公开(公告)号：DE102015105679B4

公开(公告)日：2017-11-30

申请号：DE102015105679

申请日：2015-04-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  SCHLÖSSER TILL

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

Abstract: Halbleitervorrichtung (1) mit einem Transistor (10) in einem Halbleiterkörper (100), der eine erste Hauptoberfläche (110) und eine zweite Hauptoberfläche (120) hat, wobei die erste Hauptoberfläche (110) entgegengesetzt zu der zweiten Hauptoberfläche (120) ist, und der Transistor (10) aufweist: einen Sourcebereich (201) an der ersten Hauptoberfläche (110) und sich zu der zweiten Hauptoberfläche (120) erstreckend, einen Drainbereich (205), einen Bodybereich (220), eine Driftzone (260), eine Gateelektrode (210) an dem Bodybereich (220), wobei der Bodybereich (200) und die Driftzone (260) längs einer ersten Richtung zwischen dem Sourcebereich (201) und dem Drainbereich (205) angeordnet sind, die erste Richtung parallel zu der ersten Hauptoberfläche (110) ist und die Gateelektrode (210) in Trenches angeordnet ist, die sich in der ersten Richtung erstrecken, und eine isolierende Schicht (280) benachbart zu der zweiten Hauptoberfläche (120) des Halbleiterkörpers (100).

公开(公告)号：DE102006029701B4

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：DE102006029701

申请日：2006-06-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  HARTNER WALTER DR ,  GRUBER HERMANN ,  BONART DIETRICH DR ,  GROSS THOMAS DR

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/283 ,  H01L21/74

Abstract: Halbleiterbauteil, mit einem Halbleiterkörper (1), in dem: – ein Substrat (2) eines ersten Leitungstyps, – eine auf dem Substrat (2) angeordnete vergrabene Halbleiterschicht (3) eines zweiten Leitungstyps, und – eine auf der vergrabenen Halbleiterschicht (3) angeordnete Funktionseinheit-Halbleiterschicht (4) des ersten oder zweiten Leitungstyps, in der mindestens zwei lateral nebeneinander angeordnete Halbleiter-Funktionseinheiten angeordnet sind, ausgebildet sind, wobei die vergrabene Halbleiterschicht (3) Teil zumindest einer Halbleiter-Funktionseinheit ist, und wobei jeweils zwei Halbleiter-Funktionseinheiten durch eine Isolationsstruktur (5), die die Funktionseinheit-Halbleiterschicht (4), die vergrabene Halbleiterschicht (3) sowie das Substrat (2) durchsetzt, gegeneinander elektrisch isoliert sind, wobei die Isolationsstruktur (5) einen Graben (11) umfasst, dessen Seitenwände mit einer isolierenden Schicht (12) bedeckt sind, so dass das Grabeninnere gegenüber der Funktionseinheit-Halbleiterschicht (4) sowie der vergrabenen Halbleiterschicht (3) elektrisch isoliert ist, und dessen Inneres mit Metall oder einer Metall-Halbleiterverbindung oder Graphit oder einem leitfähigen Nitrid oder einem leitfähigen Carbid oder einem Verbund oder Schichtstapel aus diesen Materialien, welches das Substrat (2) elektrisch kontaktiert, gefüllt ist, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens am Boden des Grabens (11) eine Metall-Halbleiter-Verbindung (16) oder eine elektrisch leitfähige Schicht aus einem leitfähigen Nitrid oder einem leitfähigen Carbid ausgebildet ist.

公开(公告)号：DE102015112427B4

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：DE102015112427

申请日：2015-07-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  HÄBERLEN OLIVER

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (1) weist einen Transistor (10) in einem Halbleiterkörper (100) mit einer Hauptoberfläche (110) auf. Der Transistor (10) weist einen Sourcebereich (201), einen Drainbereich (205), einen Bodybereich (220), eine Driftzone (260) und eine Gateelektrode (210) beim Bodybereich (220) auf. Der Bodybereich (220) und die Driftzone (260) sind entlang einer ersten Richtung zwischen dem Sourcebereich (201) und dem Drainbereich (205) angeordnet. Die erste Richtung ist parallel zu der Hauptoberfläche (110). Die Halbleitervorrichtung weist ferner eine Feldplatte, die in sich entlang der ersten Richtung in der Driftzone erstreckenden Feldplattengräben angeordnet ist, und eine Felddielektrikumsschicht zwischen der Feldplatte und der Driftzone auf. Eine Dicke der Felddielektrikumsschicht nimmt entlang der ersten Richtung von einem dem Sourcebereich (201) benachbarten Teil zu einem dem Drainbereich (205) benachbarten Teil allmählich zu.

