公开(公告)号：DE102013103378B4

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：DE102013103378

申请日：2013-04-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MATOY KURT ,  DETZEL THOMAS ,  NELHIEBEL MICHAEL ,  ZECHMANN ARNO ,  DECKER STEFAN ,  ILLING ROBERT ,  LANZERSTORFER SVEN GUSTAV ,  DJELASSI CHRISTIAN ,  AUER BERNHARD ,  WÖHLERT STEFAN

IPC: H01L27/10 ,  H01L23/522

Abstract: Integrierte Schaltung, umfassend: Leistungstransistorzellen, die in einem Zellarray gebildet sind, eine Metallstruktur, die über dem Zellarray gebildet ist, und eine Verbindungsleitung (800, 812, 813, 830), die elektrisch ein erstes Element (901), das in dem Zellarray angeordnet ist, und ein zweites Element (902), das außerhalb des Zellarrays angeordnet ist, verbindet, wobei ein Verbindungsleitungsteil zwischen der Metallstruktur und dem Zellarray angeordnet ist und dieser Verbindungsleitungsteil zwischen einer ersten Achse (891) und einer zweiten Achse (892) verläuft, welche parallel und in einem Abstand zueinander angeordnet sind, und wobei der Abstand größer ist als eine Breite des Verbindungsleitungsteiles und der Verbindungsleitungsteil tangential zu der ersten Achse und der zweiten Achse ist.

公开(公告)号：DE102013113917A1

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：DE102013113917

申请日：2013-12-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GANITZER PAUL ,  MATOY KURT ,  SPORN MARTIN ,  HARRISON MARK

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488

Abstract: In einer Ausführungsform des Verfahrens wird auf dem Substrat eine erste Ti-basierte Schicht aufgebracht. Eine Al-basierte Zwischenschicht wird auf der ersten Schicht aufgebracht, eine zweite NiV-basierte Schicht wird auf der Zwischenschicht aufgebracht, und eine dritte Ag-basierte Schicht wird auf der zweiten Schicht aufgebracht. Der Schichtstapel wird derart getempert, dass mindestens eine intermetallische Phase zwischen mindestens zwei Metallen der Ti, Al, Ni und V enthaltenden Gruppe gebildet wird.