中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

25 records (took 0.021 seconds)

    13.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102008039388A1

    公开(公告)日：2009-04-16

    申请号：DE102008039388

    申请日：2008-08-22

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： PRESSEL KLAUS ,  BEER GOTTFRIED

    IPC: H01L21/50 ,  H01L21/98 ,  H01L23/14 ,  H01L25/04

    Abstract: Stacked semiconductor chips are disclosed. One embodiment provides an array of first semiconductor chips, covering the array of the first semiconductor chips with a mold material, and placing an array of second semiconductor chips over the array of the first semiconductor chips. The thicknesses of the second semiconductor chips is reduced. The array of the first semiconductor chips are singulated by dividing the mold material.

    Semiconductor device for e.g. distance radar sensor technology for road vehicles comprises semiconductor chip comprising low-frequency region embedded in plastic housing composition spaced apart from radio-frequency region by cavity
    15.
    发明专利
    Semiconductor device for e.g. distance radar sensor technology for road vehicles comprises semiconductor chip comprising low-frequency region embedded in plastic housing composition spaced apart from radio-frequency region by cavity 未知

    公开(公告)号：DE102005034011A1

    公开(公告)日：2007-02-01

    申请号：DE102005034011

    申请日：2005-07-18

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： PRESSEL KLAUS ,  DANGELMAIER JOCHEN ,  THEUSS HORST

    IPC: H01L23/053 ,  G08G1/16 ,  H01L21/50 ,  H01L23/49 ,  H01L23/66

    Abstract: A semiconductor device for radio frequencies of more than 10 GHz comprises a semiconductor chip (4) which, on its active top side (5), comprises a radio-frequency region (6) and a low-frequency region (7) and/or a region which is supplied with a direct current (DC) voltage, where the low-frequency region and/or region supplied with DC voltage is embedded in a plastic housing composition (8) arranged such that the composition is spaced apart from the radio-frequency region by a cavity on the active top side of the semiconductor chip. An independent claim is also included for a method for producing a semiconductor device for radio frequencies of more than 10 GHz comprising (A) producing a semiconductor wafer having semiconductor chips arranged in rows and columns and having, on their active top sides, radio-frequency regions and low-frequency regions and/or regions supplied with DC voltage; (B) applying a wall structure (9) which surrounds the radio-frequency regions; (C) separating the semiconductor wafer into semiconductor chips; (D) applying individual semiconductor chips with a wall structure to a carrier having semiconductor device positions; (E) electrically connecting the semiconductor chips to a wiring structure of the carrier via connectors (18); (F) applying an adapted cover (10) to the wall structure; (G) packaging the semiconductor chips, connectors, wall structure, and at least parts of the cover and of the carrier in a plastic housing composition; and (H) separating the semiconductor device positions of the carrier into individual semiconductor devices.

    Anschlussblock mit zwei Arten von Durchkontaktierungen und elektronische Vorrichtung, einen Anschlussblock umfassend
    17.
    发明专利
    Anschlussblock mit zwei Arten von Durchkontaktierungen und elektronische Vorrichtung, einen Anschlussblock umfassend 未知

