公开(公告)号：FR3126170A1

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：FR2108614

申请日：2021-08-10

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： BAR PIERRE ,  HUGUENIN JEAN LUC

IPC: H01L27/146

Abstract: Procédé de fabrication d'un capteur d'images La présente description concerne un procédé de fabrication d'un capteur d'images comportant :a) la formation d'une pluralité de microlentilles (23) dans une couche (15) en une première résine ;b) après l'étape a), la formation d'un masque (25) en une deuxième résine, sur et en contact avec ladite couche (15) ; etc) après l'étape b), la gravure chimique par plasma de ladite couche (15), à travers le masque (25). Figure pour l'abrégé : Fig. 11

公开(公告)号：FR3076658B1

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：FR1850068

申请日：2018-01-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： BAR PIERRE ,  LEVERD FRANCOIS ,  RISTOIU DELIA

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308

Abstract: L'invention concerne un procédé de gravure d'une cavité dans un empilement de couches, l'empilement comprenant une première couche (61) en un premier matériau et une seconde couche en un second matériau, le procédé comprenant les étapes suivantes : a) former un premier masque de gravure ayant une première ouverture ; b) graver l'empilement et interrompre la gravure dans la seconde couche ; c) former un second masque (22) ayant une seconde ouverture, les dimensions de la seconde ouverture étant, en vue de dessus, inférieures à celles de la première ouverture, la seconde ouverture étant située, en vue de dessus, en regard de la zone gravée à l'étape b) ; et d) graver la seconde couche en regard de la seconde ouverture par un procédé de gravure apte à graver le second matériau de façon sélective par rapport au premier matériau, jusqu'à atteindre la première couche.

公开(公告)号：FR3091410B1

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：FR1874151

申请日：2018-12-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： RISTOIU DELIA ,  BAR PIERRE ,  LEVERD FRANÇOIS

IPC: H01L21/311 ,  G02B6/43

Abstract: Procédé de gravure La présente description concerne un procédé de formation d'une cavité (30) traversant un empilement (10) de couches (6, 8) incluant une couche inférieure (61) dont une première portion (24) présente localement une surépaisseur, le procédé comprenant une première étape de gravure non sélective et une deuxième étape de gravure sélective à l'aplomb de la première portion (24). Figure pour l'abrégé : Fig. 6

公开(公告)号：FR3076658A1

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：FR1850068

申请日：2018-01-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： BAR PIERRE ,  LEVERD FRANCOIS ,  RISTOIU DELIA

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308

Abstract: L'invention concerne un procédé de gravure d'une cavité dans un empilement de couches, l'empilement comprenant une première couche (61) en un premier matériau et une seconde couche en un second matériau, le procédé comprenant les étapes suivantes : a) former un premier masque de gravure ayant une première ouverture ; b) graver l'empilement et interrompre la gravure dans la seconde couche ; c) former un second masque (22) ayant une seconde ouverture, les dimensions de la seconde ouverture étant, en vue de dessus, inférieures à celles de la première ouverture, la seconde ouverture étant située, en vue de dessus, en regard de la zone gravée à l'étape b) ; et d) graver la seconde couche en regard de la seconde ouverture par un procédé de gravure apte à graver le second matériau de façon sélective par rapport au premier matériau, jusqu'à atteindre la première couche.

公开(公告)号：FR2976720A1

公开(公告)日：2012-12-21

申请号：FR1155193

申请日：2011-06-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BAR PIERRE ,  JOBLOT SYLVAIN ,  CARPENTIER JEAN-FRANCOIS

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/4763 ,  H01L23/52

Abstract: Dispositif de liaison pour structure intégrée tridimensionnelle, comprenant au moins un module (MD) ayant une première face d'extrémité (FAX1) destinée à être en regard d'un premier élément de la structure et une deuxième face d'extrémité (FAX2) destinée à être placée en regard d'un deuxième élément de la structure, les deux faces d'extrémité étant sensiblement parallèles et le module comportant au moins un substrat (SB1, SB2, SB3) ayant une face (FS1, FS2, FS3) sensiblement perpendiculaire auxdites deux faces d'extrémité et supportant un motif électriquement conducteur formé dans au moins un niveau de métallisation au dessus de ladite face et enrobé dans une région isolante, ledit motif électriquement conducteur (MTF1, MTF2, MTF3) comportant au moins une première partie d'extrémité débouchant sur la première face d'extrémité et au moins une deuxième partie d'extrémité débouchant sur la deuxième face d'extrémité et reliée à ladite première partie d'extrémité.

公开(公告)号：FR2966982A1

公开(公告)日：2012-05-04

申请号：FR1058826

申请日：2010-10-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BAR PIERRE ,  JOBLOT SYLVAIN ,  CARPENTIER JEAN-FRANCOIS

IPC: H01P3/08

Abstract: L'invention concerne une ligne de transmission formée dans un dispositif comprenant un empilement de première (C1) et seconde (C2) puces accolées par leurs faces avant et dans lequel une couche (29) en un matériau de remplissage sépare la face avant de la première puce de la face avant de la seconde puce, cette ligne comprenant : un ruban conducteur (8) formé du côté de la face avant de la première puce dans au moins un niveau de métallisation de la première puce ; et un plan de masse (7) en un matériau conducteur formé du côté de la face avant de la seconde puce dans au moins un niveau de métallisation de la seconde puce.

公开(公告)号：FR2966982B1

公开(公告)日：2012-12-07

申请号：FR1058826

申请日：2010-10-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BAR PIERRE ,  JOBLOT SYLVAIN ,  CARPENTIER JEAN-FRANCOIS

IPC: H01P3/08

公开(公告)号：FR2951025B1

公开(公告)日：2012-03-23

申请号：FR0956860

申请日：2009-10-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BAR PIERRE ,  JOBLOT SYLVAIN ,  PETIT DAVID

IPC: H01L41/22 ,  H01L21/66 ,  H03H9/15

公开(公告)号：FR2939986A1

公开(公告)日：2010-06-18

申请号：FR0806971

申请日：2008-12-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： CARPENTIER JEAN FRANCOIS ,  BAR PIERRE ,  VOLATIER ALEXANDRE

IPC: H03H9/54 ,  H01L41/083 ,  H01L41/24 ,  H03H7/38

Abstract: 1. Circuit de filtrage à résonateurs couplés comportant : - un substrat (100) ; - un miroir acoustique (101) ou une membrane destinés à servir de support mécanique à des résonateurs acoustiques et isoler ces résonateurs du substrat ; - une première section (GAUCHE) comportant un résonateur supérieur (120) et un résonateur inférieur (110) couplés l'un à l'autre au moyen d'au moins une couche de couplage acoustique (130), lesdits résonateurs supérieur et inférieur constitutant une première section (A1) ; - une seconde section (DROITE) comportant un résonateur supérieur (220) et un résonateur inférieur (210) couplés l'un à l'autre au moyen d'au moins une couche de couplage acoustique (130), lesdits résonateur supérieur et inférieur de ladite seconde section constituant une seconde section (A2) ; Caractérisé en ce qu'il comporte des vias métalliques réalisant une connexion inter étage entre le résonateur inférieur d'une section et le résonateur supérieur de l'autre section. De préférence, lesdits résonateurs supérieurs présentent une couche piézo-électrique ayant une épaisseur choisie de manière à réaliser une adaptation d'impédance optimale entre lesdites premières et secondes sections.

公开(公告)号：FR3018953B1

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：FR1452280

申请日：2014-03-19

Applicant: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BAR PIERRE ,  TALUY ALISEE ,  KOKSHAGINA OLGA

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/538