公开(公告)号：DE102015112427A1

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：DE102015112427

申请日：2015-07-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  HÄBERLEN OLIVER

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (1) weist einen Transistor (10) in einem Halbleiterkörper (100) mit einer Hauptoberfläche (110) auf. Der Transistor (10) weist einen Sourcebereich (201), einen Drainbereich (205), einen Bodybereich (220), eine Driftzone (260) und eine Gateelektrode (210) beim Bodybereich (220) auf. Der Bodybereich (220) und die Driftzone (260) sind entlang einer ersten Richtung zwischen dem Sourcebereich (201) und dem Drainbereich (205) angeordnet. Die erste Richtung ist parallel zu der Hauptoberfläche (110). Die Halbleitervorrichtung weist ferner eine Feldplatte, die in sich entlang der ersten Richtung in der Driftzone erstreckenden Feldplattengräben angeordnet ist, und eine Felddielektrikumsschicht zwischen der Feldplatte und der Driftzone auf. Eine Dicke der Felddielektrikumsschicht nimmt entlang der ersten Richtung von einem dem Sourcebereich (201) benachbarten Teil zu einem dem Drainbereich (205) benachbarten Teil allmählich zu.

公开(公告)号：DE102015106683A1

公开(公告)日：2016-11-03

申请号：DE102015106683

申请日：2015-04-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  SCHLÖSSER TILL

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H05B44/00

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (1) umfasst einen Feldeffekttransistor (200) in einem Halbleitersubstrat (100), das eine erste Hauptoberfläche (110) hat. Der Feldeffekttransistor (200) umfasst einen Sourcebereich (201), einen Drainbereich (205), einen Bodybereich (220) und eine Gateelektrode (210) an dem Bodybereich (220). Die Gateelektrode (210) ist gestaltet, um eine Leitfähigkeit eines in dem Bodybereich (220) gebildeten Kanals zu steuern, und die Gateelektrode (210) ist in Gatetrenches (212) angeordnet. Der Bodybereich (220) ist längs einer ersten Richtung zwischen dem Sourcebereich (201) und dem Drainbereich (205) vorgesehen, wobei die erste Richtung parallel zu der ersten Hauptoberfläche ist. Der Bodybereich (220) hat eine Gestalt eines Grates, der sich längs der ersten Richtung erstreckt, wobei der Bodybereich benachbart zu dem Sourcebereich (201) und dem Drainbereich (205) ist. Die Halbleitervorrichtung (1) umfasst weiterhin einen Sourcekontakt (202) und einen Bodykontakt (225), wobei der Sourcekontakt (202) elektrisch mit einem Sourceanschluss (271) verbunden ist und der Bodykontakt (225) elektrisch mit dem Sourcekontakt (202) und dem Bodybereich (220) verbunden ist.

公开(公告)号：DE102016106848A1

公开(公告)日：2016-10-20

申请号：DE102016106848

申请日：2016-04-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  SCHLÖSSER TILL

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (1) umfasst einen Transistor (10) in einem Halbleiterkörper, der eine erste Hauptoberfläche hat. Der Transistor (10) umfasst einen Sourcebereich (201) eines ersten Leitfähigkeitstyps, einen Drainbereich (205), einen Bodybereich (230) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der von dem ersten Leitfähigkeitstyp verschieden ist, und eine Gateelektrode (210), die in Gatetrenches (212) angeordnet ist, die sich in einer ersten Richtung parallel zu der ersten Hauptoberfläche erstrecken. Der Sourcebereich (201), der Bodybereich (230) und der Drainbereich (201) sind längs der ersten Richtung angeordnet. Der Bodybereich (230) umfasst erste Grate (220), die sich längs der ersten Richtung erstrecken, wobei die ersten Grate (220) zwischen benachbarten Gatetrenches (212) in dem Halbleiterkörper angeordnet sind. Der Bodybereich (230) umfasst weiterhin einen zweiten Grat (221). Eine Breite des zweiten Grates (221) ist größer als eine Breite der ersten Grate (220), wobei die Breiten in einer zweiten Richtung senkrecht zu der ersten Richtung gemessen sind.

公开(公告)号：DE102014102714A1

公开(公告)日：2015-09-03

申请号：DE102014102714

申请日：2014-02-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WILLEMEN JOOST ,  MAYERHOFER MICHAEL ,  GLASER ULRICH ,  CAO YIQUN ,  MEISER ANDREAS ,  HELL MAGNUS-MARIA ,  STECHER MATTHIAS ,  LEBON JULIEN

