公开(公告)号：WO2017017209A1

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：PCT/EP2016/068043

申请日：2016-07-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna ,  RAFAEL, Christine ,  LEIRER, Christian

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46 ,  H01L33/54 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058

Abstract: Es wird ein Bauelement (100) angegeben, das einen Träger (1) mit einem elektrisch isolierenden Formkörper (5), einen Halbleiterkörper (2) und eine Mehrschichtstruktur (3) aufweist, wobei der Formkörper (5) den Halbleiterkörper (2) zumindest bereichsweise lateral umschließt. Die Mehrschichtstruktur (3) ist in lateraler Richtung zumindest bereichsweise zwischen dem Halbleiterkörper (2) und dem Formkörper (5) angeordnet, wobei die Mehrschichtstruktur zumindest eine metallische Schicht (30) und eine nichtmetallische Grenzschicht (32) aufweist, wobei - die Grenzschicht (32) in der lateralen Richtung zwischen dem Halbleiterkörper (2) und der metallischen Schicht (30) angeordnet ist, zumindest bereichsweise an den Halbleiterkörper (2) angrenzt, die aktive Schicht (23) lateral bedeckt und im Vergleich zu dem Halbleiterkörper (2) einen kleineren Brechungsindex aufweist, und - die metallische Schicht (30) dazu eingerichtet ist, ein Auftreffen der im Betrieb des Bauelements erzeugten und durch die Grenzschicht hindurchtretenden elektromagnetischen Strahlung auf den Formkörper (5) zu verhindern. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines oder einer Mehrzahl solcher Bauelemente angegeben.

Abstract translation: 本发明公开了包含载体（1）的电绝缘模制体（5），半导体主体（2）和多层结构（3），其中，所述成形体（5）的半导体主体（2）至少局部的装置（100） 横向包围。 在横向方向上的多层结构（3）被至少布置在半导体本体之间的区域（2）和所述模制体（5），其中，所述多层结构具有至少一个金属层（30）和一个非金属屏障层（32）， - 所述边界层（32 ）被布置在所述半导体主体（2）和金属层（30之间的左右方向）至少部分地（至半导体本体2）邻接所述有源层（23）横向地覆盖和相比于所述半导体主体（2）具有更小的 具有折射率，以及 - 所述金属层（30）适于产生所述装置的操作和通过边界层的电磁辐射传递到成型体（5），以防止在产生的冲击。 此外，提供了一种用于制造一个或多个这样的元件的方法。

公开(公告)号：WO2017009285A1

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：PCT/EP2016/066428

申请日：2016-07-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER, Christian ,  PERZLMAIER, Korbinian ,  KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna ,  HAHN, Berthold ,  SCHWARZ, Thomas

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/52 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/52 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein Bauelement (100) mit einem Träger (1) und einem auf dem Träger angeordneten Halbleiterkörper (2) angegeben, bei dem der Träger eine Metallschicht (4) und einen Formkörper (5) aus einem Kunststoff umfasst, wobei die Metallschicht einen ersten Teilbereich (41) und einen zweiten Teilbereich (42) enthält, welche verschiedenen elektrischen Polaritäten des Bauelements zugehörig und so zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers eingerichtet sind. Der Träger weist eine Seitenfläche (10) auf, die als Montagefläche des Bauelements ausgestaltet ist, wobei zumindest einer der Teilbereiche (41, 42) über die Seitenfläche elektrisch kontaktierbar ist und Vereinzelungsspuren aufweist. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl solcher Bauelemente angegeben.

Abstract translation: 据上述（1）和，布置在所述载体上的半导体主体（2），与载体，其中所述载体包括金属层的成分（100）（4）和一个形本体（5）的塑料，其中，所述金属层包括第一 容纳部分（41）和第二部分的部件（42）的不同的电的极性与相关联并且适合于半导体本体的电接触。 支承具有被构造为所述部件的安装面，其特征在于，所述子区域中的至少一个（41，42）被电过的侧表面，并具有分离的标记接触的侧表面（10）。 此外，提供了一种制造多个这样的元件的方法。

公开(公告)号：WO2016184781A1

公开(公告)日：2016-11-24

申请号：PCT/EP2016/060734

申请日：2016-05-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  RAMMELSBERGER, Stefanie ,  KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna ,  IKONOMOV, Julian ,  LEIRER, Christian

IPC: H01L33/60 ,  H01L33/40 ,  H01L33/62 ,  H01L23/00 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L24/29 ,  H01L27/153 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/186 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/405 ,  H01L33/486 ,  H01L33/60 ,  H01L2933/0066

Abstract: Ein optoelektronisches Halbleiterbauteils umfasst einen opto- elektronischen Halbleiterchip (C1) mit einem elektrisch leit- fähige ausgebildeten Träger (T), einem aktiven Teil (AT), welcher epitaktisch gewachsene Schichten enthält, und einer Zwischenschicht (ZS), welche zwischen dem Träger (T) und dem aktiven Teil (AT) angeordnet ist und ein Lotmaterial enthält. Das optoelektronische Halbleiterbauteil umfasst weiterhin ei- ne elektrische Anschlussstelle, welche eine Unterseite des Trägers (T) zumindest teilweise bedeckt, wobei die elektri- sche Anschlussstelle auf einer dem Träger (T) zugewandten Seite eine erste Kontaktschicht (KS1) umfasst und die erste Kontaktschicht (KS1) Aluminium enthält oder aus Aluminium be- steht.

