公开(公告)号：DE112019003036T5

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：DE112019003036

申请日：2019-06-10

Applicant: MICROCHIP TECH INC

Inventor： SATO JUSTIN HIROKI ,  LENG YAOJIAN ,  STOM GREGORY ALLEN

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  H01L27/08 ,  H01L49/02

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtwiderstands- (TFR-) Moduls in einer integrierten Schaltungs- (IC-) Struktur kann das Ausbilden eines Grabens in einem dielektrischen Bereich aufweisen; das Ausbilden eines TFR-Elements in dem Graben, wobei das TFR-Element einen sich seitlich erstreckenden TFR-Bereich und einen TFR-Grat aufweist, der sich von einem sich seitlich erstreckenden TFR-Bereich nach oben erstreckt; das Abscheiden zumindest einer Metallschicht über dem TFR-Element; und das Strukturieren der zumindest einen Metallschicht und Ätzen der zumindest einen Metallschicht unter Verwendung eines Metallätzens, um ein Paar von Metall-TFR-Köpfen über dem TFR-Element zu definieren, wobei das Metallätzen auch zumindest einen Teil des sich nach oben erstreckenden TFR-Grats entfernt. Das Verfahren kann auch das Ausbilden zumindest eines leitenden TFR-Kontakts aufweisen, der sich durch das TFR-Element erstreckt und mit einem jeweiligen TFR-Kopf in Kontakt steht, um dadurch einen leitenden Pfad zwischen dem jeweiligen TFR-Kopf und dem TFR-Element zu vergrößern.

公开(公告)号：DE112019003120T5

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：DE112019003120

申请日：2019-06-18

Applicant: MICROCHIP TECH INC

Inventor： LENG YAOJIAN ,  SATO JUSTIN ,  STOM GREG

IPC: H01L27/01 ,  H01L21/822 ,  H01L49/02

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtwiderstands- (TFR-) Moduls in einer Integrierten Schaltungs- (IC-) Struktur bereitgestellt. Ein TFR-Graben kann in einer Oxidschicht ausgebildet werden. Eine resistive TFR-Schicht kann über der Struktur abgeschieden werden und sich in den Graben erstrecken. Teile der TFR-Schicht außerhalb des Grabens können durch CMP entfernt werden, um ein TFR-Element zu definieren, das einen sich seitlich erstreckenden TFR-Bodenbereich und mehrere TFR-Grate aufweist, die sich von dem sich seitlich erstreckenden TFR-Bodenbereich nach oben erstrecken. Es kann zumindest ein CMP durchgeführt werden, um die gesamte oder Teile der Oxidschicht und zumindest eine Teilhöhe der TFR-Grate zu entfernen. Ein Paar voneinander beabstandeter Metallverbindungen kann dann über gegenüberliegenden Endbereichen des TFR-Elements ausgebildet werden, wobei jede Metallverbindung einen sich jeweils nach oben erstreckenden TFR-Grat kontaktiert, um dadurch zwischen den Metallverbindungen einen Widerstand über das TFR-Element zu definieren.

公开(公告)号：DE112022006702T5

公开(公告)日：2024-12-05

申请号：DE112022006702

申请日：2022-08-23

Applicant: MICROCHIP TECH INC

Inventor： LENG YAOJIAN

IPC: H01L27/08 ,  H01L21/768 ,  H10N97/00

Abstract: Ein Metall-Isolator-Metall-Kondensator (MIM-Kondensator) beinhaltet einen Bodenelektrodenbecher, einen Isolatorbecher und eine Top-Elektrode. Der Bodenelektrodenbecher beinhaltet eine sich lateral erstreckende Bodenelektrodenbecherbasis und eine Elektrodenseitenwand, die sich von der sich lateral erstreckenden Bodenelektrodenbecherbasis nach oben erstreckt. Der Isolatorbecher ist in einer von dem Bodenelektrodenbecher definierten Öffnung ausgebildet und beinhaltet eine sich lateral erstreckende Isolatorbecherbasis, die über der sich lateral erstreckenden Bodenelektrodenbecherbasis ausgebildet ist, und eine Isolatorbecherseitenwand, die sich von der sich lateral erstreckenden Isolatorbecherbasis nach oben erstreckt. Zwischen der Isolatorbecherseitenwand und der Seitenwand des Bodenelektrodenbechers ist ein dielektrischer Seitenwandabstandshalter angeordnet. Die Top-Elektrode ist in einer durch den Isolatorbecher definierten Öffnung ausgebildet.