    公开(公告)号：DE102015121044B4

    公开(公告)日：2020-02-06

    申请号：DE102015121044

    申请日：2015-12-03

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： MEYER THORSTEN ,  PRESSEL KLAUS ,  MACIEJ WOJNOWSKI

    IPC: H01L23/48 ,  H01L21/28

    Abstract: Anschlussblock (600), umfassend:• ein Kapselungsmittel (400);• mindestens eine erste elektrisch leitfähige Durchkontaktierung (602), die durch das Kapselungsmittel (400) von einer ersten Fläche (606) des Kapselungsmittels (400) zu einer zweiten Fläche (608) des Kapselungsmittels (400) verläuft;• mindestens eine zweite elektrisch leitfähige Durchkontaktierung (604), die sich entlang einer äußeren dritten Fläche (610) des Kapselungsmittels (400) von der ersten Fläche (606) des Kapselungsmittels (400) zu der zweiten Fläche (608) des Kapselungsmittels (400) erstreckt;• wobei die mindestens eine erste elektrisch leitfähige Durchkontaktierung (602) als mindestens ein Abschnitt von mindestens einem aus der Gruppe, bestehend aus einem Leadframe und einer strukturierten elektrisch leitfähigen Platte mit einer Mehrzahl von parallelen Rippen, konfiguriert ist;• wobei die mindestens eine zweite elektrisch leitfähige Durchkontaktierung (604) als mindestens eine aus der Gruppe bestehend aus elektroplattierten Strukturen und gesputterten Strukturen konfiguriert ist; und• wobei eine Querschnittsfläche (A1) der mindestens einen ersten elektrisch leitfähigen Durchkontaktierung (602) größer ist als eine Querschnittsfläche (A2) der mindestens einen zweiten elektrisch leitfähigen Durchkontaktierung (604) in einer Ebene senkrecht zu einer Richtung, die von der ersten Fläche (606) des Kapselungsmittels (400) zu der zweiten Fläche (608) des Kapselungsmittels (400) verläuft.

    Anschlussblock mit zwei Arten von Durchkontaktierungen und elektronische Vorrichtung, einen Anschlussblock umfassend
    18.
    发明专利
    Anschlussblock mit zwei Arten von Durchkontaktierungen und elektronische Vorrichtung, einen Anschlussblock umfassend 未知

    公开(公告)号：DE102015121044A1

    公开(公告)日：2017-06-08

    申请号：DE102015121044

    申请日：2015-12-03

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： MEYER THORSTEN ,  PRESSEL KLAUS ,  MACIEJ WOJNOWSKI

    IPC: H01L23/48 ,  H01L21/28

    Abstract: Elektronische Vorrichtung (710), umfassend eine Halbleiterpackung (770), das einen ersten Hauptoberflächenbereich (772) und einen zweiten Hauptoberflächenbereich (774) aufweist und einen Halbleiterchip (712), umfassend mindestens einen Chippad (714) in dem zweiten Hauptoberflächenbereich (774), und einen Anschlussblock (600), umfassend mindestens eine erste elektrisch leitfähige Durchkontaktierung (602) und mindestens eine zweite elektrisch leitfähige Durchkontaktierung (604), umfasst, die mit unterschiedlichen Querschnittsflächen (A1, A2) zwischen dem ersten Hauptoberflächenbereich (772) und dem zweiten Hauptoberflächenbereich (774) verlaufen und nebeneinanderliegend mit dem Halbleiterchip (712) angeordnet sind.

    Verfahren zum Herstellen eines Stacked-Die-Moduls
    19.
    发明专利
    Verfahren zum Herstellen eines Stacked-Die-Moduls 未知

    公开(公告)号：DE102009039226B4

    公开(公告)日：2015-06-18

    申请号：DE102009039226

    申请日：2009-08-28

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： PRESSEL KLAUS ,  BEER GOTTFRIED

    IPC: H01L21/50 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78

    Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Stacked-Die-Moduls, wobei das Verfahren folgendes umfasst: Aufbringen von mehreren Stacked-Die-Strukturen auf einen Träger, wobei jede Stacked-Die-Struktur einen auf dem Träger aufgebrachten ersten Halbleiter-Die und einen über dem ersten Halbleiter-Die gestapelten zweiten Halbleiter-Die enthält, wobei der zweite Halbleiter-Die eine größere seitliche Oberfläche als der erste Halbleiter-Die aufweist; Aufbringen eines Damms um jede der Stacked-Die-Strukturen herum, wodurch ein geschlossener Hohlraum für jede der Stacked-Die-Strukturen entsteht, wobei der geschlossene Hohlraum für jede Stacked-Die-Struktur den ersten Halbleiter-Die der Stacked-Die-Struktur umgibt; und Entfernen des Trägers, wodurch der geschlossene Hohlraum für jede der Stacked-Die-Strukturen geöffnet wird.

Patent Agency Ranking