Abstract translation: 一种光电子半导体器件，包括光电子半导体芯片（C1）与含有外延生长层的电conduc-能够形成载体（T），有源部件（AT）和中间层（ZS），其（在运营商T之间 ）和活性部分（AT）被布置，并且包括焊料材料。 的光电子半导体器件还包括一个电连接点，这是在载体（T）至少部分地覆盖在面向侧的载波中的一个（T）的电连接点的底部，第一接触层（KS1），并且所述第一接触层（ KS1）含有铝或为选自铝锯。

公开(公告)号：WO2016146665A2

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：PCT/EP2016/055651

申请日：2016-03-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER, Christian ,  LINKOV, Alexander ,  SABATHIL, Matthias ,  KNOERR, Matthias

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L33/507 ,  H01L33/504 ,  H01L33/508 ,  H01L2933/0041

Abstract: Lichtemittierendes Bauelement (100), bestehend aus einem lichtemittierenden Chip (110), der Licht mit einer ersten Wellenlänge emittiert, und mit mindestens einer Konversionsschicht (30), die Licht der ersten Wellenlänge in Licht mit mindestens einer zweiten Wellenlänge konvertiert, dadurch gekennzeichnet, dass ein Homogenisierungselement (150) zwischen dem lichtemittierenden Chip (110) und der Konversionsschicht (130) vorgesehen ist, wobei eine Oberfläche des Homogenisierungselements (50) an den lichtemittierenden Chip (110) angrenzt und mindestens eine weitere Oberfläche des Homogenisierungselements (150) an die Konversionsschicht (130) angrenzt. Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Bauelements (100).

Abstract translation: 一种发光器件（100），包括发射具有第一波长的光的发光芯片（110）的，和至少一个转换层（30），所述第一波长的光转换成光具有至少转换的第二波长，其特征在于 均匀化元件（150）的发光芯片（110）和所述转换层（130），所述Homogenisierungselements（50）的表面相邻的发光芯片（110）和至少一个其它表面的Homogenisierungselements（150）之间设置的转换层 （130）抵接。 一种用于制造发光器件（100）的过程。

公开(公告)号：WO2018206604A1

公开(公告)日：2018-11-15

申请号：PCT/EP2018/061925

申请日：2018-05-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： OTTO, Isabel ,  KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna ,  LEIRER, Christian

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L33/08 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44 ,  H01L33/48 ,  H01L33/486 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0066

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements mit den folgenden Schritten angegeben: -Bereitstellen eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1) mit einer ersten Hauptfläche, die eine Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips (1) umfasst, -Aufbringen einer metallischen Keimschicht (5) auf eine zweite Hauptfläche des Halbleiterchips (1), die der ersten Hauptfläche gegenüberliegt, -galvanisches Abscheiden eines metallischen Volumenbereichs (10) einer ersten elektrischen Kontaktstelle (14) und eines metallischen Volumenbereichs (10) einer zweiten elektrischen Kontaktstelle (14) auf der Keimschicht (5), -Abscheiden einer Haftvermittlungsschicht (12) auf den Volumenbereichen (10) der ersten elektrischen Kontaktstelle (14) und der zweiten elektrischen Kontaktstelle (14), und -Aufbringen einer Vergussmasse (13) zumindest zwischen die Kontaktstellen (14). Weiterhin wird ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement angegeben.

公开(公告)号：WO2018024914A1

公开(公告)日：2018-02-08

申请号：PCT/EP2017/069949

申请日：2017-08-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  LEIRER, Christian

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/36 ,  H01L33/48 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L27/153 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/382 ,  H01L33/486 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0033

