公开(公告)号：DE102013103378A1

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：DE102013103378

申请日：2013-04-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MATOY KURT ,  DETZEL THOMAS ,  NELHIEBEL MICHAEL ,  ZECHMANN ARNO ,  DECKER STEFAN ,  ILLING ROBERT ,  LANZERSTORFER SVEN GUSTAV ,  DJELASSI CHRISTIAN ,  AUER BERNHARD ,  WOEHLERT STEFAN

IPC: H01L27/10 ,  H01L23/522

Abstract: Leistungstransistorzellen sind in einem Zellarray einer integrierten Schaltung gebildet. Kontakt-Vias können elektrisch eine Metallstruktur über dem Zellarray und die Leistungstransistorzellen verbinden. Eine Verbindungsleitung (800) verbindet elektrisch ein erstes Element (901), das in dem Zellarray angeordnet ist, und ein zweites Element (902), das in einem peripheren Bereich angeordnet ist. Ein Teil der Verbindungsleitung (800) ist zwischen der Metallstruktur und dem Zellarray angeordnet und verläuft zwischen einer ersten Achse (891) und einer zweiten Achse (892), die parallel und in einem Abstand zueinander angeordnet sind. Der Abstand ist größer als eine Breite des Verbindungsleitungsteiles. Der Verbindungsleitungsteil ist tangential zu der ersten Achse (891) und der zweiten Achse (892). Ein durch Scherkraft induzierter Materialtransport längs der Verbindungsleitung wird reduziert durch Verkürzen von kritischen Teilen oder durch Ausnutzen von Korngrenzeffekten. Die Zuverlässigkeit einer Isolatorstruktur, die die Verbindungsleitung bedeckt, ist gesteigert.

公开(公告)号：DE102015101571B4

公开(公告)日：2021-12-02

申请号：DE102015101571

申请日：2015-02-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GANITZER PAUL ,  JACOB MICHAEL ,  ZECHMANN ARNO

IPC: H01L29/40 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L29/78

Abstract: Halbleitervorrichtung (200), die aufweist:einen Halbleiterkörper (102), der eine Drift-Region (108, 110) und eine Gate-Elektrode (106) aufweist, die seitlich angrenzend an die Drift-Region (108, 110) angeordnet ist;eine Kontaktstruktur (204, 206), die über der Drift-Region (108, 110) des Halbleiterkörpers (102) bereitgestellt ist und eine erste Metallschicht (118), eine elektrisch leitende Haftschicht (202) über der ersten Metallschicht (118) und eine zweite Metallschicht (124) über der elektrisch leitenden Haftschicht (202) aufweist;wobei die zweite Metallschicht (124) eine Dicke größer gleich 5 µm aufweist;eine weitere Drift-Region (108, 110), die seitlich angrenzend an die Gate-Elektrode (106) angeordnet ist, so dass die Gate-Elektrode (106) zwischen den zwei Drift-Regionen (108, 110) angeordnet ist;eine weitere Kontaktstruktur (204, 206), die über der weiteren Drift-Region (108, 110) des Halbleiterkörpers (102) bereitgestellt ist und eine erste Metallschicht (118), eine elektrisch leitende Haftschicht (202) über der ersten Metallschicht (118) und eine zweite Metallschicht (124) über der elektrisch leitenden Haftschicht (202) aufweist,wobei die weitere Kontaktstruktur (204, 206) seitlich von der Kontaktstruktur (204, 206) getrennt ist;einen Gate-Abschnitt (112), der über der Gate-Elektrode (106) des Halbleiterkörpers (102) zwischen den Kontaktstrukturen (204, 206) bereitgestellt und mit der Gate-Elektrode (106) elektrisch gekoppelt ist;ein dielektrisches Material (122), das zwischen den Kontaktstrukturen (204, 206) bereitgestellt ist und den Gate-Abschnitt (112) bedeckt; undein Passivierungsmaterial (126), das über dem dielektrischen Material (122) zwischen den Kontaktstrukturen (204, 206) bereitgestellt ist.

公开(公告)号：DE102013103378B4

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：DE102013103378

申请日：2013-04-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MATOY KURT ,  DETZEL THOMAS ,  NELHIEBEL MICHAEL ,  ZECHMANN ARNO ,  DECKER STEFAN ,  ILLING ROBERT ,  LANZERSTORFER SVEN GUSTAV ,  DJELASSI CHRISTIAN ,  AUER BERNHARD ,  WÖHLERT STEFAN

IPC: H01L27/10 ,  H01L23/522

Abstract: Integrierte Schaltung, umfassend: Leistungstransistorzellen, die in einem Zellarray gebildet sind, eine Metallstruktur, die über dem Zellarray gebildet ist, und eine Verbindungsleitung (800, 812, 813, 830), die elektrisch ein erstes Element (901), das in dem Zellarray angeordnet ist, und ein zweites Element (902), das außerhalb des Zellarrays angeordnet ist, verbindet, wobei ein Verbindungsleitungsteil zwischen der Metallstruktur und dem Zellarray angeordnet ist und dieser Verbindungsleitungsteil zwischen einer ersten Achse (891) und einer zweiten Achse (892) verläuft, welche parallel und in einem Abstand zueinander angeordnet sind, und wobei der Abstand größer ist als eine Breite des Verbindungsleitungsteiles und der Verbindungsleitungsteil tangential zu der ersten Achse und der zweiten Achse ist.

公开(公告)号：DE102015101571A1

公开(公告)日：2015-08-06

申请号：DE102015101571

申请日：2015-02-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GANITZER PAUL ,  JACOB MICHAEL ,  ZECHMANN ARNO

IPC: H01L29/40 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768

Abstract: In verschiedenen Ausführungsformen wird eine Halbleitervorrichtung (200) bereitgestellt, die einen Halbleiterkörper (102) aufweist, der eine Drift-Region (108, 110) und eine Gate-Elektrode (106) aufweist, die angrenzend an die Drift-Region (108, 110) angeordnet ist; und eine Kontaktstruktur (204, 206, 208), die über der Drift-Region (108, 110) des Halbleiterkörpers (102) bereitgestellt ist und eine erste Metallschicht, eine Haftschicht über der ersten Metallschicht und eine zweite Metallschicht über der Haftschicht aufweise.