公开(公告)号：DE102014116262A1

公开(公告)日：2015-05-07

申请号：DE102014116262

申请日：2014-11-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WOOD ANDREW ,  BRANDL PETER ,  OSTERMANN THOMAS

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/34 ,  H01L23/58

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform weist eine Halbleitervorrichtung eine auf einer Oberseite eines Werkstücks angeordnete erste Kontaktstelle (5) und eine auf der Oberseite des Werkstücks angeordnete zweite Kontaktstelle (15) auf. Ein Isolationsgebiet (20, 30, 40) ist zwischen der ersten Kontaktstelle (5) und der zweiten Kontaktstelle (15) angeordnet. Ein Metallstreifen (130) ist zumindest teilweise innerhalb des Isolationsgebiets (20, 30, 40) angeordnet. Der Metallstreifen (130) ist nicht mit einem äußeren Potentialknoten gekoppelt.

公开(公告)号：DE102018109950A1

公开(公告)日：2019-10-31

申请号：DE102018109950

申请日：2018-04-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  BACH KARL-HEINZ ,  BRANDL PETER ,  HIRLER FRANZ ,  WOOD ANDREW

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: Beschrieben wird ein Transistorbauelement mit wenigstens einer Transistorzelle (10), die aufweist: ein Driftgebiet (11), ein Sourcegebiet (12), ein Bodygebiet (13) und ein Draingebiet (14) in einem Halbleiterkörper (100), wobei das Bodygebiet (13) zwischen dem Sourcegebiet (12) und dem Driftgebiet (11) angeordnet ist und das Driftgebiet (11) zwischen dem Bodygebiet (13) und dem Draingebiet (14) angeordnet ist; eine Gateelektrode (21), die benachbart zu dem Bodygebiet (13) angeordnet ist und durch ein Gatedielektrikum (22) dielektrisch gegenüber dem Bodygebiet (13) isoliert ist; und eine Feldelektrode (31), die benachbart zu dem Driftgebiet (11) angeordnet ist und durch ein Feldelektrodendielektrikum (22) dielektrisch gegenüber dem Driftgebiet (11) isoliert ist. Das Feldelektrodendielektrikum (22) weist eine Dicke auf, die in Richtung des Draingebiets (14) wenigstens abschnittsweise zunimmt, und das Driftgebiet (11) weist in einem Mesagebiet (11) benachbart zu der Feldelektrode eine Dotierungskonzentration auf, die in Richtung des Draingebiets (14) wenigstens abschnittsweise zunimmt.

公开(公告)号：DE102014114897A1

公开(公告)日：2015-04-30

申请号：DE102014114897

申请日：2014-10-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRANDL PETER ,  PERI HERMANN

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Das Produzieren eines vertikalen Halbleiterbauelements beinhaltet Folgendes: Bereitstellen eines Halbleiterwafers (40), der eine erste Halbleiterschicht (1) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine zweite Halbleiterschicht (2) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, die einen ersten pn-Übergang (14) zur ersten Halbleiterschicht ausbildet, und eine dritte Halbleiterschicht vom ersten Leitfähigkeitstyp, die einen zweiten pn-Übergang (15) zur zweiten Halbleiterschicht ausbildet und sich zu einer Hauptoberfläche (103) des Wafers (40) erstreckt, beinhaltet; Ausbilden einer Hartmaske (31) auf der Hauptoberfläche (103), die durch erste Öffnungen (38) voneinander beabstandete Abschnitte der Hartmaske (31) beinhaltet; Nutzen der Hartmaske (31), um tiefe Gräben (50, 50a) von der Hauptoberfläche (103) in die erste Schicht zu ätzen, sodass zwischen benachbarten Gräben Mesagebiete ausgebildet werden, die an der Hauptoberfläche (103) von jeweiligen Hartmaskenabschnitten (31) bedeckt werden; Auffüllen der Gräben und der ersten Öffnungen (38) der Hartmaske (31); und Ätzen der Hartmaske (31), um zweite Öffnungen in der Hartmaske (31) an der Hauptoberfläche (103) der Mesas (20) auszubilden.