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Filament (1) mit einem Träger (12), wobei auf dem Träger (12) wenigstens zwei Leuchtdioden-strukturen (2, 3) mit einer p-n Halbleiterschichtstruktur (6,7) mit einer aktiven Zone (38) zum Erzeugen elektromagne- tischer Strahlung angeordnet sind, wobei eine p-Schicht (8) der ersten Leuchtdiodenstruktur (2) mit einem elektrischen Verbindungskontakt (13) elektrisch leitend verbunden ist, wobei eine n-Schicht (7) der zweiten Leuchtdiodenstruktur (3) mit dem elektrischen Verbindungskontakt (13) elektrisch leitend verbunden ist, wobei der elektrische Verbindungskontakt (13) auf einer ersten Seite (14) des Trägers (12) angeordnet ist, und wobei zwei Versorgungskontakte (10,17) zum Betreiben des Filaments (1) am Träger (12)vorgesehen sind, wobei der erste Versorgungskontakt mit einer n-Schicht (7) der ersten Leuchtdiodenstruktur (2) elektrisch leitend verbunden ist, und wobei der zweite Versorgungskontakt (17) mit einer p-Schicht (8) der zweiten Leuchtdiodenstruktur (3) elektrisch leitend verbunden ist.Zudem betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines Filaments.

Abstract translation: 本发明涉及具有载体（12）的灯丝（1），其中在载体（12）上具有pn半导体层结构（6）的至少两个发光二极管结构（2,3） ，7）设置有用于产生电磁辐射的有源区（38），其中具有电连接触点（13）的所述第一发光二极管结构（2）的p层（8）电连接，其中n层 （7）第二发光二极管结构（3）与所述电连接触点（13）的导电连接，其中，所述电连接触点（13）上Tr的＆AUML的第一侧（14）;热尔（12）布置，并且其中，两个电源触头（ 10,17），用于操作所述灯丝（1）在Tr的BEAR是GER（12），其中有n层的第一供应（7）接触的第一发光结构的（2）的导电连接，并且其中所述第二电源触头（ 17）与p层（8） 此外，本发明涉及生产长丝的方法。

公开(公告)号：WO2017036918A1

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：PCT/EP2016/070101

申请日：2016-08-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER, Christian ,  PERZLMAIER, Korbinian ,  KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382

Abstract: Das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips (1) umfass die folgenden Schritten in der angegebenen Reihenfolge: A) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (2), B) Aufbringen einer elektrischen zweiten Kontaktstruktur (33) auf eine einem Aufwachssubstrat (20) abgewandte Seite der Halbleiterschichtenfolge (2), C) Aufbringen mindestens einer elektrischen Isolierschicht (41, 42) auf die zweite Kontaktstruktur (33) und auf die Halbleiterschichtenfolge (2), D) Aufbringen einer ersten Kontaktstruktur (31), sodass die erste Kontaktstruktur (31) elektrisch mit einem dem Aufwachssubstrat (20) zugewandten Bereich (21) der Halbleiterschichtenfolge (2) verbunden wird, E) Aufbringen einer weiteren elektrischen Isolierschicht (43) stellenweise zumindest auf die erste Kontaktstruktur (31), F) Erzeugen von elektrischen Kontaktflächen (51, 53), sodass mit dem Schritt F) eine Ausdehnung der Kontaktflächen (51, 53) in Richtung weg von der Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer Toleranz von höchsten 5 μm definiert wird.

Abstract translation: 用于光电子半导体芯片（1）umfass给定的顺序执行以下步骤的制备方法：a）提供（2），B）施加电第二接触结构（33）到一（生长基板的半导体层序列20）从半导体层序列背向（侧 2），C）施加至少一个电绝缘层（41，42）到所述第二接触结构（33）和所述半导体层序列（2），D）施加第一接触结构（31），使得所述第一接触结构（31）电连接到 面对的区域中的生长衬底（20）（21）被连接到，F）生成半导体层序列（2）中，e）将另一电绝缘层（43）至少地方（在第一接触结构31）（的电接触表面51，53）， 使得与在一个方向上的步骤F），接触表面的延伸部分（51，53）的距离（从与半导体层序列2） 它被定义最多5微米的公差。

公开(公告)号：WO2016180939A1

公开(公告)日：2016-11-17

申请号：PCT/EP2016/060744

申请日：2016-05-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  LEIRER, Christian

IPC: H01L33/38 ,  H01K5/00 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L24/30 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62

Abstract: Ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) weist einen Träger (5) und einen auf dem Träger (5) angeordneten Halbleiterkör- per (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge auf. Die Halb- leiterschichtenfolge umfasst einen aktiven Bereich (20), der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zwei- ten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist und zur Erzeugung oder zum Empfangen von elektromagnetischer Strahlung vorgese- hen ist. Die erste Halbleiterschicht (21) ist elektrisch lei- tend mit einem ersten Kontakt (41) verbunden. Der erste Kon- takt (41) ist auf einer dem Halbleiterkörper abgewandten Rückseite (52) des Trägers (5) ausgebildet. Die zweite Halb- leiterschicht (22) ist elektrisch leitend sowohl mit einem zweiten Kontakt (42) als auch mit einem dritten Kontakt (43) verbunden. Der zweite Kontakt (42) ist auf der dem Halb- leiterkörper zugewandten Vorderseite (51) des Trägers (5) und der dritte Kontakt (43) ist auf der dem Halbleiterkörper ab- gewandten Rückseite (52) des Trägers (5) ausgebildet.

