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公开(公告)号:DE102022106290A1
公开(公告)日:2022-12-08
申请号:DE102022106290
申请日:2022-03-17
Applicant: INTEL CORP
Inventor: KUMAR RANJEET , RONG HAISHENG , SUN JIE
Abstract: Bei einer Ausführungsform beinhaltet ein Laser mit verteilter Rückkopplung einen Laser, der einen Wellenleiter umfasst, wobei der Wellenleiter eine variable Breite von einem ersten Ende zu einem zweiten Ende aufweist, wobei der Laser optische Energie mehrerer Laserwellenlängen erzeugen soll. Andere Ausführungsformen werden beschrieben und beansprucht.
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公开(公告)号:DE102020119678A1
公开(公告)日:2021-04-01
申请号:DE102020119678
申请日:2020-07-27
Applicant: INTEL CORP
Inventor: JAYATILLEKA HASITHA , FRISH HAREL , KUMAR RANJEET , RONG HAISHENG , HECK JOHN
IPC: G02B6/12
Abstract: Ausführungsformen beinhalten Einrichtungen, Verfahren und Systeme einschließlich einer photonischen Halbleitervorrichtung mit einem Wellenleiter, der oberhalb eines Substrats angeordnet ist. Der Wellenleiter weist einen ersten Abschnitt, der amorphes Silicium mit einem ersten Brechungsindex beinhaltet, und einen zweiten Abschnitt auf, der kristallines Silicium mit einem zweiten Brechungsindex beinhaltet, der von dem ersten Brechungsindex verschieden ist. Die photonische Halbleitervorrichtung beinhaltet ferner ein Heizelement in einer Umgebung des ersten Abschnitts des Wellenleiters. Das Heizelement ist zum Erzeugen von Wärme eingerichtet, um das amorphe Silicium des ersten Abschnitts des Wellenleiters zu teilweise oder vollständig kristallisiertem Silicium mit einem dritten Brechungsindex zu transformieren. Das amorphe Silicium in dem ersten Abschnitt kann mit Siliciumgitterdefekten gebildet werden, die durch ein in den ersten Abschnitt implantiertes Element verursacht werden. Andere Ausführungsformen können auch beschrieben und beansprucht werden.
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公开(公告)号:DE102020111596A1
公开(公告)日:2020-11-05
申请号:DE102020111596
申请日:2020-04-29
Applicant: INTEL CORP
Inventor: BALAMURUGAN GANESH , RONG HAISHENG , SAKIB MEER NAZMUS , LI HAO
IPC: G01J1/16 , G01J1/42 , G01J3/26 , G02B6/12 , H01L31/101
Abstract: Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung sind auf Techniken und Konfigurationen für eine photonische Einrichtung mit einem Photodetektor mit Vorspannungssteuerung zum Bereitstellen im Wesentlichen konstanter Ansprechempfindlichkeit ausgerichtet. Die Einrichtung beinhaltet Folgendes: einen ersten Photodetektor zum Empfangen einer optischen Eingabe und Bereitstellen einer entsprechenden elektrischen Ausgabe; einen zweiten Photodetektor, der mit dem ersten Photodetektor gekoppelt ist, wobei der zweite Photodetektor keine optischen Eingabe empfängt; und eine Schaltungsanordnung, die mit dem ersten und zweiten Photodetektor gekoppelt ist, zum: Erzeugen einer Vorspannung zumindest teilweise basierend auf einem Dunkelstrom, der durch den zweiten Photodetektor bei Nichtvorhandensein der optischen Eingabe erzeugt wird; und Bereitstellen der erzeugten Vorspannung zu dem ersten Photodetektor. Der erste Photodetektor soll als Reaktion auf die Bereitstellung der erzeugten Vorspannung ein im Wesentlichen konstantes Verhältnis der elektrischen Ausgabe zu der optischen Eingabe bereitstellen. Zusätzliche Ausführungsformen können beschrieben und beansprucht werden.
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公开(公告)号:DE602005010746D1
公开(公告)日:2008-12-11
申请号:DE602005010746
申请日:2005-12-09
Applicant: INTEL CORP
Inventor: LIU ANSHENG , PANICCIA MARIO , RONG HAISHENG
IPC: H04B10/155
Abstract: An optical modulator or switch is disclosed. An apparatus includes an optical splitter disposed in a semiconductor material that splits an optical beam having a first wavelength into first and second portions. The first and second portions of the optical beam are to be directed through first and second optical waveguides, respectively. The first optical waveguide is also optically coupled to receive a pump optical beam to amplify and phase shift the first portion of the optical beam. A diode structure is disposed in the first optical waveguide and is selectively biased to sweep out free carriers from the first optical waveguide generated in response to two photon absorption in the optical waveguide. An optical coupler is disposed in the semiconductor material and is optically coupled to the first and second optical waveguides to combine the first and second portions of the optical beam.
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公开(公告)号:DE102021115855A1
公开(公告)日:2021-12-23
申请号:DE102021115855
申请日:2021-06-18
Applicant: INTEL CORP
Inventor: SAKIB MEER NAZMUS , LIAO PEICHENG , KUMAR RANJEET , HUANG DUANNI , RONG HAISHENG , FRISH HAREL , HECK JOHN , MA CHAOXUAN , LI HAO , BALAMURUGAN GANESH
Abstract: Hier beschriebene Ausführungsformen können Einrichtungen, Prozesse und Techniken in Bezug auf kohärente optische Empfänger betreffen, einschließlich kohärenter Empfänger mit integrierten Ganzsiliciumwellenleiterfotodetektoren und abstimmbaren Lokaloszillatoren, die in CMOS-Technologie implementiert sind.Ausführungsformen betreffen auch abstimmbare Siliciumhybridlaser mit integrierten Temperatursensoren zum Steuern der Wellenlänge. Ausführungsformen betreffen auch eine Post-Prozess-Phasenkorrektur eines optischen Hybrids und verschachtelter I/Q-Modulatoren. Ausführungsformen betreffen auch Demultiplexfotodetektoren basierend auf mehreren Mikroringen. Bei Ausführungsformen können alle Komponenten auf einem Siliciumsubstrat implementiert sein. Andere Ausführungsformen können beschrieben und/oder beansprucht werden.