公开(公告)号：DE102018109950B4

公开(公告)日：2022-09-29

申请号：DE102018109950

申请日：2018-04-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  BACH KARL-HEINZ ,  BRANDL PETER ,  HIRLER FRANZ ,  WOOD ANDREW

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: Transistorbauelement mit wenigstens einer Transistorzelle (10), die aufweist:ein Driftgebiet (11), ein Sourcegebiet (12), ein Bodygebiet (13) und ein Draingebiet (14) in einem Halbleiterkörper (100), wobei das Bodygebiet (13) zwischen dem Sourcegebiet (12) und dem Driftgebiet (11) angeordnet ist und das Driftgebiet (11) zwischen dem Bodygebiet (13) und dem Draingebiet (14) angeordnet ist;eine Gateelektrode (21), die benachbart zu dem Bodygebiet (13) angeordnet ist und durch ein Gatedielektrikum (22) dielektrisch gegenüber dem Bodygebiet (13) isoliert ist, undeine Feldelektrode (31), die benachbart zu dem Driftgebiet (11) angeordnet ist und durch ein Feldelektrodendielektrikum (32) dielektrisch gegenüber dem Driftgebiet (11) isoliert ist, wobei das Feldelektrodendielektrikum (32) eine Dicke aufweist, die in Richtung des Draingebiets (14) wenigstens abschnittsweise zunimmt, und wobei das Driftgebiet (11) in einem Mesagebiet (111) benachbart zu der Feldelektrode eine Dotierungskonzentration aufweist, die in Richtung des Draingebiets (14) wenigstens abschnittsweise zunimmt, wobei das Mesagebiet (111) in einer Richtung quer zu einer Stromflussrichtung des Transistorbauelements an das Feldelektrodendielektrikum (22) angrenzt.

公开(公告)号：DE102017118352A1

公开(公告)日：2019-02-14

申请号：DE102017118352

申请日：2017-08-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  BRANDL PETER ,  BACH KARL-HEINZ ,  WOOD ANDREW

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: Die Offenbarung beschreibt ein Halbleiterbauelement, das eine Feldeffekttransistoranordnung in einem Halbleiterkörper aufweist. Die Feldeffekttransistoranordnung weist eine Driftzone und ein Bodygebiet zwischen der Driftzone und einer ersten Oberfläche des Halbleiterkörpers auf. Die Feldeffekttransistoranordnung weist ferner eine erste und zweite Grabenstrukturen aufweisende Vielzahl von Grabenstrukturen von einem ersten Typ auf, die sich von einer ersten Oberfläche in den Halbleiterkörper erstrecken und eine maximale laterale Abmessung an der ersten Oberfläche aufweisen, die kleiner ist als eine Tiefe der ersten und zweiten Grabenstrukturen. Die erste Grabenstruktur und die zweite Grabenstruktur sind direkt benachbart. Eine Netto-Dotierungskonzentration in einer zwischen dem Bodygebiet und einem Boden der ersten Grabenstruktur gelegenen Referenztiefe an einer ersten Stelle in der Driftzone, die einen selben ersten lateralen Abstand zur ersten und zur zweiten Grabenstruktur aufweist, ist wenigstens um 10% größer als an einer zweiten Stelle in der Referenztiefe, die einen selben zweiten lateralen Abstand zur ersten und zur zweiten Grabenstruktur aufweist, wobei der zweite Abstand größer ist als der erste Abstand.