公开(公告)号：DE112019007552T5

公开(公告)日：2022-03-31

申请号：DE112019007552

申请日：2019-08-23

Applicant: MICROCHIP TECH INC

Inventor： LENG YAOJIAN

IPC: H01L27/08 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: In einigen Ausführungsformen können integrierte Induktoren unter Verwendung von Prozessen zum Bilden von Zwischenverschaltungen von Halbleitervorrichtungen hergestellt werden, ohne zusätzliche Prozessschritte zu erfordern. Spulen eines integrierten Induktors können zum Beispiel durch ein Verbinden eines darüber liegenden elektrisch leitfähigen Materials, wie zum Beispiel von Bondkontaktstellenmetallen (z. B. Aluminium und Legierungen davon), mit einem darunter liegenden elektrisch leitfähigen Material, wie zum Beispiel einer obersten Verdrahtungsschicht, die unter Verwendung von Damascene-Prozessen gebildet wird (z. B. unter Nutzung von Kupfer und Legierungen davon), ohne Durchkontaktierungen, um die beiden Materialien miteinander zu verbinden, gebildet werden. In einigen Ausführungsformen können integrierte Induktoren, die unter Nutzung solcher Prozesse gebildet werden, eine symmetrische Spiralgestaltung aufweisen.

公开(公告)号：DE112019002455T5

公开(公告)日：2021-01-28

申请号：DE112019002455

申请日：2019-05-02

Applicant: MICROCHIP TECH INC

Inventor： LENG YAOJIAN ,  HAMLIN BONNIE ,  TAYLOR ANDREW ,  VANDERIET JANET ,  SATO JUSTIN

IPC: H01L21/3205 ,  H01C7/06 ,  H01C17/075 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/08

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtwiderstandsmoduls (TFR) weist das Ausbilden eines TFR-Elements über einem Substrat auf; Tempern des TFR-Elements, um den Widerstandstemperaturkoeffizienten (TCR) des TFR-Elements zu verringern; und nach dem Ausbilden und Tempern des TFR-Elements, Ausbilden eines Paars leitfähiger TFR-Köpfe in Kontakt mit dem TFR-Element. Durch Ausbilden des TFR-Elements vor den TFR-Köpfen kann das TFR-Element getempert werden, ohne die TFR-Köpfe zu beeinflussen, und kann somit aus verschiedenen Materialien mit unterschiedlichen Tempereigenschaften, z. B. SiCCr und SiCr, ausgebildet werden. Somit kann das TFR-Element getempert werden, um einen TCR von nahezu 0 ppm zu erreichen, ohne die später ausgebildeten TFR-Köpfe zu beeinflussen. Das TFR-Modul kann unter Verwendung eines Damaszener-CMP-Ansatzes und unter Verwendung von nur einer einzelnen hinzugefügten Maskenschicht ausgebildet werden. Weiterhin können vertikal verlaufende „Grate“ an den Kanten des TFR-Elements entfernt oder beseitigt werden, um die TCR-Leistung weiter zu verbessern.

公开(公告)号：DE112018004421T5

公开(公告)日：2020-05-20

申请号：DE112018004421

申请日：2018-10-01

Applicant: MICROCHIP TECH INC

Inventor： LENG YAOJIAN

IPC: H01L49/02 ,  H01L23/522

Abstract: Ein Damaszener-Dünnschichtwiderstand (TFR), z. B. ein Damaszener-Dünnschichtwiderstandsmodul, das unter Verwendung einer einzelnen hinzugefügten Maskenschicht in einer dielektrischen Polymetallschicht (PMD) ausgebildet ist, und ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Vorrichtung werden offenbart. Ein Verfahren zum Herstellen einer TFR-Struktur kann das Ausbilden eines Paares von beabstandeten TFR-Köpfen aufweisen, die als selbstausgerichtete Silizid-Poly- (Salizid-) Strukturen ausgebildet sind, Abscheiden einer dielektrischen Schicht über den Salizid-TFR-Köpfen, Strukturieren und Ätzen eines Grabens, der sich seitlich über zumindest einen Teil jedes Salizid-TFR-Kopfes erstreckt und Freilegen einer Oberfläche jedes Salizid-TFR-Kopfes und Abscheiden eines TFR-Materials in den Graben und auf die freiliegenden TFR-Kopfoberflächen, um dadurch eine TFR-Schicht auszubilden, die das Paar beabstandeter TFR-Köpfe überbrückt.