendes umfasst:eine erste Folie (12) zum Tragen eines Wafers (16), wobei die erste Folie (12) eine Perforation (12p) aufweist;eine zweite Folie (14); undeine Kammer (18) zwischen der ersten Folie (12) und der zweiten Folie (14), wobei die erste Folie (12) und die zweite Folie (14) miteinander verbunden sind, um die Kammer (18) zu bilden,wobei die Kammer (18) konfiguriert ist, evakuiert zu werden, um ein Vakuum in der Kammer (18) zu bilden, wobei das Vakuum einen Unterdruck an der Perforation (12p) verursacht, wobei der Unterdruck eine Tragkraft für den Wafer (16), der getragen werden soll, bildet.

公开(公告)号：DE102019114094A1

公开(公告)日：2019-11-28

申请号：DE102019114094

申请日：2019-05-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KRIVEC STEFAN ,  KERN RONNY ,  KRAMP STEFAN ,  LANGER GREGOR ,  WINKLER HANNES ,  WOEHLERT STEFAN

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/321 ,  H01L23/485 ,  H01L29/12 ,  H01L29/161

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Kontaktierung (106) mit einer ersten Metallschicht (111) und mindestens einer zweiten Metallschicht (121-123) auf einem Siliziumcarbid-Substrat (105) umfasst das Durchführen eines chemischen Reinigungsprozesses (300) zum Entfernen von zumindest einem Teil eines Kohlenstoffrückstands (302) zur Reinigung der ersten Metallschicht (111). Die erste Metallschicht (111) und/oder die zweite Metallschicht (121-123) können durch Sputterabscheidung erzeugt werden.

公开(公告)号：DE102015102055A1

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：DE102015102055

申请日：2015-02-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KERN RONNY ,  KONRATH JENS ,  KRIVEC STEFAN ,  SCHMID UWE ,  STÖBER LAURA

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/265 ,  H01L21/283 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

Abstract: Ein Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiters weist das Bestrahlen einer Oberfläche eines Halbleiters mit Ionen eines ersten Gastyps zum Reinigen der Oberfläche und die Implantation von Ionen eines zweiten Gastyps in einem Gebiet unterhalb der Oberfläche des Halbleiters zum Erzeugen von Defekten in dem Gebiet unterhalb der Oberfläche auf, wobei die Bestrahlung der Oberfläche mit Ionen vom ersten Gastyp und die Implantation der Ionen des zweiten Gastyps innerhalb derselben Kammer durchgeführt werden.