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    CAPTEUR D'IMAGES A SENSIBILITE AMELIOREE.
    11.
    发明专利
    CAPTEUR D'IMAGES A SENSIBILITE AMELIOREE. 未知

    公开(公告)号：FR2918795A1

    公开(公告)日：2009-01-16

    申请号：FR0756447

    申请日：2007-07-12

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

    Inventor： COUDRAIN PERCEVAL ,  CORONEL PHILIPPE ,  BELREDON XAVIER

    IPC: H01L27/146 ,  H01L31/02 ,  H01L31/18

    Abstract: L'invention concerne un capteur d'images (1) comprenant des cellules photosensibles (B, G, R), chaque cellule photosensible comportant au moins un moyen de stockage de charges (11R, 11G, 11B) formé au moins en partie dans un substrat (9) d'un matériau semiconducteur. Le substrat comprend, pour au moins une première cellule photosensible (B), une portion (10B) d'un premier alliage de silicium et de germanium ayant une première concentration de germanium (XB), éventuellement nulle, et pour au moins une deuxième cellule photosensible (G, R), une portion (10G, 10R) d'un deuxième alliage de silicium et de germanium ayant une deuxième concentration de germanium (XG, XR), non nulle, strictement supérieure à la première concentration de germanium.

    PROCEDE DE REALISATION D'UN CIRCUIT MICROFLUIDIQUE AU SEIN D'UNE STRUCTURE INTEGREE TRIDIMENSIONNELLE, ET STRUCTURE CORRESPONDANTE
    13.
    发明专利
    PROCEDE DE REALISATION D'UN CIRCUIT MICROFLUIDIQUE AU SEIN D'UNE STRUCTURE INTEGREE TRIDIMENSIONNELLE, ET STRUCTURE CORRESPONDANTE 未知

    公开(公告)号：FR3036531A1

    公开(公告)日：2016-11-25

    申请号：FR1554475

    申请日：2015-05-19

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： BAR PIERRE ,  COUDRAIN PERCEVAL

    IPC: H01L23/46 ,  H01L21/98

    Abstract: Structure intégrée tridimensionnelle (STR), comprenant un premier et un deuxième élément (1,2) ayant chacun une partie d'interconnexion comportant des niveaux de métallisation (121, 221) enrobés dans une région isolante (122,222), les deux éléments étant mutuellement solidarisés par l'intermédiaire de leur partie d'interconnexion respective (12, 22), le premier élément (1) comportant en outre au moins un via (13) traversant en partie le substrat de ce premier élément (1) et coopérant électriquement avec un moyen de connexion externe situé sur la face arrière de celui-ci, caractérisée en ce qu'elle comprend en outre un système de refroidissement thermique (RT) comportant au moins une cavité (4) possédant une première partie située dans la région isolante de la partie d'interconnexion (12) du premier élément et une deuxième partie située dans la région isolante (22) de la partie d'interconnexion du deuxième élément (2) et au moins un canal traversant (7) s's'étendant depuis la face arrière du premier élément pour déboucher dans ladite au moins une cavité (4).

    PROCEDE DE REALISATION D'UN PLOT CONDUCTEUR SUR UN ELEMENT CONDUCTEUR
    15.
    发明专利
    PROCEDE DE REALISATION D'UN PLOT CONDUCTEUR SUR UN ELEMENT CONDUCTEUR 未知

    公开(公告)号：FR3009128A1

    公开(公告)日：2015-01-30

    申请号：FR1357328

    申请日：2013-07-25

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： COLONNA JEAN-PHILIPPE ,  COUDRAIN PERCEVAL

    IPC: H01L21/283 ,  H01L23/485

    Abstract: L'invention concerne un procédé de réalisation d'un plot d'interconnexion (125) sur un élément conducteur (100) comprenant une face supérieure et une paroi latérale ; le procédé étant réalisé à partir d'un substrat (50) dont au moins la face supérieure est isolante ; l'élément conducteur (100) traversant au moins une partie isolante du substrat (50), le procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend la séquence d'étapes suivantes : une étape de mise en relief de l'élément conducteur (100), une étape de formation au-dessus de la face supérieure isolante du substrat (50) d'un empilement de couches comportant au moins une couche électriquement conductrice (120) et une couche électriquement résistive (130), une étape de retrait partiel de la couche électriquement résistive (130), une étape de croissance électrolytique sur la partie de la couche électriquement conductrice (120) de sorte à former au moins un plot d'interconnexion (125) sur ledit élément conducteur (100).

    PROCEDE D'ASSEMBLAGE DE DEUX PARTIES D'UN CIRCUIT
    16.
    发明专利
    PROCEDE D'ASSEMBLAGE DE DEUX PARTIES D'UN CIRCUIT 未知

    公开(公告)号：FR2964246A1

    公开(公告)日：2012-03-02

    申请号：FR1056942

    申请日：2010-09-01

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  CENTRE NAT RECH SCIENT

    Inventor： COUDRAIN PERCEVAL ,  FELK YACINE ,  LAMONTAGNE PATRICK

    IPC: H01L21/60 ,  H01L21/762

    Abstract: Procédé de réalisation d'une structure tridimensionnelle intégrée par assemblage d'au moins deux parties (1, 2) comportant chacune au moins une ligne métallique (3, 4) recouverte d'une région de recouvrement (6, 7) possédant une face libre, comprenant : - une formation dans chaque partie, d'au moins une cavité (8, 9) dans la région de recouvrement (6, 7) débouchant sur la ligne métallique (3, 4 - une fixation mutuelle des deux régions de recouvrement (6, 7) par au moins une portion de leur face libre de façon à ce que lesdites cavités (8, 9) soient en regard l'une de l'autre ; - une formation d'un assemblage métallique des deux lignes comportant une électromigration du métal de l'une au moins des lignes métalliques (3, 4) à travers les cavités (8, 9).

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