公开(公告)号：DE10123232A1

公开(公告)日：2002-11-21

申请号：DE10123232

申请日：2001-05-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MILLER GERHARD

IPC: H01L23/24 ,  H01L23/552 ,  H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L23/18

Abstract: Semiconductor module (1) comprises a housing (20); semiconductor elements (6) arranged in the housing; a frame (2) having conducting pathways by which the semiconductor elements are electrically connected; and a sealing composition (21) arranged within the housing and applied on the semiconductor elements. A damping material (25) having electromagnetically damping properties is provided in the sealing composition. Preferred Features: The damping material is contained in the material of the housing as well as in the sealing composition. The material of the sealing composition is softer than the material of the housing. The sealing composition is a gel-like substance, especially a silicone gel. The semiconductor elements are IGBTs, especially NPT-IGBTs.

公开(公告)号：DE102013212787B4

公开(公告)日：2022-03-03

申请号：DE102013212787

申请日：2013-07-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  KAHLMANN FRANK ,  MAUDER ANTON ,  MILLER GERHARD ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  STRACK HELMUT

IPC: H01L29/36 ,  H01L21/22 ,  H01L21/265 ,  H01L21/328 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/74 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren aufweist:i. Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (110);ii. Herstellen einer Epitaxieschicht (120) auf dem Halbleitersubstrat (110);iii. Einbringen von Dotierstoffatomen eines ersten Dotierungstyps und von Dotierstoffatomen eines zweiten Dotierungstyps in die Epitaxieschicht (120);iv. Herstellen wenigstens eines Grabens (121) in der Epitaxieschicht;v. Auffüllen des wenigstens einen Grabens (121) mit einem monokristallinen Halbleitermaterial; undvi. Diffundieren von Dotierstoffatomen aus dem umliegenden Halbleitermaterial in das Material, das den wenigstens einen Graben (121) auffüllt.

公开(公告)号：DE102013211572A1

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：DE102013211572

申请日：2013-06-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KOMARNITSKYY VOLODYMYR ,  MAUDER ANTON ,  MILLER GERHARD ,  PFIRSCH FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHULZE HOLGER ,  WERBER DOROTHEA ,  SCHAEFFER CARSTEN

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Beschrieben wird ein Halbleiterbauelement, das ein Zellengebiet (110) aufweist, das wenigstens eine Bauelementzelle aufweist, wobei die wenigstens eine Bauelementzelle ein erstes Bauelementgebiet (14) eines ersten Leitfähigkeitstyps aufweist; ein Driftgebiet (11) eines zweiten Leitfähigkeittyps, das an das erste Bauelementgebiet (14) der wenigstens einen Bauelementzelle angrenzt; ein dotiertes Gebiet (40; 44) des ersten Leitfähigkeitstyps, das an das Driftgebiet angrenzt; und Ladungsträgerlebensdauerverringerungsmittel (41; 42; 43; 44), die dazu ausgebildet sind, eine Ladungsträgerlebensdauer in dem dotierten Gebiet (40; 44) des ersten Leitfähigkeitstyps zu reduzieren.

公开(公告)号：DE19950579B4

公开(公告)日：2007-11-15

申请号：DE19950579

申请日：1999-10-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MILLER GERHARD

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

公开(公告)号：DE10330571A1

公开(公告)日：2005-02-17

申请号：DE10330571

申请日：2003-07-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  RUETHING HOLGER ,  MILLER GERHARD ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/70 ,  H01L21/328

Abstract: A vertical power semiconductor component, e.g. a diode or an IGBT, in which there are formed, on the rear side of a substrate, a rear side emitter or a cathode emitter and, over that, a rear side metal layer that at least partly covers the latter, is defined by the fact that, in the edge region of the component, provision is made of injection attenuation means for reducing the charge carrier injection from the rear side emitter or the cathode emitter into said edge section.