Abstract translation: 的光电子半导体芯片（1）包括支撑件（5）和由Halbleiterkör-（2），其具有半导体层序列的载体（5）上布置一个。 半导体层序列包括第一半导体层（21）和两个半导体层（22）之间的有源区（20）被布置和被提供用于母鸡以产生或接收电磁辐射。 在第一半导体层（21）是导电连接到趋向于第一接触（41）。 上从所述载体（5）的半导体主体后侧（52）远程一个侧的第一接触（41）形成。 第二半导体层（22）被连接到导电两者的第二接触（42）和第三触点（43）。 在面向所述载体（5）和第三接触（43）的半导体主体前表面（51）侧的第二接触（42）是在关断半导体本体面向载体（5）的后表面（52）形成。

公开(公告)号：WO2016150837A1

公开(公告)日：2016-09-29

申请号：PCT/EP2016/055926

申请日：2016-03-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER, Christian ,  LINKOV, Alexander ,  SPERL, Matthias ,  KIESSLING, Matthias

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/58

CPC classification number: H01L33/58 ,  H01L33/005 ,  H01L33/507

Abstract: Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Leuchtvorrichtung, umfassend: - einen Träger (403), - auf welchem eine lichtemittierende Diode (405) angeordnet ist, - wobei auf einer lichtemittierenden Oberfläche (407) der Diode eine mehrere Mikrolinsen (105) aufweisende Mikrolinsenstruktur (101, 801) angeordnet ist, - wobei auf der Mikrolinsenstruktur eine Konversionsschicht (501) angeordnet ist, - so dass von der lichtemittierenden Oberfläche (407) emittiertes Licht zumindest teilweise durch die Mikrolinsenstruktur (101, 801) abgebildet und dann konvertiert werden kann. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung.

Abstract translation: 本发明涉及一种光电子发光装置，包括： - 支承件（403）， - 在其上的发光二极管（405）设置， - 其中，具有多个微透镜（105）的微透镜结构的二极管的发光表面（407）（101上 位于801）， - 其中，转换层（501）被设置在微透镜结构， - 使得（来自发光面407），通过微透镜结构（101至少部分地发出的光，准备801），然后可以被转换。 本发明还涉及一种用于制造光电发光装置。

公开(公告)号：WO2016146297A1

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：PCT/EP2016/051986

申请日：2016-01-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER, Christian

IPC: H01L33/54 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/54 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/96 ,  H01L2933/005

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100) angegeben, das folgende Schritte aufweist: a) Bereitstellen eines Hilfsträgers (2); b) Bereitstellen einer Mehrzahl von Halbleiterchips (6), wobei jeder der Halbleiterchips einen Trägerkörper (10) und einen auf einer Oberseite (12) des Trägerkörpers angeordneten Halbleiterkörper (16) aufweist; c) Befestigen der Mehrzahl von Halbleiterchips (6) auf dem Hilfsträger (2), wobei die Halbleiterchips (6) in einer lateralen Richtung (L) voneinander beabstandet sind und wobei die Halbleiterkörper (16) vom Trägerkörper (10) aus gesehen von dem Hilfsträger (2) abgewandt sind; d) Ausbilden eines Gehäusekörperverbunds (28) zumindest in Bereichen zwischen den Trägerkörpern (10) benachbarter Halbleiterchips (6), wobei die Halbleiterchips überformt werden; e) Entfernen des Hilfsträgers (2); f) Dünnen des Gehäusekörperverbunds (28); und g) Vereinzeln des Gehäusekörperverbunds (28) in eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100), wobei jedes Halbleiterbauelement zumindest einen Halbleiterchip (6) und einen Teil des Gehäusekörperverbunds als Gehäusekörper aufweist.

Abstract translation: 一种用于制造规定的多个光电子半导体器件（100），包括以下步骤的方法：a）提供一辅助载体（2）; b的）提供多个半导体芯片（6），其特征在于，设置在每个半导体芯片的承载体（10）和一个（在承载体半导体主体的上侧12）（16）; c）该辅助载体（2），其中所述半导体芯片（6）在横向方向（L）间隔开并且上固定多个半导体芯片（6），其中，所述半导体主体（16）（从作为从辅助载体观察到的载体主体10） （2）背对; D）形成至少一个复合壳体主体（28）的区域相邻的半导体芯片（6），其特征在于，形成在半导体芯片的承载体（10）之间; e）移除所述辅助载体（2）; F）在壳体主体组件的薄型化（28）; 和g）切割所述壳体组件（28）转换成多个光电子半导体器件（100）的，具有至少一个半导体芯片（6）和作为外壳主体外壳主体复合材料的部分中的每个半导体器件。