公开(公告)号：FR2947382B1

公开(公告)日：2011-09-09

申请号：FR0954295

申请日：2009-06-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

公开(公告)号：FR2947381B1

公开(公告)日：2011-09-09

申请号：FR0954294

申请日：2009-06-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

公开(公告)号：FR2934926A1

公开(公告)日：2010-02-12

申请号：FR0855410

申请日：2008-08-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS ,  TOURNIER ARNAUD

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un capteur d'images comprenant au moins une photodiode (D) et au moins un transistor (M4) formés dans et sur un substrat de silicium (21), l'ensemble de la photodiode et du transistor étant entouré d'un mur d'isolement (23) fortement dopé, caractérisé en ce que le substrat de silicium a une orientation cristalline (110).

公开(公告)号：FR3094571B1

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：FR1903194

申请日：2019-03-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： TOURNIER ARNAUD ,  RODRIGUES GONCALVES BORIS ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L31/103 ,  H01L27/146

Abstract: Dispositif électronique à photodiode La présente description concerne un dispositif électronique (100) comprenant une photodiode (102), la photodiode comprenant une région (208) reliée à un noeud d'application d'une première tension, la région étant partiellement entourée par au moins un mur semiconducteur (210a, 210b) s'étendant sur au moins la hauteur de la photodiode (102). Figure pour l'abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR3108784A1

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：FR2003147

申请日：2020-03-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/148

Abstract: Dispositif à couplage de charges La présente description concerne un dispositif (100) à couplage de charges comprenant : un réseau d'électrodes isolées (123) pénétrant verticalement dans un substrat semiconducteur (101), le réseau comprenant des rangées d'électrodes longitudinales (123) et transversales alternées, chaque extrémité d'une électrodes longitudinale (123) d'une rangée étant en regard et séparée d'une portion d'une électrode transversale adjacentes de ladite rangée ; et des murs (126) d'isolation électrique parallèles entre eux et aux électrodes longitudinales, les murs (126) pénétrant verticalement dans le substrat (101) plus profondément que les électrodes longitudinales (123) et au moins deux rangées adjacentes d'électrodes (123) étant disposées entre chaque deux murs (126) successifs. Figure pour l'abrégé : Fig. 7

公开(公告)号：FR3065320B1

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：FR1753344

申请日：2017-04-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374

Abstract: L'invention concerne un capteur de détection de temps de vol comprenant une pluralité de pixels, chaque pixel comprenant une zone photosensible (PD) et au moins deux ensembles (Qi) comprenant chacun : une zone de stockage de charges (memi) ; un transistor de transfert (Tmem-j) adapté à contrôler des transferts de charges de la zone photosensible (PD) vers la zone de stockage de charges ; et un moyen de lecture (Vri, 23, 25, LECT) apte à mesurer de manière non-destructive la quantité de charges stockée dans la zone de stockage.

公开(公告)号：FR3046495B1

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：FR1563457

申请日：2015-12-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： ROY FRANCOIS ,  GUILLON MARIE ,  CAZAUX YVON ,  RODRIGUES BORIS ,  ROCHAS ALEXIS

IPC: H01L27/146 ,  G01S17/08 ,  H04N13/00

公开(公告)号：FR2995725A1

公开(公告)日：2014-03-21

申请号：FR1258768

申请日：2012-09-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS ,  HERAULT DIDIER

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un procédé de commande d'un pixel (100) comportant au moins une photodiode (101) reliée à un point de lecture (SENSE) par l'intermédiaire d'un transistor MOS (103), dans lequel une information représentative du potentiel du point de lecture (SENSE) est lue pendant une première période de fermeture du transistor.

公开(公告)号：FR2984607A1

公开(公告)日：2013-06-21

申请号：FR1161775

申请日：2011-12-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ROY FRANCOIS ,  PLACE SEBASTIEN

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un capteur d'image comprenant une matrice de pixels (310), chaque pixel comprenant, dans un substrat (312) d'un matériau semiconducteur dopé d'un premier type de conductivité, une première région (318) dopée d'un second type de conductivité en surface du substrat ; une tranchée (314) isolante entourant la première région ; une deuxième région (322) dopée du premier type de conductivité, plus fortement dopée que le substrat, en surface du substrat et entourant la tranchée ; une troisième région (327), dopée du second type de conductivité, formant avec le substrat une jonction de photodiode, s'étendant en profondeur dans le substrat sous les première et deuxième régions et étant reliée à la première région ; et une quatrième région (328), plus faiblement dopée que les deuxième et troisième régions, interposée entre les deuxième et troisième régions et au contact de la première région et/ou de la troisième région.

公开(公告)号：FR2979484A1

公开(公告)日：2013-03-01

申请号：FR1157433

申请日：2011-08-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ROY FRANCOIS ,  MICHELOT JULIEN

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0248

Abstract: Photosite comprenant, dans un substrat semi-conducteur, une photodiode confinée dans une direction orthogonale à la surface du substrat comportant une zone semi-conductrice de stockage de charges comprenant dans une région semi-conductrice supérieure ayant un premier type de conductivité (P) un caisson principal (Nw1) d'un second type de conductivité (N) opposé au premier et pincé selon une première direction (X) parallèle à la surface du substrat. La zone de stockage de charges comprend en outre des moyens semi-conducteurs enterrés sous et au contact du caisson principal (Nw1) ayant le second type de conductivité (N).