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/15 ,  H04L12/40

Abstract: Es wird eine integrierte Schaltung (100) mit einer ESD-Schutzstruktur (110) beschrieben. Eine Ausführungsform umfasst einen Schaltungsteil (105), der mit einem ersten Anschluss (107) und mit einem zweiten Anschluss (108) verschaltet ist und bei Spannungsdifferenzen zwischen dem ersten Anschluss und zweiten Anschluss von größer als +10 V und kleiner als –10 V betreibbar ist. Die integrierte Schaltung (100) umfasst zudem eine ESD-Schutzstruktur (110) geeignet zum Schutz des Schaltungsteils (105) gegen elektrostatische Entladung zwischen dem ersten Anschluss (107) und dem zweiten Anschluss (108), wobei die ESD-Schutzstruktur (110) mit Spannungsdifferenzen zwischen dem ersten (107) und zweiten (108) Anschluss von größer als +10 V und kleiner als –10 V betreibbar ist ohne zu zünden. Die ESD-Schutzstruktur (110) ist mit einer Photonenquelle (112) derart elektrisch und optisch gekoppelt, dass von der Photonenquelle (112) bei ESD Pulsbelastung emittierte Photonen (114) in der ESD-Schutzstruktur (110) absorbierbar sind und ein Avalanchedurchbruch mittels der durch die absorbierten Photonen (114) erzeugten Elektron-Loch-Paare einleitbar ist.

公开(公告)号：DE102014113087A1

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：DE102014113087

申请日：2014-09-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  SCHLÖSSER TILL ,  MEYER THORSTEN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Transistor (5) in einem Halbleitersubstrat (10), das eine erste Hauptoberfläche (110) hat. Der Transistor umfasst einen Sourcebereich (201), einen Drainbereich (205), einen Kanalbereich (220), eine Driftzone (260) und eine Gateelektrode (210) benachbart zu wenigstens zwei Seiten des Kanalbereichs (220). Der Kanalbereich (220) und die Driftzone (260) sind längs einer ersten Richtung parallel zu der ersten Hauptoberfläche (110) zwischen dem Sourcebereich (201) und dem Drainbereich (205) angeordnet. Die Halbleitervorrichtung umfasst weiterhin eine leitende Schicht (270) unterhalb der Gateelektrode (210) und isoliert von der Gateelektrode (210).

公开(公告)号：DE102014112315A1

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：DE102014112315

申请日：2014-08-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WILLEMEN JOOST ,  MAYERHOFER MICHAEL ,  GLASER ULRICH ,  CAO YIQUN ,  MEISER ANDREAS ,  HELL MAGNUS-MARIA ,  STECHER MATTHIAS ,  LEBON JULIEN

IPC: H01L23/60 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (100) umfasst eine Hilfshalbleitervorrichtung (5), die zum Emittieren von Strahlung gestaltet ist. Das Halbleiterbauelement umfasst außerdem eine Halbleitervorrichtung (110). Eine elektrische Kopplung und eine optische Kopplung zwischen der Hilfshalbleitervorrichtung (105) und der Halbleitervorrichtung (110) sind gestaltet, um eine Emission von Strahlung durch die Hilfshalbleitervorrichtung (105) auszulösen und um einen Avalanche-Durchbruch in der Halbleitervorrichtung (110) durch Absorption der Strahlung in der Halbleitervorrichtung (110) auszulösen. Die Halbleitervorrichtung (110) umfasst einen pn-Übergang (115) zwischen einer ersten Schicht (116) eines ersten Leitfähigkeitstyps, die unter einer Oberfläche (117) eines Halbleiterkörpers (118) vergraben ist, und einem dotierten Halbleiterbereich (119) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der zwischen der Oberfläche (117) und der ersten Schicht (116) gelegen ist.

公开(公告)号：DE102013218238A1

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：DE102013218238

申请日：2013-09-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines steuerbaren Halbleiterbauelements offenbart. In einem Halbleiterkörper (1), der eine Oberseite (18) und eine Unterseite (19) aufweist, werden ein erster Graben (21), der sich von der Oberseite (18) in den Halbleiterkörper (1) erstreckt, und ein zweiter Grabens (22, 23), der sich von der Oberseite (18) in den Halbleiterkörper (1) erstreckt, simultan in einem gemeinsamen Ätzprozess erzeugt. Der erste Graben (21) besitzt eine erste Breite (w21), der zweite Graben (22, 23) eine zweite Breite (w22, w23), die größer ist, als die erste Breite (w21). Danach wird in dem ersten Graben (21) und in dem zweiten Graben (22, 23) eine Oxidschicht (3) derart erzeugt, dass die Oxidschicht (3) den ersten Graben (21) füllt und eine Oberfläche des zweiten Grabens (22, 23) elektrisch isoliert. Nachfolgend wird die Oxidschicht (3) teilweise oder vollständig aus dem ersten Graben (21) entfernt, so der Halbleiterkörper (1) einen frei liegenden ersten Oberflächenabschnitt (10) aufweist, der sich in dem ersten Graben (21) befindet.