公开(公告)号：FR2914489A1

公开(公告)日：2008-10-03

申请号：FR0754201

申请日：2007-04-02

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： KERMARREC OLIVIER ,  BENSAHEL DANIEL ,  CAMPIDELLI YVES

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L29/861 ,  H01L29/92

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un composant électronique sur un substrat semiconducteur (1) comprenant les étapes suivantes : réaliser au moins une ouverture (3) dans le substrat (1) ; former dans le fond et sur les parois de l'ouverture (3) et sur le substrat (1) une succession alternée de couches d'un premier matériau (5, 9, 13) et d'un deuxième matériau (7, 11, 15), le deuxième matériau étant gravable sélectivement par rapport au premier matériau et au substrat (1) ; araser les portions de couches du premier matériau (5, 9, 13) et du deuxième matériau (7, 11, 15) qui ne sont pas situées dans ladite ouverture (3) ; graver une partie du premier matériau (5, 9, 13) pour obtenir des tranchées (17) ; et remplir les tranchées (17) d'au moins un troisième matériau (19, 21).

公开(公告)号：FR2853452B1

公开(公告)日：2005-08-19

申请号：FR0304008

申请日：2003-04-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： COSNIER VINCENT ,  MORAND YVES ,  KERMARREC OLIVIER ,  BENSAHEL DANIEL ,  CAMPIDELLI YVES

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51

Abstract: The fabrication of a semiconductor device having a dielectric grid of a material with a high dielectric permittivity includes a stage (40) of deposition, directly on the grid dielectric, of a first layer of Si1-xGex with 0.5 less than x = 1, at a temperature essentially low with respect to the temperature of deposition of poly-Si by thermal chemical vapour deposition. An independent claim is also claimed for the semiconductor device thus fabricated.

公开(公告)号：FR2853451B1

公开(公告)日：2005-08-05

申请号：FR0304152

申请日：2003-04-03

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BENSAHEL DANIEL ,  KERMARREC OLIVIER ,  MORAND YVES ,  CAMPIDELLI YVES ,  COSNIER VINCENT

IPC: C30B25/18 ,  H01L21/20

公开(公告)号：FR2853451A1

公开(公告)日：2004-10-08

申请号：FR0304152

申请日：2003-04-03

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BENSAHEL DANIEL ,  KERMARREC OLIVIER ,  MORAND YVES ,  CAMPIDELLI YVES ,  COSNIER VINCENT

IPC: C30B25/18 ,  H01L21/20

Abstract: The epitaxial formation of a hetero-atomic monocrystalline semiconductor layer (21) on a monocrystalline semiconductor slice (20), the crystalline networks of the layer and the slice being different, incorporates a stage of forming, before epitaxy, in the surface of the slice, at least one annulus of discontinuities around a useful region. An independent claim is also included for a monocrystalline semiconductor slice covered by a hetero-atomic monocrystalline semiconductor layer.

公开(公告)号：FR2812763A1

公开(公告)日：2002-02-08

申请号：FR0010346

申请日：2000-08-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BENSAHEL DANIEL ,  KERMARREC OLIVIER ,  CAMPIDELLI YVES

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/12 ,  H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L21/205

Abstract: Formation of quantum dots (41) on a monocrystalline semiconductor substrate (40) involves gas-phase epitaxy of the quantum dot material on the substrate under optimum growth conditions to ensure growth at a controllable maximum rate. In an initial stage, quantum dot material gas is blown onto the substrate to provide a deposition rate distinctly higher than the controllable maximum rate. The substrate (40) material can be silicon (Si) and the quantum dot (41) material can be germanium (Ge). The substrate (40) material can be Si or Ge and the quantum dot (41) material can be a rare earth. The substrate material (40) can be silicon oxide and the quantum dot (41) material can be silicon nitride.

公开(公告)号：FR2853452A1

公开(公告)日：2004-10-08

申请号：FR0304008

申请日：2003-04-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： COSNIER VINCENT ,  MORAND YVES ,  KERMARREC OLIVIER ,  BENSAHEL DANIEL ,  CAMPIDELLI YVES

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51

Abstract: The fabrication of a semiconductor device having a dielectric grid of a material with a high dielectric permittivity includes a stage (40) of deposition, directly on the grid dielectric, of a first layer of Si1-xGex with 0.5 less than x = 1, at a temperature essentially low with respect to the temperature of deposition of poly-Si by thermal chemical vapour deposition. An independent claim is also claimed for the semiconductor device thus fabricated.

公开(公告)号：FR2812763B1

公开(公告)日：2002-11-01

申请号：FR0010346

申请日：2000-08-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BENSAHEL DANIEL ,  KERMARREC OLIVIER ,  CAMPIDELLI YVES

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/12 ,  H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L21/205

Abstract: L'invention concerne un procédé de formation, sur un substrat semiconducteur monocristallin (40) d'un premier matériau, de boîtes quantiques (41) en un second matériau, consistant à faire croître par épitaxie en phase gazeuse le second matériau sur le premier matériau dans des conditions optimales propres à assurer une croissante à une vitesse contrôlable maximum. Dans une étape initiale, on envoie sur le substrat une bouffée d'un gaz comprenant le second matériau, dans des conditions correspondant à une vitesse de dépôt nettement plus rapide que ladite vitesse contrôlable maximum.