公开(公告)号：DE102017107020B3

公开(公告)日：2018-07-05

申请号：DE102017107020

申请日：2017-03-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  BACH KARL-HEINZ ,  KAMPEN CHRISTIAN ,  ZUNDEL MARKUS ,  KOTZ DIETMAR ,  WOOD ANDREW

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/36

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Halbleiterkörper mit einem Halbleitersubstrat eines ersten Leitfähigkeitstyps und einer Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps auf dem Halbleitersubstrat. Von einer ersten Oberfläche aus erstreckt sich eine Grabenstruktur in den Halbleiterkörper. Die Grabenstruktur umfasst eine Gateelektrode und zumindest eine Feldelektrode, die zwischen der Gateelektrode und einer Bodenseite der Grabenstruktur angeordnet ist. Ein Bodygebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps grenzt an die Grabenstruktur. Das Bodygebiet erstreckt sich von einem Transistorzellengebiet lateral in ein Randabschlussgebiet. Ein pn-Übergang ist zwischen dem Bodygebiet und der Halbleiterschicht. Eine Dotierungskonzentration des Bodygebiets und/oder der Halbleiterschicht ist an einem lateralen Ende des pn-Übergangs in dem Randabschlussgebiet verringert verglichen mit einer Dotierungskonzentration des Bodygebiets und/oder der Halbleiterschicht an dem pn-Übergang im Transistorzellengebiet.

公开(公告)号：DE102014116262A1

公开(公告)日：2015-05-07

申请号：DE102014116262

申请日：2014-11-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WOOD ANDREW ,  BRANDL PETER ,  OSTERMANN THOMAS

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/34 ,  H01L23/58

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform weist eine Halbleitervorrichtung eine auf einer Oberseite eines Werkstücks angeordnete erste Kontaktstelle (5) und eine auf der Oberseite des Werkstücks angeordnete zweite Kontaktstelle (15) auf. Ein Isolationsgebiet (20, 30, 40) ist zwischen der ersten Kontaktstelle (5) und der zweiten Kontaktstelle (15) angeordnet. Ein Metallstreifen (130) ist zumindest teilweise innerhalb des Isolationsgebiets (20, 30, 40) angeordnet. Der Metallstreifen (130) ist nicht mit einem äußeren Potentialknoten gekoppelt.