公开(公告)号：DE102018109950A1

公开(公告)日：2019-10-31

申请号：DE102018109950

申请日：2018-04-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  BACH KARL-HEINZ ,  BRANDL PETER ,  HIRLER FRANZ ,  WOOD ANDREW

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: Beschrieben wird ein Transistorbauelement mit wenigstens einer Transistorzelle (10), die aufweist: ein Driftgebiet (11), ein Sourcegebiet (12), ein Bodygebiet (13) und ein Draingebiet (14) in einem Halbleiterkörper (100), wobei das Bodygebiet (13) zwischen dem Sourcegebiet (12) und dem Driftgebiet (11) angeordnet ist und das Driftgebiet (11) zwischen dem Bodygebiet (13) und dem Draingebiet (14) angeordnet ist; eine Gateelektrode (21), die benachbart zu dem Bodygebiet (13) angeordnet ist und durch ein Gatedielektrikum (22) dielektrisch gegenüber dem Bodygebiet (13) isoliert ist; und eine Feldelektrode (31), die benachbart zu dem Driftgebiet (11) angeordnet ist und durch ein Feldelektrodendielektrikum (22) dielektrisch gegenüber dem Driftgebiet (11) isoliert ist. Das Feldelektrodendielektrikum (22) weist eine Dicke auf, die in Richtung des Draingebiets (14) wenigstens abschnittsweise zunimmt, und das Driftgebiet (11) weist in einem Mesagebiet (11) benachbart zu der Feldelektrode eine Dotierungskonzentration auf, die in Richtung des Draingebiets (14) wenigstens abschnittsweise zunimmt.

公开(公告)号：DE102017107020B3

公开(公告)日：2018-07-05

申请号：DE102017107020

申请日：2017-03-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEISER ANDREAS ,  BACH KARL-HEINZ ,  KAMPEN CHRISTIAN ,  ZUNDEL MARKUS ,  KOTZ DIETMAR ,  WOOD ANDREW

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/36

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Halbleiterkörper mit einem Halbleitersubstrat eines ersten Leitfähigkeitstyps und einer Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps auf dem Halbleitersubstrat. Von einer ersten Oberfläche aus erstreckt sich eine Grabenstruktur in den Halbleiterkörper. Die Grabenstruktur umfasst eine Gateelektrode und zumindest eine Feldelektrode, die zwischen der Gateelektrode und einer Bodenseite der Grabenstruktur angeordnet ist. Ein Bodygebiet des zweiten Leitfähigkeitstyps grenzt an die Grabenstruktur. Das Bodygebiet erstreckt sich von einem Transistorzellengebiet lateral in ein Randabschlussgebiet. Ein pn-Übergang ist zwischen dem Bodygebiet und der Halbleiterschicht. Eine Dotierungskonzentration des Bodygebiets und/oder der Halbleiterschicht ist an einem lateralen Ende des pn-Übergangs in dem Randabschlussgebiet verringert verglichen mit einer Dotierungskonzentration des Bodygebiets und/oder der Halbleiterschicht an dem pn-Übergang im Transistorzellengebiet.

公开(公告)号：DE102018109950B4

公开(公告)日：2022-09-29

申请号：DE102018109950

申请日：2018-04-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  BACH KARL-HEINZ ,  BRANDL PETER ,  HIRLER FRANZ ,  WOOD ANDREW

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: Transistorbauelement mit wenigstens einer Transistorzelle (10), die aufweist:ein Driftgebiet (11), ein Sourcegebiet (12), ein Bodygebiet (13) und ein Draingebiet (14) in einem Halbleiterkörper (100), wobei das Bodygebiet (13) zwischen dem Sourcegebiet (12) und dem Driftgebiet (11) angeordnet ist und das Driftgebiet (11) zwischen dem Bodygebiet (13) und dem Draingebiet (14) angeordnet ist;eine Gateelektrode (21), die benachbart zu dem Bodygebiet (13) angeordnet ist und durch ein Gatedielektrikum (22) dielektrisch gegenüber dem Bodygebiet (13) isoliert ist, undeine Feldelektrode (31), die benachbart zu dem Driftgebiet (11) angeordnet ist und durch ein Feldelektrodendielektrikum (32) dielektrisch gegenüber dem Driftgebiet (11) isoliert ist, wobei das Feldelektrodendielektrikum (32) eine Dicke aufweist, die in Richtung des Draingebiets (14) wenigstens abschnittsweise zunimmt, und wobei das Driftgebiet (11) in einem Mesagebiet (111) benachbart zu der Feldelektrode eine Dotierungskonzentration aufweist, die in Richtung des Draingebiets (14) wenigstens abschnittsweise zunimmt, wobei das Mesagebiet (111) in einer Richtung quer zu einer Stromflussrichtung des Transistorbauelements an das Feldelektrodendielektrikum (22) angrenzt.

公开(公告)号：DE102017118352A1

公开(公告)日：2019-02-14

申请号：DE102017118352

申请日：2017-08-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  BRANDL PETER ,  BACH KARL-HEINZ ,  WOOD ANDREW

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: Die Offenbarung beschreibt ein Halbleiterbauelement, das eine Feldeffekttransistoranordnung in einem Halbleiterkörper aufweist. Die Feldeffekttransistoranordnung weist eine Driftzone und ein Bodygebiet zwischen der Driftzone und einer ersten Oberfläche des Halbleiterkörpers auf. Die Feldeffekttransistoranordnung weist ferner eine erste und zweite Grabenstrukturen aufweisende Vielzahl von Grabenstrukturen von einem ersten Typ auf, die sich von einer ersten Oberfläche in den Halbleiterkörper erstrecken und eine maximale laterale Abmessung an der ersten Oberfläche aufweisen, die kleiner ist als eine Tiefe der ersten und zweiten Grabenstrukturen. Die erste Grabenstruktur und die zweite Grabenstruktur sind direkt benachbart. Eine Netto-Dotierungskonzentration in einer zwischen dem Bodygebiet und einem Boden der ersten Grabenstruktur gelegenen Referenztiefe an einer ersten Stelle in der Driftzone, die einen selben ersten lateralen Abstand zur ersten und zur zweiten Grabenstruktur aufweist, ist wenigstens um 10% größer als an einer zweiten Stelle in der Referenztiefe, die einen selben zweiten lateralen Abstand zur ersten und zur zweiten Grabenstruktur aufweist, wobei der zweite Abstand größer ist als der erste Abstand.