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公开(公告)号:DE102005012216A1
公开(公告)日:2006-09-21
申请号:DE102005012216
申请日:2005-03-15
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: SYRI ERICH , GRUENDLER GEROLD , HOEGERL JUERGEN , KILLER THOMAS , STRUTZ VOLKER
Abstract: A heat sink for surface-mounted semiconductor devices is provided on a superordinate circuit board of an electronic module. The heat sink includes a three-dimensionally structured thermally conductive plate with a press-on region and snap-action hooks. The snap-action hooks are arranged approximately at right angles with respect to the press-on region and are spring-elastically connected to the press-on region of the heat sink via a spring-elastic connecting region of the heat sink. The snap-action hooks engage with edge regions of a thermally conductive coupling plate with the press-on region generating pressure. The coupling plate is fixed to a rear side of a semiconductor chip of the surface-mounted semiconductor device.
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公开(公告)号:DE102004009055A1
公开(公告)日:2005-09-08
申请号:DE102004009055
申请日:2004-02-23
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: HOEGERL JUERGEN , GRUENDLER GEROLD , STRUTZ VOLKER , SYRI ERICH
Abstract: A cooling system for devices having power semiconductors and a method for cooling the device is disclosed. In one embodiment, the cooling system has printed circuit boards arranged on a circuit carrier in plug-in contact strips. The cooling system itself has a cooling plate, which is mounted in a pivotable manner on one of the plug-in contact strips in the region of the power semiconductor component. The cooling plate can be pivoted about an axis in such a way that it assumes a first position, which is pivoted away from the printed circuit board, and a second position, in which the cooling plate bears on the power semiconductor component.
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公开(公告)号:DE10137666A1
公开(公告)日:2003-02-27
申请号:DE10137666
申请日:2001-08-01
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: GEBAUER UTA , STRUTZ VOLKER
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公开(公告)号:DE10137618A1
公开(公告)日:2003-02-27
申请号:DE10137618
申请日:2001-08-01
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: GEBAUER UTA , STRUTZ VOLKER , MEYER THORSTEN
IPC: H01L23/10 , H01L25/065 , H01L23/04 , H01L23/50 , H05K5/03
Abstract: A protective device is described for subassemblies having a substrate and components disposed thereon and to be protected, for example semiconductor components. The protective device has at least one covering element for covering a subassembly, and at least one compression prevention element, which is disposed between the at least one covering element and the substrate and which is connected to the substrate and a surface of the covering element which faces the components and the substrate in such a way that a predefined spacing between covering element and the components to be protected can be maintained or is maintained.
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公开(公告)号:DE102019009223A1
公开(公告)日:2021-05-20
申请号:DE102019009223
申请日:2019-09-23
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: SCHALLER RAINER MARKUS , STRUTZ VOLKER , HOEGERL JÜRGEN
Abstract: Eine Sensorvorrichtung umfasst einen Leiterrahmen, umfassend einen ersten Teil und einen zweiten Teil, wobei eine Dicke des ersten Teils größer ist als eine Dicke des zweiten Teils, eine durch den ersten Teil des Leiterrahmens ausgebildete Stromschiene, einen durch den zweiten Teil des Leiterrahmens ausgebildeten Anschlussleiter, und einen auf dem Anschlussleiter angeordneten Sensorchip, wobei der Sensorchip dazu ausgelegt ist, ein von einem durch die Stromschiene fließenden elektrischen Strom induziertes Magnetfeld zu erfassen, wobei in einer Orthogonalprojektion des Sensorchips auf die Stromschiene der Sensorchip mit der Stromschiene zumindest teilweise überlappt.
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公开(公告)号:DE102019125537B3
公开(公告)日:2021-02-18
申请号:DE102019125537
申请日:2019-09-23
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: SCHALLER RAINER MARKUS , STRUTZ VOLKER , HOEGERL JÜRGEN
Abstract: Eine Sensorvorrichtung umfasst eine Stromschiene, ein auf der Stromschiene angeordnetes Dielektrikum, und einen auf dem Dielektrikum angeordneten Sensorchip, wobei der Sensorchip dazu ausgelegt ist, ein von einem durch die Stromschiene fließenden elektrischen Strom induziertes Magnetfeld zu erfassen, wobei die der Stromschiene zugewandte Fläche des Dielektrikums in einem Bereich entlang des gesamten Umfangs des Dielektrikums von der Stromschiene beabstandet ist.