公开(公告)号：DE102014114312A1

公开(公告)日：2015-04-09

申请号：DE102014114312

申请日：2014-10-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  BRANDL PETER

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen vertikalen IGFET (310) in einem ersten Gebiet (300) eines Halbleiterkörpers (200), wobei der vertikale IGFET (310) eine Driftzone (324) zwischen einer Bodyzone (320) und einer Drainzone (328) hat und die Driftzone (324) ein vertikales Dotierstoffprofil eines ersten Leitfähigkeitstyps aufweist, das eine Überlagerung eines ersten Dotierstoffprofils (A), das mit zunehmendem Abstand von der Drainelektrode (328) abnimmt und das vertikale Dotierstoffprofil in einer ersten Zone nächst zu der Drainelektrode (328) dominiert, und eines zweiten Dotierstoffprofils (B), das ein verbreitertes Spitzendotierstoffprofil ist und das vertikale Dotierstoffprofil in einer zweiten Zone nächst zu der Bodyzone (320) dominiert, ist.

公开(公告)号：DE102014116262B4

公开(公告)日：2020-08-27

申请号：DE102014116262

申请日：2014-11-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WOOD ANDREW ,  BRANDL PETER ,  OSTERMANN THOMAS

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/34 ,  H01L23/58

Abstract: Halbleitervorrichtung, welche Folgendes aufweist:eine erste Kontaktstelle (5), die auf einer Oberseite eines Werkstücks angeordnet ist,eine zweite Kontaktstelle (15), die auf der Oberseite des Werkstücks angeordnet ist,ein Isolationsgebiet (20, 30, 40), das zwischen der ersten Kontaktstelle (5) und der zweiten Kontaktstelle (15) angeordnet ist, undeine Mehrzahl von Metallstreifen (130), die zumindest teilweise innerhalb des Isolationsgebiets (20, 30, 40) angeordnet ist, wobei die Metallstreifen (130) nicht mit einem äußeren Potentialknoten gekoppelt sind,wobei die Metallstreifen in einer Richtung lang gestreckt und in einer dazu senkrechten Richtung schmal sind, undwobei die Metallstreifen entlang einer einzigen Richtung parallel zur Oberseite des Werkstücks orientiert und voneinander isoliert sind,wobei die erste Kontaktstelle (5) über einem ersten aktiven Gebiet (51) angeordnet ist und dafür ausgelegt ist, mit einem ersten äußeren Knoten gekoppelt zu werden, wobei die erste Kontaktstelle (5) mit dem ersten aktiven Gebiet (51) gekoppelt ist und wobei eine zweite Kontaktstelle (15) über einem zweiten aktiven Gebiet (52) angeordnet ist und dafür ausgelegt ist, mit einem zweiten äußeren Knoten gekoppelt zu werden, wobei die zweite Kontaktstelle (15) mit dem zweiten aktiven Gebiet (52) gekoppelt ist, wobei optional die erste Kontaktstelle (5) und die zweite Kontaktstelle (15) Teil einer Außenfläche der Halbleitervorrichtung sind.

公开(公告)号：DE102016120292A1

公开(公告)日：2018-04-26

申请号：DE102016120292

申请日：2016-10-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  MATOY KURT ,  BRANDL PETER ,  OSTERMANN THOMAS ,  AHLERS DIRK

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/62 ,  H01L29/739

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (10) einer Ausführungsform enthält eine Transistorvorrichtung (11) in einem Halbleiterdie (100), das einen Halbleiterkörper (101) umfasst. Die Transistorvorrichtung (11) umfasst Transistorzellen (102), die parallel verbunden sind und zumindest 80 % eines gesamten aktiven Gebiets (103) an einer ersten Oberfläche (104) des Halbleiterkörpers (101) bedecken. Ferner enthält die Halbleitervorrichtung (10) ein Steueranschluss-Kontaktgebiet (G) an der ersten Oberfläche (104), das mit einer Steuerelektrode (106) von jeder der Transistorzellen (102) elektrisch verbunden ist. Ein erstes Lastanschluss-Kontaktgebiet (S) an der ersten Oberfläche (104) ist mit einem ersten Lastanschlussgebiet (108) von jeder der Transistorzellen (102) elektrisch verbunden. Die Halbleitervorrichtung (10) enthält ferner einen Widerstand (R) in dem Halbleiterdie (100), der zwischen das Steueranschluss-Kontaktgebiet (G) und das erste Lastanschluss-Kontaktgebiet (S) elektrisch gekoppelt ist.