Abstract:
Ein Bildsensor für Licht mit kurzer Wellenlänge umfasst eine Halbleitermembran, Schaltungselemente, die auf einer Oberfläche der Halbleitermembran ausgebildet sind, und eine reine Borschicht auf der anderen Oberfläche der Halbleitermembran. Eine antireflektierende oder schützende Schicht ist auf der Oberseite der reinen Borschicht ausgebildet. Dieser Bildsensor hat eine hohe Effizienz und hohe Stabilität selbst bei kontinuierlicher Nutzung mit hohem Fluss über mehrere Jahre hinweg. Der Bildsensor kann unter Anwendung einer CCD-(ladungsgekoppeltes Bauelement) oder CMOS-(komplementärer Metall-Oxid-Halbleiter)Technik hergestellt werden. Der Bildsensor kann ein zweidimensionaler Flächensensor oder ein eindimensionaler Array-Sensor sein.
Abstract:
A mode-locked laser system operable at low temperature can include an annealed, frequency-conversion crystal and a housing to maintain an annealed condition of the crystal during standard operation at the low temperature. In one embodiment, the crystal can have an increased length. First beam shaping optics can be configured to focus a beam from a light source to an elliptical cross section at a beam waist located in or proximate to the crystal. A harmonic separation block can divide an output from the crystal into beams of different frequencies separated in space. In one embodiment, the mode-locked laser system can further include second beam shaping optics configured to convert an elliptical cross section of the desired frequency beam into a beam with a desired aspect ratio, such as a circular cross section.
Abstract:
Eine Laseranordnung erzeugt kontinuierlich (CW) Laserausgangslicht im Bereich von etwa 181 nm bis etwa 185 nm durch das Erzeugen von Licht der vierten Harmonischen aus einem ersten grundlegenden CW-Licht, das eine erste Grundwellenlänge zwischen 1 µm und 1,1 µm aufweist. Das Erzeugen eines fünften harmonischen Lichts erreicht man durch Mischen des vierten harmonischen Lichts mit dem ersten CW-Grundlicht. Dann erfolgt das Mischen des fünften harmonischen Lichts mit dem zweiten Grundlicht oder dem CW-Lichtsignal, das eine zweite Wellenlänge zwischen 1,26 µm und 1,82 µm besitzt. Das fünfte harmonische Licht wird unter Verwendung einer externen Kavität, die das erste CW-Grundlicht durch einen ersten nichtlinearen Kristall zirkuliert und das Richten des vierten harmonischen Lichts durch den ersten nichtlinearen Kristall erzeugt. Das Laserausgangslicht wird mit einer zweiten Kavität, die das zweite Grundlicht oder das CW-Lichtsignal durch einen zweiten nichtlinearen Kristall schickt und das Richten des fünften harmonischen Licht durch den zweiten nichtlinearen Kristall erzeugt.
Abstract:
Eine Laseranordnung zur Erzeugung von Laserausgangslicht bei einer Ausgangswellenlänge von ungefähr 183 nm beinhaltet einen Basislaser, ein Optisch-Parametrisches-System (OPS), einen Erzeuger einer fünften Harmonischen und ein Frequenzmischungsmodul. Der Basislaser erzeugt Basislicht bei einer Basisfrequenz. Das OPS erzeugt ein frequenzkonvertiertes Signal bei einer herabgesetzten Frequenz. Der Erzeuger einer fünften Harmonischen erzeugt eine fünfte Harmonische des Basislichts. Das Frequenzmischungsmodul mischt das frequenzkonvertierte Signal und die fünfte Harmonische, um das Laserausgangslicht bei einer Frequenz zu erzeugen, die gleich einer Summe der Frequenz der fünften Harmonischen und der herabgesetzten Frequenz ist. Das OPS erzeugt das frequenzkonvertierte Signal, indem es ein frequenzkonvertiertes Leitsignal bei der herabgesetzten Frequenz erzeugt und dann das frequenzkonvertierte Leitsignal mit einem Teil des Basislichts mischt. Zumindest einer der Schritte Frequenzmischung, Frequenzkonversion, Erzeugung der Harmonischen verwendet einen getemperten, mit Deuterium oder mit Wasserstoff behandelten CLBO-Kristall.
Abstract:
Metrology may be implemented during semiconductor device fabrication by a) modeling a first measurement on a first test cell formed in a layer of a partially fabricated device; b) performing a second measurement on a second test cell in the layer; c) feeding information from the second measurement into the modeling of the first measurement; and after a lithography pattern has been formed on the layer including the first and second test cells, d) modeling a third and a fourth measurement on the first and second test cells respectively using information from a) and b) respectively.
Abstract:
Eine Photokathode verwendet eine Feldemitteranordnung (FEA), die integral auf einem Siliziumsusbtrat gebildet ist, um die Emission von Photoelektronen zu erhöhen, und eine dünne Borschicht, die unmittelbar auf der Ausgangsoberfläche der FEA angeordnet ist, um Oxidation zu verhindern. Die Feldemitter sind durch Vorsprünge gebildet, die verschiedene Formen (z. B. Pyramiden oder abgerundete Whisker) haben und in einem zweidimensionalen periodischen Muster angeordnet sind, und können dazu ausgebildet sein, in einem Sperrrichtungsbetrieb zu arbeiten. Eine optionale Gate-Schicht ist vorgesehen, um Emissionsströme zu steuern. Eine optionale zweite Borschicht ist auf der beleuchteten (oberen) Oberfläche gebildet, und eine optionale Schicht aus Antireflektionsmaterial ist auf der zweiten Borschicht gebildet. Ein optionales externes Potenzial wird zwischen den gegenüberliegenden beleuchteten und Ausgangsoberflächen erzeugt. Eine optionale Kombination aus n-Typ-Silizium-Feldemitter und p-i-n-Photodioden-Schicht wird durch ein spezielles Dotierungsschema und das Anlegen eines externen Potenzials gebildet. Die Photokathode bildet einen Teil von Sensor- und Inspektionssystemen.
Abstract:
Eine gepulste UV-Laseranordnung umfasst einen Teilreflektor oder Strahlteiler, der jeden Grundpuls in zwei Teilpulse unterteilt. Dabei wird ein Teilpuls zu einem Ende eines Bragg-Gitters und der andere Teilpuls zu dem anderen Ende des Bragg-Gitters (oder ein anderes Bragg-Gitter) geleitet, so dass die beiden Teilpulse gestreckt werden und entgegensetzte (positive und negative) Frequenz-Chirps erhalten. Die beiden gestreckten Teilpulse werden kombiniert, um ein Summenfrequenzlicht mit einer schmaleren Bandbreite zu erhalten, als man dies vom Grundpuls direkt durch Erzeugung der zweiten Oberschwingung erhalten würde. UV-Wellenlängen können direkt vom Summenfrequenzlicht oder von einem harmonischen Umwandlungsschema erzeugt werden, welches das Summenfrequenzlicht beinhaltet. Der UV-Laser kann weiterhin andere die Bandbreite reduzierende Schemata umfassen. Der gepulste UV-Laser kann in einem Inspektions- oder Metrologiesystem verwendet werden.
Abstract:
A DUV laser includes an optical bandwidth filtering device, such as etalon, which is disposed outside of the laser oscillator cavity of the fundamental laser, and which directs one range of wavelengths into one portion of a frequency conversion chain and another range of wavelengths into another portion of the frequency conversion train, thereby reducing the bandwidth of the DUV laser output while maintaining high conversion efficiency in the frequency conversion chain.