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公开(公告)号:DE102014103343B4
公开(公告)日:2019-01-24
申请号:DE102014103343
申请日:2014-03-12
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: AUSSERLECHNER UDO , STRUTZ VOLKER
Abstract: Diskrete Mehrfach-Stromsensorvorrichtung (800), umfassend:eine Auswertungsschaltung (810); undmindestens eine erste Stromschiene (135-1) und eine zweite Stromschiene (135-2), wobei die erste Stromschiene (135-1) und die zweite Stromschiene (135-2) einen gemeinsamen Verbindungsteil (130) umfassen,die erste Stromschiene (135-1) ferner einen ersten Widerstandsteil (110-1) und einen ersten Verbindungsteil (120-1) umfasst, dergestalt, dass der erste Widerstandsteil (110-1) elektrisch zwischen den ersten Verbindungsteil (120-1) und den gemeinsamen Verbindungsteil (130) gekoppelt ist,wobei die zweite Stromschiene (135-2) ferner einen zweiten Widerstandsteil (110-2) und einen zweiten Verbindungsteil (120-2) umfasst, dergestalt, dass der zweite Widerstandsteil (110-2) elektrisch zwischen den zweiten Verbindungsteil (120-2) und den gemeinsamen Verbindungsteil (130) gekoppelt ist,wobei die Auswertungsschaltung (810) ausgelegt ist zum Bestimmen mindestens eines Spannungsabfalls an einem der mindestens zwei Widerstandsteile (110-1, 110-2) und zum Bereitstellen eines Sensorsignals, das mindestens einen Stromwert eines durch den jeweiligen Widerstandsteil (110-1, 110-2) fließenden Stroms auf der Basis des mindestens einen bestimmten Spannungsabfalls angibt,wobei die Auswertungsschaltung (810) ausgelegt ist zum Bestimmen mindestens zweier Spannungsabfälle an den mindestens zwei Widerstandsteilen (110-1, 110-2), die einen ersten Spannungsabfall und einen zweiten Spannungsabfall umfassen, wobei die Mehrfach-Stromsensorvorrichtung (800) ferner mindestens einen mit der Auswertungsschaltung (810) gekoppelten Anschluss umfasst, wobei die Auswertungsschaltung (810) und der mindestens eine Anschluss dafür ausgelegt sind, mindestens zwei Vorgänge einer Gruppe von Vorgängen auszuführen, wobei die Gruppe von Vorgängen Versorgen der Auswertungsschaltung mit einem Referenzpotential, Versorgen der Auswertungsschaltung mit einem Versorgungssignal, Empfangen eines Steuersignals, Bereitstellen eines informationsführenden Signals, das den ersten bestimmten Spannungsabfall angibt oder auf diesem basiert, Bereitstellen eines informationsführenden Signals, das den zweiten bestimmten Spannungsabfall angibt oder auf diesem basiert, und Empfangen eines informationsführenden Signals umfasst.
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公开(公告)号:DE102017205754A1
公开(公告)日:2017-10-05
申请号:DE102017205754
申请日:2017-04-04
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: ELIAN KLAUS , SCHALLER RAINER MARKUS , STRUTZ VOLKER , GHAREMANI CYRUS
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L43/02
Abstract: Eine Halbleitervorrichtung beinhaltet ein Substrat, einen Halbleiter-Die, der an dem Substrat befestigt ist, und ein Verkapselungsmaterial. Der Halbleiter-Die beinhaltet ein Erfassungselement. Das Verkapselungsmaterial verkapselt den Halbleiter-Die und einen Teil des Substrats. Das Verkapselungsmaterial definiert ein Durchgangsloch zum Aufnehmen eines leitfähigen Elements. Das Erfassungselement kann einen Magnetfeldsensor zum Erfassen eines Magnetfeldes, das durch das leitfähige Element erzeugt wird, beinhalten.
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公开(公告)号:DE102017104262A1
公开(公告)日:2017-09-07
申请号:DE102017104262
申请日:2017-03-01
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: STRUTZ VOLKER , KALZ FRANZ-PETER , SCHALLER RAINER MARKUS
Abstract: Ein Halbleiterbauelement beinhaltet ein Substrat, einen Halbleiter-Die und ein antistatisches Die-Befestigungsmaterial zwischen dem Substrat und dem Halbleiter-Die. Das antistatische Die-Befestigungsmaterial enthält eine Mischung aus einem nichtleitenden Klebstoffmaterial und Ruß oder Graphit. Bei einem Beispiel weist das antistatische Die-Befestigungsmate rial eine Resisitivität zwischen 101 Ω·cm und 1010 Ω·cm auf.
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公开(公告)号:DE102016115722A1
公开(公告)日:2017-03-02
申请号:DE102016115722
申请日:2016-08-24
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: STRUTZ VOLKER , SCHALLER RAINER MARKUS
IPC: H01L23/495 , H01L21/50 , H01L23/31
Abstract: Ein Halbleitervorrichtungsgehäuse beinhaltet einen Leiterrahmen und einen an dem Leiterrahmen montierten Halbleiterchip. Das Halbleitervorrichtungsgehäuse beinhaltet ferner einen Vergussverkapselungsstoff, der ausgelegt ist, den Leiterrahmen in Position zu vergießen. Ein Oberflächenbereich des Leiterrahmens verbleibt von dem Verkapselungsstoff freiliegend. Eine elektrisch isolierende Deckschicht erstreckt sich über einem Teil des Oberflächenbereichs und ist ausgelegt, den Oberflächenbereich in wenigstens zwei Zonen zu unterteilen.
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