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公开(公告)号:SG11201610528XA
公开(公告)日:2017-01-27
申请号:SG11201610528X
申请日:2015-05-11
Applicant: INTEL CORP
Inventor: KRISHNAMURTHI MAHESH , HSIEH I-WEI , RONG HAISHENG , HAREL OSHRIT , FRISH HAREL , BARKAI ASSIA , LIN WENHUA
IPC: G02B5/18
Abstract: Embodiments of the present disclosure are directed toward techniques and configurations for an optical device having a semiconductor layer to propagate light and a mirror disposed inside the semiconductor layer and having echelle grating reflective surface to substantially totally internally reflect the propagating light inputted by one or more input waveguides, to be received by one or more output waveguides. The waveguides may be disposed in the semiconductor layer under a determined angle relative to the mirror reflective surface. The determined angle may be equal to or greater than a total internal reflection angle corresponding to the interface, to provide substantially total internal reflection of light by the mirror. The mirror may be formed by an interface of the semiconductor layer comprising the mirror reflective surface and another medium filling the mirror, such as a dielectric. Other embodiments may be described and/or claimed.
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公开(公告)号:DE112017001356T5
公开(公告)日:2018-11-29
申请号:DE112017001356
申请日:2017-02-06
Applicant: INTEL CORP
Inventor: HECK JOHN , HUTCHISON DAVID N , SUN JIE , RONG HAISHENG , KIM WOOSUNG
Abstract: Ausführungsformen hierin betreffen photonische integrierte Schaltungen mit einem optischen On-Chip-Isolator. Ein photonischer Senderchip kann einen Laser und einen On-Chip-Isolator aufweisen, der optisch mit dem Laser gekoppelt ist, der einen optischen Wellenleiter mit einem Teilabschnitt aufweist, der mit einem magnetooptischen in Flüssigphasenepitaxie aufgewachsenen Granatfilm gekoppelt ist. In einigen Ausführungsformen kann eine Ummantelung mit dem Granatfilm gekoppelt sein, der On-Chip-Isolator kann in einer Mach-Zehnder-Interferometerkonfiguration angeordnet sein, der Wellenleiter kann einen oder mehrere Polarisationsrotatoren aufweisen, und/oder der Granatfilm kann aus einem Material einer Seltenerd-Granat-Familie ausgebildet sein. Andere Ausführungsformen können beschrieben und/oder beansprucht werden.
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公开(公告)号:SG11201610604RA
公开(公告)日:2017-01-27
申请号:SG11201610604R
申请日:2015-05-07
Applicant: INTEL CORP
Inventor: KRISHNAMURTHI MAHESH , RYCKMAN JUDSON D , RONG HAISHENG , LIAO LING , FRISH HAREL , HAREL OSHRIT , BARKAI ASSIA , NA YUN-CHUNG , LIU HAN-DIN
Abstract: Embodiments of the present disclosure are directed toward techniques and configurations for an optical coupler. In some embodiments, the device may include an optical waveguide to transmit light input from a light source. The optical waveguide may include a semiconductor layer, having a trench with one facet that comprises an edge formed under an approximately 45 degree angle and another facet formed substantially normal to the semiconductor layer. The edge may interface with another medium to form a mirror to receive inputted light and reflect received light substantially perpendicularly to propagate the received light. Other embodiments may be described and/or claimed.
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公开(公告)号:GB2435775B
公开(公告)日:2009-12-23
申请号:GB0711564
申请日:2005-12-09
Applicant: INTEL CORP
Inventor: YE FENGJI , BAKSHI SANJAY , RONG HAISHENG
Abstract: An optical modulator or switch is disclosed. An apparatus includes an optical splitter disposed in a semiconductor material that splits an optical beam having a first wavelength into first and second portions. The first and second portions of the optical beam are to be directed through first and second optical waveguides, respectively. The first optical waveguide is also optically coupled to receive a pump optical beam to amplify and phase shift the first portion of the optical beam. A diode structure is disposed in the first optical waveguide and is selectively biased to sweep out free carriers from the first optical waveguide generated in response to two photon absorption in the optical waveguide. An optical coupler is disposed in the semiconductor material and is optically coupled to the first and second optical waveguides to combine the first and second portions of the optical beam.
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公开(公告)号:AT413027T
公开(公告)日:2008-11-15
申请号:AT05853768
申请日:2005-12-09
Applicant: INTEL CORP
Inventor: LIU ANSHENG , PANICCIA MARIO , RONG HAISHENG
IPC: H04B10/155
Abstract: An optical modulator or switch is disclosed. An apparatus includes an optical splitter disposed in a semiconductor material that splits an optical beam having a first wavelength into first and second portions. The first and second portions of the optical beam are to be directed through first and second optical waveguides, respectively. The first optical waveguide is also optically coupled to receive a pump optical beam to amplify and phase shift the first portion of the optical beam. A diode structure is disposed in the first optical waveguide and is selectively biased to sweep out free carriers from the first optical waveguide generated in response to two photon absorption in the optical waveguide. An optical coupler is disposed in the semiconductor material and is optically coupled to the first and second optical waveguides to combine the first and second portions of the optical beam.
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